查找固态存储器的最佳读取阈值和相关电压制造技术

获得与固态存储装置中的存储值相关联的期望值以及三个或更多个点的组，其中，所述三个或更多个点包括与存储值相关联的值和电压。从所述组中选择具有最接近于期望值的比率的两个点。至少部分地基于所选的两个点和期望值来确定电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开发改善用来确定读取阈值和/或用来确宣将例如减少读取错误的数目，并且可使得6佳读取阈值时，其是使用纠错码不可纠正:现在落在代码的纠错能力内勺各种实施例。口与读回值相关联的比率函数I的实施例的流程图。三I'比率值的数据点的实施例的图。据点的实施例的图。勺存储系统的实施例的图。勺斜率的的实施例的图。的实施例的流程图。施例的图。算机程序指令的一个或多个器件、电路和/或处理核。下面连同示出本专利技术的原理的附图一起提供本专利技术的一个或多个实施例的详细描述。结合此类实施例来描述本专利技术，但是本专利技术不限于任何实施例。仅仅由权利要求来限制本专利技术的范围，并且本专利技术涵盖许多备选、修改以及等同。在以下描述中阐述许多特定细节以便提供对本专利技术的透彻理解。这些细节是出于示例的目的而提供的，并且可在没有这些特定细节中的一些或全部的情况下根据权利要求来实践本专利技术。为了清楚起见，并未详细描述在本专利技术相关的
中已知的技术材料，使得不会不必要地使本专利技术含糊不明。首先,下面描述用于确定Texp和Tmin的各种实施例。Texp是对应于与固态存储装置(storage )中的存储值相关联的期望值(例如，计数或比率)的电压。在一些实施例中，Texp是Ttw，其为电压，在该电压下，当使用Ttw作为读取阈值来读取时固态存储装置中的一组单元返回与存储或读回值(例如，I与O的比率、或O与I的比率、或I的总数、或O的总数)的某个(例如，已知或期望)比率匹配的值。Texp的其他实施例包括对应于读回I或O的期望数目的电压。虽然本文所述的一些实施例使用比率或T 作为示例，但在一些实施例中可使用期望O或I的数目。Tmin是电压，在该电压下，在由一组单元存储的电压的概率分布函数(PDF)或直方图中发生局部最小值(在第一局部最大值与第二局部最大值之间)。在本文中还描述的是用于使用Texp和Tmin中的至少一个来估计最佳读取阈值(Topt)的技术。(为了区别最佳读取阈值的估计与最佳读取阈值本身，在本文中将前者称为Topf,并将后者称为Topt。)在一些实施例中，使用本文所述技术来确定Texp和Tmin中的一者或两者。备选地，可使用一些其他技术来获得Texp和/或Tmin。图1是示出存储O和I的单元的分布和与读回值相关联的比率函数的实施例的图。在图100中，y轴可以是示出具有特定存储电压的单元的概率大小或数目多少的单元的概率(例如，分布102和104是概率分布函数(PDF))或数目(例如，分布102和104是直方图)。分布102针对(实际上)存储I (例如，无论实际上读回或解释成什么值)的单元示出这一点，并且分布104针对(实际上)存储O的单元示出这一点。用来读取具有分布102和104的一组单元(例如，单元的页)的最佳电压是Topt。Topt是分布102和104彼此交叉处的X值。然而，通常不知道分布102和104，因此不能使用分布102和104容易地和/或直接地获得Topt。图150示出与分布102和104相比更容易获得的分布。函数152的y轴是读回值的比率(例如，读回的I与O的比率或读回的O与I的比率)，并且X轴是用来获得该特定比率的读取阈值。在本示例中，当与函数152相关联的单元组被写入时，存储O与I (或I与O)的正确或实际比率；此比率为RWt|。时常，由于信息的随机性质和/或由于施加于存储数据的约束，0.50在周围附近(即，线性区154)，函数152是相对线性的，并且能够用直线来很好地近似。以下图描述了如何能够利用线性区154中的函数152的线性以便估计Ttw。顺便提及，分布102和104的分布特性是不对称的(例如，方差是不相等的)，并且结果Topt ^ T tWo如果这两个分布特性匹配,则Topt将等于T tw。虽然该示例示出Topt< Ttw，但在一些其他实施例中，此不等式是相反的。虽然本文所述的示例是单层单元(SLC)示例，但该技术可扩展至多层单元(MLC)系统。例如，如果分配的二进制值是11、01、00和10 (例如，从左至右)，则本文所述的技术可用来确定用于最低有效位的读取阈值(例如，以区别XO和XI)。本文所述的技术还可用来确定用于最高有效位的读取阈值(例如，通过将电压范围分成两半并使用仅与电压范围的一半(例如对11和01或对00和10，但不是两者)有关的分布和/或通过使用与MSB而非LSB有关的存储比率)。如上所述，虽然描述了本示例性比率(例如，R.是存储比率且Ttw是对应于R.的电压)，但在一些实施例中，可使用存储的I或O的数目，并且类似技术用来查找并非Ttw的其他Texp值。例如，O的数目或I的数目的分布也可以是在存储的1/0数目周围是线性的，并且因此可使用与本文所述的那些类似的技术。在一些情况下，使用比率是优选的，因为Rwi!与存储在给定的一组单元中的存储的0/1的数目相比要求要存储较少的比特。Rwil的值例如通常可保持接近于I (例如，因为通常存在相对偶数个I和0)，并且单元组不论变得多大，要存储的比特数Rwtt相对地保持相同。相反，存储1/0的数目所需的比特数随着单元组的大小的增长而增长。图2是示出用于迭代地计算Ttw的过程的实施例的流程图。将使用图3A和3B的示例来解释图2的示例。图3A是示出用来生成第一、第二和第三Ttw值的数据点的实施例的图。图3B是示出用来生成第四Ttw值的数据点的实施例的图。在200处，输出默认电压，并且使用该默认电压来获得第一特性。例如，在图3A中的图300中，第一特性是比率并且在(TtWl，RTtwi)处的点示出在200处被输出的默认电压和被获得的第一特性的一个示例。在一个示例中，如果单元存储在Vmin和Vmax范围内的电压，则Ttwi = (Vmax - Vmin)/2)。在一些实施例中，除存储RWl!之外，还存储读取阈值(例如，对应于Rwil)并在200处使用该存储的读取阈值。在202处，确定是否继续。例如，可使用Ttwi作为读取阈值对读回的数据执行纠错解码。如果纠错解码是成功的，则可不需要进一步继续该过程(例如，因为纠错编码数据中的期望有效负荷数据能够被访问)。如果在202处判定继续，则在204处使用(例如，预定义或计算的)步长(也称为偏移)来生成并输出第二电压，并且使用第二电压来获得第二特性。在图320中，例如，将Ttt率2选择成大于Ttwi，因为这将导致与RTtwi相比更接近于1?#<1|的RTtW2。这是因为(至少对于本示例而言)已知比率函数(例如，图1中的比率函数152)的斜率是负的，并且Rwtl的值是已知的。因此，由于RTtwi > 且比率函数的斜率是负的，所以选择大于Ttwi的TtW2。在一些其他实施例中，比率函数的斜率是正的并相应地选择TtW2。在一些实施例中，在选择Ttw2值时使用预定义偏移(例如，T_2 = Ttwi + Λ，其中，Λ是预定义的)。在206处，确定是否继续。例如，当使用Ttw2作为读取阈值时返回的读取值可足以用于纠错解码器成功地执行纠错解码。如果在206处判定继续，则在208处使用两个先前的点来生成并输出第三电压，并且使用Ttw3来获得第三特性。在图340的示例中，Ttw3是X坐标，在该处，线y = R存储与由(Τ比率u RT比率丨)和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，包括： 存储装置读取接口； 电压计算器，被配置成： 获得与固态存储装置中的存储值相关联的期望值； 获得三个或更多个点的组，其中，所述三个或更多个点包括与存储值相关联的值和电压； 从所述组中选择具有最接近于期望值的比率的两个点；以及 至少部分地基于所选的两个点和期望值来确定电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.10 US 61/585174;2012.11.30 US 13/6911131.一种系统，包括: 存储装置读取接口； 电压计算器，被配置成: 获得与固态存储装置中的存储值相关联的期望值； 获得三个或更多个点的组，其中，所述三个或更多个点包括与存储值相关联的值和电压； 从所述组中选择具有最接近于期望值的比率的两个点；以及 至少部分地基于所选的两个点和期望值来确定电压。2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述期望值包括以下各项中的一项或多项:1与O的比率、O与I的比率、I的数目或O的数目。3.根据权利要求1所述的系统，其中，电压计算器被配置成通过确定期望值下的第一线与包括所选两个点的第二线之间的交叉点来确定电压。4.根据权利要求1所述的系统，其中: 电压计算器被配置成通过在第i次迭代确定电压来确定电压；以及 电压计算器进一步被配置成在第j次迭代确定电压，包括通过: 从所述组中选择具有最接近于期望值的比率的点；以及 用偏移来调整具有最接近于期望值的比率的所选点的电压。5.根据权利要求4所述的系统，其中，电压计算器被配置成通过在期望将产生更接近于期望值的比率的方向上调整来进行调整。6.根据权利要求4所述的系统，其中: 在所述组中的最后点是所选两个点中的一个的情况下，电压计算器被配置成在第i次迭代确定电压；以及 在所述组中的最后点不是所选两个点中的一个的情况下，电压计算器被配置成在第j次迭代确定电压。7.一种系统,包括: 存储装置读取接口； 电压计算器，被配置成: ...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐翔宇，曾令琪，J贝罗拉多，FKH李，A苏布拉马尼安，
申请(专利权)人：SK海尼克斯存储技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US