一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，包括：多个子测试结构；每个子测试结构包括底层金属层和设置于所述底层金属层两端上的金属通孔；所述子测试结构通过金属通孔顶部的顶层金属层与下一个子测试结构中的金属通孔连接，从而形成链式的WAT测试结构；其中，所述金属通孔与底层金属层部分重叠。本实用新型专利技术通过将金属通孔与底层金属层设置为部分重叠，当底层金属层由于过刻蚀发生形状改变时，金属通孔与底层金属层容易断开，使整个WAT测试结构短路，呈现高阻态，从而监测出底层金属层发生过刻蚀。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
—种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构
本技术涉及半导体测试
，特别是涉及一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构。
技术介绍
随着技术进步，集成电路制造工艺要求日益增高，且由于集成电路制造周期长，成本高，因此，提高制造工艺的制造效率及质量尤为重要。业界在集成电路制造过程中，通常在晶圆的各个集成电路芯片周边制造WAT结构，再在制造完成后对WAT结构进行检测，以对相应的制造工艺进行测试。如果在晶圆制造完成后对WAT结构进行电性检测等各类检测时，发现该WAT结构有短路、断路或漏电等失效情况，则通过对WAT结构进行失效性分析来分析失效发生的原因，以对工艺进行相应的调整和改进。晶体管工艺中需要接触孔(contact)和(via)作为器件的引出之用，接触孔和通孔是不同层之间的连接部分，接触孔在多晶硅或扩散层和金属之间，而通孔是在金属和金属之间。传统的WAT测试结构如图1所示，这种测试结构可以用来测试金属通孔的接触电阻，该结构是在底层金属层IA两端分别设置一个金属通孔2A，然后用顶层金属层3A和下一个单元连接，以链接的方式串联，之后通过在串联的两端施加电压测电流的方式，获得整个结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个子测试结构；每个子测试结构包括底层金属层和设置于所述底层金属层两端上的金属通孔；所述子测试结构通过金属通孔顶部的顶层金属层与下一个子测试结构中的金属通孔连接，从而形成链式的WAT测试结构；其中，所述金属通孔与底层金属层部分重叠。

【技术特征摘要】
1.一种监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个子测试结构；每个子测试结构包括底层金属层和设置于所述底层金属层两端上的金属通孔；所述子测试结构通过金属通孔顶部的顶层金属层与下一个子测试结构中的金属通孔连接，从而形成链式的WAT测试结构；其中，所述金属通孔与底层金属层部分重叠。2.根据权利要求1所述的监测金属层过刻金属蚀的WAT测试结构，其特征在于:所述金属通孔与底层金属层重叠的横向尺寸根据工艺节点的设计规则而定；当工艺节点为0.16 μ m时，重叠区域的横向尺寸设置为0.009 μ m ;当工艺节点为0.13 μ m时，重叠区域的横向尺寸设置为0.005 μ m。3.根据权利要求1所述的监测金属层过刻蚀的WAT测试结构，其特征在于:相邻子测试结构中，与同...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冠杰，张哲，杨媛，康静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11