半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及该半导体装置的制造方法，在该半导体装置中，在半导体基板的表面形成有研磨粒痕，掺杂剂扩散区域具有沿与研磨粒痕的伸长方向形成的角度在－5°～+5°范围内的方向伸长的部分，掺杂剂扩散区域通过从设置于半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，由于能量资源枯竭的问题及大气中的CO2的增加这种全球环境问题等，期望清洁能源的开发，在半导体装置之中，特别是使用太阳能电池单元的太阳光发电作为新的能源被开发、实用化，正处于发展之中。一直以来，主流的太阳能电池单元是如下所述的太阳能电池单元，S卩，例如通过在单晶或多晶的硅基板的受光面上扩散与硅基板的导电类型相反的导电类型的杂质而形成pn结，在硅基板的受光面和受光面相反侧的背面分别形成电极而制造的双面电极型太阳能电池单元。另外，在双面电极型太阳能电池单元中，通常通过在硅基板的背面以高浓度扩散与娃基板相同的导电类型的杂质，实现背面电场效应的高输出。另外，对于在硅基板的受光面未形成电极，而仅在背面形成电极的背面电极型太阳能电池单元，也正在进行研究开发(例如，参照专利文献I (特开2006 — 156646号公报)坐')寸/ ο下面，参照图30(a)?⑴的示意剖视图，对现有的背面电极型太阳能电池单元的制造方法的一个例子进行说明。首先，如图30(a)所示，在具有η型或P型导电类型的硅基板101的背面涂敷η型掺杂糊103，并使其干燥。该η型掺杂糊103沿着希望的η型扩散区域的形状进行构图涂敷。在此，作为娃基板101,可以使用例如从娃淀切片而犾得的基板。另外优选地，娃基板101使用去除了因切片而产生的切片损伤层的基板。另外，切片损伤层的去除例如可以利用氟化氢水溶液和硝酸的混合酸等进行蚀刻等而进行。另外，在此，是将涂敷有η型掺杂糊103的面作为硅基板101的背面，而硅基板101的另一面为太阳电池的受光面。在以下说明中，有时将该受光面称为表面。接着，如图30 (b)所示，从η型掺杂糊103向半导体基板101扩散η型掺杂剂，从而形成η型掺杂剂扩散区域113。之后，用氟化氢水溶液去除硅基板101背面的η型掺杂糊103的残渣。接着，如图30(c)所示，在硅基板101的背面，沿希望的P型掺杂剂扩散区域的形状构图涂敷P型掺杂糊104，并使其干燥。接着，如图30 (d)所示，从P型掺杂糊104向硅基板101扩散p型掺杂剂，形成P型掺杂剂扩散区域114，用氟化氢水溶液去除P型掺杂糊104的残渣。接着，如图30(e)所示，采用CVD法在硅基板101的背面形成氧化硅膜105。此时，代替氧化硅膜105，也可以使用氮化硅膜,或者氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。接着，如图30(f)所示，使用例如氟化氢水溶液和硝酸的混合酸等，在硅基板101的表面形成纹理结构110。另外，此时，硅基板101的背面的氧化硅膜105除了成为形成纹理结构110时的保护掩膜外，还成为硅基板101的背面的钝化膜。接着，如图30(g)所示，使用CVD法在硅基板101的表面形成受光面钝化膜106。作为该受光面钝化膜106，也可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、或氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。另外，该受光面钝化膜106也可起到所谓反射防止膜的作用。接着，如图30(h)所示，去除氧化硅膜105的一部分，形成使扩散区域的一部分露出的接触孔123、124。接触孔的形成，可以使用例如公知的蚀刻糊。接着，如图30 (i)所示，通过接触孔123、124，形成与η型掺杂剂扩散区域113电连接的η型用电极133，并且形成与P型掺杂剂扩散区域114电连接的ρ型用电极134。η型用电极133及ρ型用电极134例如可以用丝网印刷法印刷公知的金属糊并进行烧制而形成。现有技术文献专利文献专利文献1:(日本)特开2006 - 156646号公报专利技术所要解决的课题但是，在现有的背面电极型太阳能电池单元中，存在不能分别在规定的区域形成η型掺杂剂扩散区域113及ρ型掺杂剂扩散区域114，不能稳定地获得良好的特性的问题。该问题不仅是背面电极型太阳能电池单元的问题，也是包括双面电极型太阳能电池单元等太阳能电池单元的半导体装置整体的问题。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种可以稳定地获得良好特性的。用于解决课题的技术方案本专利技术的半导体装置具备半导体基板和设置于半导体基板的一侧表面的掺杂剂扩散区域，在半导体基板的表面形成有研磨粒痕，掺杂剂扩散区域具有向与研磨粒痕的伸长方向形成的角度在一 5°?+5°范围内的方向伸长的部分，掺杂剂扩散区域通过从设置于半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。在此，在本专利技术的半导体装置中，优选地，掺杂剂扩散区域具有η型掺杂剂扩散区域及P型掺杂剂扩散区域的至少一方，还具有设置于η型掺杂剂扩散区域上的η型用电极和设置于P型掺杂剂扩散区域上的P型用电极。另外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括:在半导体基板的表面上形成向一方向伸长的研磨粒痕的工序；在半导体基板的表面的一部分上设置掺杂糊的工序，该掺杂糊具有向与研磨粒痕的伸长方向形成的角度在一 5°?+5°范围内的方向伸长的部分；由半导体基板的掺杂糊中的掺杂剂形成掺杂剂扩散区域的工序。在此，在本专利技术的半导体装置的制造方法中，优选地，形成研磨粒痕的工序包括利用钢丝锯切断半导体晶锭的工序。另外，优选地，本专利技术的半导体装置的制造方法在形成研磨粒痕的工序和设置掺杂糊的工序之间包括对半导体基板的表面进行蚀刻的工序。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种可以稳定地获得良好特性的。【附图说明】图1是图解利用钢丝银切断半导体晶淀的工序的一个例子的不意立体图；图2是图解在多个部位切断半导体晶锭，切出多片半导体基板的工序的一个例子的示意立体图；图3是图1所示的钢丝锯的一个例子的示意剖视图；图4是通过利用图1所示的钢丝锯切断半导体晶锭而获得的半导体基板的一个例子的示意剖视图；图5是图解去除图4所示的半导体基板的表面的切片损伤的工序的一个例子的示意剖视图；图6是图5所示的半导体基板的表面一部分的一个例子的示意放大剖视图；图7是图5所示的半导体基板的表面一部分的一个例子的示意立体图；图8 (a)是图解在半导体基板的背面设置η型掺杂糊的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的背面设置η型掺杂糊的工序的一个例子的示意俯视图；图9(a)是图解在半导体基板的背面形成η型掺杂剂扩散区域的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的背面形成η型掺杂剂扩散区域的工序的一个例子的不意俯视图；图10(a)是图解在半导体基板的背面设置P型掺杂糊的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的背面设置P型掺杂糊的工序的一个例子的示意俯视图；图11(a)是图解在半导体基板的背面形成P型掺杂剂扩散区域的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的背面形成P型掺杂剂扩散区域的工序的一个例子的不意俯视图；图12(a)是图解在半导体基板的背面形成钝化膜的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的背面形成钝化膜的工序的一个例子的示意俯视图；图13(a)是图解在半导体基板的表面形成纹理结构的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的表面形成纹理结构的工序的一个例子的示意俯视图；图14(a)是图解在半导体基板的表面形成钝化膜的工序的一个例子的示意剖视图，(b)是图解在半导体基板的表面形成钝化膜的工序的一个例子的示意俯视图；图15(a)是图解去除半导体基板的背面的钝化膜的一部分而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板、和设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂剂扩散区域，在所述半导体基板的所述表面形成有研磨粒痕，所述掺杂剂扩散区域具有沿与所述研磨粒痕的伸长方向形成的角度在－5°～+5°范围内的方向伸长的部分，所述掺杂剂扩散区域通过从设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.11 JP 2011-2473071.一种半导体装置，其特征在于，具备: 半导体基板、和 设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂剂扩散区域， 在所述半导体基板的所述表面形成有研磨粒痕， 所述掺杂剂扩散区域具有沿与所述研磨粒痕的伸长方向形成的角度在一 5°?+5°范围内的方向伸长的部分， 所述掺杂剂扩散区域通过从设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于， 所述掺杂剂扩散区域具有η型掺杂剂扩散区域及P型掺杂剂扩散区域的至少一方，还具备: 设置于所述η型掺杂剂扩散区域上的η型用电极、和 设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：舩越康志，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP