一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法，用以提供一种新型的掩模板组以及利用该掩模板组检测套刻精度的方法。所述掩膜板组包括：第一掩模板和至少一个第二掩模板；所述第二掩模板上包括一个或多个用于检测套刻精度的点位；所述第一掩模板上与所述点位对应的区域设置有至少一个第一套刻标记，所述第一套刻标记为设定长度的线段；所述第二掩模板上与所述点位对应的区域设置有与所述第一套刻标记一一对应的第二套刻标记，所述第二套刻标记设定长度的线段；所述第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影相交且具有设定夹角。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，用以提供一种新型的掩模板组以及利用该掩模板组检测套刻精度的方法。所述掩膜板组包括：第一掩模板和至少一个第二掩模板；所述第二掩模板上包括一个或多个用于检测套刻精度的点位；所述第一掩模板上与所述点位对应的区域设置有至少一个第一套刻标记，所述第一套刻标记为设定长度的线段；所述第二掩模板上与所述点位对应的区域设置有与所述第一套刻标记一一对应的第二套刻标记，所述第二套刻标记设定长度的线段；所述第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影相交且具有设定夹角。【专利说明】
本专利技术涉及光刻工艺
，尤其涉及。
技术介绍
光刻(photolithography)是半导体领域制造工艺中的一个重要步骤。光刻是通过对准、曝光和显影等步骤将掩模板(Mask)上的图形转移到目标基板上的工艺过程。一个产品一般包括多层功能膜层，需要进行多层光刻工艺才能完成整个产品的制作过程。当前功能膜层的光刻图形与前一层功能膜层的光刻图形的位置对准尤为重要。套刻精度(Overlay Accuracy)就是指不同功能膜层之间光刻图形的位置对准偏差,套刻精度的大小反映不同功能膜层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板组，其特征在于，包括第一掩模板和至少一个第二掩模板；所述第二掩模板上包括一个或多个用于检测套刻精度的点位；所述第一掩模板上与所述点位对应的区域设置有至少一个第一套刻标记，所述第一套刻标记为设定长度的线段；所述第二掩模板上点位所在区域设置有与所述第一套刻标记一一对应的第二套刻标记，所述第二套刻标记为设定长度的线段；同一点位对应的第一套刻标记和第二套刻标记在第一掩模板上的投影相交且具有设定夹角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉虎，汪雄，李丽丽，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：