一种掩模板制造技术

本发明专利技术涉及一种掩模板，掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。本发明专利技术提供的掩模板，在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一册相对的第二侧的方向移动标准距离时，可以通过检测移动后的位于预设图形第一侧的第一测试图形与移动前的位于预设图形第二侧的第一测试图形之间的相对位置关系，确定掩模板在其移动过程中是否产生位置偏移，并在产生位置偏移时，确定位置偏移的大小，从而可以对掩模板的位置进行校正，进而在玻璃基板上获得准确的特定图形。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模板
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种掩模板。
技术介绍
在TFT LCD的成盒工艺中，需要对玻璃基板上涂覆封框胶的区域进行紫外光(Ultrav1let,以下简称为UV)照射，以使其固化；同时，在上述过程中，需要使用另一具有特定图形的玻璃基板对该玻璃基板上的其他区域进行遮挡，避免涂覆在其他区域的光刻胶固化。在现有技术中，制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程如下:步骤SI，在玻璃基板上沉积不透明金属层，并在上述不透明金属层上涂覆一层光刻胶；步骤S2，使用掩模板对所需特定图形对应的玻璃基板上的相应区域进行曝光，使所需特定图形对应的区域的光刻胶变性；步骤S3，对玻璃基板上已曝光的区域进行显影，将已变性的光刻胶去除；步骤S4，对玻璃基板进行刻蚀处理，将所需特定图形对应的区域的不透明金属层去除，从而在玻璃基板上获得特定图形；步骤S5，去除玻璃基板上的光刻胶，在特定图形外的其他区域获得不透明金属层，并以该区域的不透明金属层作为挡光地带。具体地，在上述步骤S2中，可通过下述多个步骤对玻璃基板上的多个区域依次进行多次曝光，使所需图形对应的区域的光刻胶变性:步骤S21，使用矩形掩模板I遮挡玻璃基板2的右下侧大部区域，如图1所示；步骤S22，对玻璃基板2的上部和右侧区域进行曝光，如图2所示；步骤S23，移动矩形掩模板I的位置，并使用曝光设备的挡光条3，遮挡玻璃基板2上的相应区域，如图3所示；步骤S24，对玻璃基板上未被遮挡的区域进行曝光，如图4所示；步骤S25，重复步骤S23?S24，获得如图5所示的玻璃基板，并多次重复步骤S23?S24，最终获得如图6所示的玻璃基板。在上述制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程中，需要多次移动矩形掩模板，以遮挡玻璃基板上的相应区域。而在实际应用中，很难将掩模板完全准确地移动至相应位置，其二者之间一般存在一定的位置偏移，该位置偏移会导致部分所需特定图形对应的区域未被曝光或者部分其他不应曝光的区域被曝光，进而使玻璃基板上的特定图形与所需的特定图形之间产生一定的误差(就通过上述过程制备的玻璃基板而言，其表现为相邻两个挡光地带的距离a无法保证)，因此，在实际应用中，需要对掩模板移动过程中的位置偏移进行检测，以便对其进行校正，从而使在玻璃基板获得的图形尽可能和所需的特定图形一致。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩模板，其可以检测掩模板移动过程中产生的位置偏移，以便对该位置偏移进行校正，从而尽可能使在玻璃基板上获得的图形与所需的特定图形一致。为实现本专利技术的目的而提供一种掩模板，其上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。其中，所述第一测试图形上设有多个标记，所述标记沿第一方向排布，且在所述预设图形相对的两侧的第一测试图形上的所述标记关于第一方向镜面对称。其中，所述多个标记具有不同的预设宽度；并且，每个所述第一测试图形上的各标记的预设宽度沿所述第一方向递增或递减。其中，在所述第一测试图形上设置多个开口，相邻的两个所述开口之间的图形构成所述标记。其中，多个所述开口的开口方向相同。其中，多个所述开口的宽度相同。其中，所述第一方向与所述开口的开口方向相垂直。其中，每个第一测试图形上的各标记的宽度的范围为1.0ym?3.0mm。其中，所述预设图形为矩形。其中，所述掩模板上还设有第二测试图形，所述第二测试图形包括宽度不同的多个图案，所述多个图案用以确定曝光强度。优选地，所述图案为矩形或圆形。优选地，每个所述图案的宽度范围为Ι.Ομπι?3.0mm。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的掩模板，在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一侧相对的第二侧的方向移动标准距离时，通过检测位于预设图形第一侧的第一测试图形在移动后的位置与位于预设图形第二侧的第一测试图形在移动前的位置之间的对应关系是否与预设的对应关系一致；并在一致时，确定掩模板在移动过程中未发生偏移；在不一致时，确定掩模板在移动过程中发生偏移，并且，通过比较其相对于预设的对应关系的变化值，可以确定掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小，从而，根据该位置偏移的大小，可以对掩模板的位置进行校正，从而在玻璃基板上获得准确的特定图形。【附图说明】图1为步骤S21中掩模板遮挡玻璃基板的示意图；图2为经过一次曝光的玻璃基板的示意图；图3为步骤S23中掩模板和挡光条遮挡玻璃基板的示意图；图4为经过两次曝光的玻璃基板的示意图；图5为经过三次曝光的玻璃基板的示意图；图6为经过多次曝光最终获得的玻璃基板的不意图；图7为本专利技术实施例提供的掩模板的俯视示意图；图8为玻璃基板的俯视不意图；图9为在玻璃基板上形成的图形的示意图；图10为在玻璃基板上形成的图形广生偏移时的不意图；图11为第一个第一测试图形的示意图；图12为第二个第一测试图形的示意图；图13为开口为通孔的示意图；图14为第二测试图形的第一种示意图；以及图15为第二测试图形的第二种示意图。【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的掩模板进行详细描述。图7为本专利技术实施例提供的掩模板的俯视示意图。如图7所示，本专利技术实施例提供的掩模板10上设有预设图形11，在预设图形11的相对的两侧分别设有第一测试图形12 ；第一测试图形12用于确定掩模板10在移动过程中产生的位置偏移的大小。优选地，预设图形11为矩形。第一测试图形12包括设于预设图形11的第一侧的第一测试图形12a，以及设于与第一侧相对的第二侧的第一测试图形12b。在使用掩模板10对玻璃基板上多个区域的光刻胶依次进行曝光时,将掩模板10沿由第一侧至第二侧的方向(即图7中有左至右方向)移动预设距离。具体地，通过检测掩模板10移动后，第一测试图形12a在玻璃基板上的曝光形成的图形，与掩模板10移动前，第一测试图形12b在玻璃基板上曝光形成的图形之间的位置对应关系是否与预设的对应关系一致；若是，则可以确定掩模板10在移动过程中未发生位置偏移；若否，则可以确定掩模板10在移动过程中发生位置偏移，并通过与预设的对应关系进行比较，可以确定掩模板10的位置偏移的大小。在本实施例中，掩模板10用于制备具有特定图形的玻璃基板20。图8为玻璃基板的俯视示意图。具体地，玻璃基板20上沉积有不透明金属层，且不透明金属层上涂覆有一层光刻胶。在制备具有特定图形的玻璃基板20的过程中，需对玻璃基板20上的光刻胶层进行曝光。在进行曝光之前，将掩模板10置于玻璃基板20的区域A的正上方，同时遮挡玻璃基板20上除区域A外的其他区域。而后，对区域A进行曝光，使预设图形11在该区域A内对应的区域B，以及第一测试图形12在区域A内对应的区域C内的光刻胶不溶于显影液，而该区域A内的其他区域D内的光刻胶可溶于显影液。而后，依次将掩模板10移动至玻璃基板20的其他区域的上方，对相应区域依次进行多次曝光，最终使玻璃基板20上特定图形对应的区域内的光刻胶不溶于显影液，而特定图形对应的区域外的光刻胶可溶于显影液。进而，在后续的步骤中，可以通过显影去除玻璃基板20上特定图形对应的区域外的光刻胶，而特定图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，其特征在于，所述掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一测试图形上设有多个标记，所述标记沿第一方向排布，且在所述预设图形相对的两侧的第一测试图形上的所述标记关于第一方向镜面对称。3.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述多个标记具有不同的预设宽度；并且，每个所述第一测试图形上的各标记的预设宽度沿所述第一方向递增或递减。4.根据权利要求2所述的掩模板，其特征在于，在所述第一测试图形上设置有多个开口，相邻的两个所述开口之间的图形构成所述标记。5.根据权利要求4所述的掩模板，其特征在于，多个所述开口的开口方...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11