一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件。该陶瓷半导体器件是由导电下电极层、多铁陶瓷半导体和上电极薄膜层组成；其中所述的上下电极为Pt、Au或Al导电薄膜；所述的陶瓷半导体是Mg元素掺杂的BiFeO3陶瓷或缺氧的BiFeO3陶瓷。多铁陶瓷半导体采用改进的快速烧结技术合成，以高纯度Bi2O3、Fe2O3和掺杂氧化物为原料，充分混合后在特定的压强下压片成型；经过高温预烧结和快速烧结后，沉积上下电极薄膜层。本实用新型专利技术的多铁半导体器件具有优异的阈开关效应，利用受主离子在Fe位的掺杂，可以便利地调控阈值电压，并实现室温下低电场阈开关效应。本实用新型专利技术将对提高存储器件的设计灵活度具有重要的意义。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件本申请得到天津市自然科学基金(项目编号:11JCZDJC21800，11JCYBJC02700)、国家自然科学基金(项目编号:11004148，11104202)和教育部留学人员归国科研启动基金的资助。
本技术属于信息存储器件的
，涉及非挥发信息存储器件重要组成部分的开发研究工作，更具体的是一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件及其制备方法。
技术介绍
近年来随着便携式电子产品的增多，人民对非挥发存储器的需求急剧增加。相变存储器由于具有快速的读写速度、高密度存储能力以及能够和目前的CMOS工艺兼容等优点，被业界认为最有希望替代闪存(Flash memory)成为下一代非挥发存储器的主流存储技术。相变存储器工作原理是根基于非晶半导体(例如Ge2Sb2Te5)的结晶状态能在外界电压的调控下在非经态和晶态之间互相变换，从而表现出巨大的电阻态或电流的差异的变换。此类非晶半导体中的晶态变换的过程伴随着一类重要的物理现象-阈开关效应(Thresholdswitching, TS)。阈开关效应指的是在电流-电压的测试过程中，随着电压的增加至某本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件，包括导电下电极（1）、多铁半导体陶瓷层（2）、上电极薄膜层（3）；其特征在于多铁半导体陶瓷层（2）置于导电下电极（1）和上电极薄膜层（3）之间；其中导电下电极（1）为Pt、Au或Al导电薄膜中的一种；所述的多铁半导体陶瓷层（2）为缺氧的BiFeO3。

【技术特征摘要】
1.一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件，包括导电下电极(I)、多铁半导体陶瓷层(2)、上电极薄膜层(3);其特征在于多铁半导体陶瓷层(2)置于导电下电极(I)和上电极薄膜层(3)之间；其中导电下电极(I)为Pt、Au或Al导电薄膜中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王守宇，刘卫芳，席晓鹃，王海菊，王旭，郭峰，
申请(专利权)人：天津师范大学，
类型：新型
国别省市：天津;12