一种电子器件包括：第一晶体管器件，具有第一接触元件；第二晶体管器件，具有第二接触元件；以及电连接部件，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。所述第一晶体管器件被设置在所述电连接部件的所述第一主面上，且所述第二晶体管器件设置在所述电连接部件的所述第二主面上。所述第一接触元件中的一个经由所述电连接部件的一部分与所述第二接触元件中的一个电连接。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种电子器件包括：第一晶体管器件，具有第一接触元件；第二晶体管器件，具有第二接触元件；以及电连接部件，具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。所述第一晶体管器件被设置在所述电连接部件的所述第一主面上，且所述第二晶体管器件设置在所述电连接部件的所述第二主面上。所述第一接触元件中的一个经由所述电连接部件的一部分与所述第二接触元件中的一个电连接。【专利说明】电子器件
本专利技术涉及一种电子器件和一种半桥电路。
技术介绍
在许多电子系统中，有必要采用如DC/DC转换器、AC/DC转换器、或DC/A转换器的转换器，以产生要由所述电子电路使用的电流和电压。降压(buck)转换器通常包括一个或多个半桥电路，每个半桥电路由两个半导体功率开关诸如功率MOSFET器件以及进一步的无源构件如电感和电容来提供。功率MOSFET器件的开关由控制半导体芯片来控制。降压转换器的构件可被提供为被安装在印刷电路板上的独立构件。可替换地，多个构件可以容纳在单个壳体中，以提供多芯片模块，也被称为系统级封装(SiP)，其具有简化在板上的模块的组装和减小板上所需的空间的优点。此外，存在越来越多的需求来利用不同于常规器件中采用的那些的半导体材料，以受益于它们的电子属性和改进的开关特性。【专利附图】【附图说明】附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分。【专利附图】【附图说明】了实施例并且连同说明书一起用于解释实施例的原理。其它实施例和实施例的许多预期优点将很容易理解，因为通过参考下面的详细描述它们变得更好理解。附图中的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相似的附图标记表示对应的类似部件。图1A-1H示出用于说明电子器件和其组装的示例的示意性表示，其中，所述电子器件包括具有在一个主面上的接触焊盘的两个半导体管芯； 图2A-2C示出用于说明电子器件和其组装的示例的示意性表示，其中，所述电子器件包括具有在其两个主面上的接触焊盘的第一半导体管芯和具有在其一个主面上的接触焊盘的第二半导体管芯；和 图3A和图3B示出用于说明包括采用层压包装形式的两个晶体管器件的电子器件的示例的示意性表示。【具体实施方式】方面和实施例现在参考附图来描述，其中各处相似的附图标记通常用于指代相似的元件。在下面的描述中，为了解释的目的，许多具体的细节被阐述以便提供对实施例的一个或多个方面的彻底理解。然而，对本领域技术人员可能明白，实施例的一个或多个方面可以用程度较小的具体细节来实现。在其他实例中，已知的结构和元件以示意性的形式示出，以便于描述实施例的一个或多个方面。应当理解的是，在不脱离本专利技术的范围的情况下其他实施例可以被利用且结构或逻辑上的改变可以被作出。还应当指出的是，附图不是按比例绘制或不一定按比例绘制。 此外，虽然实施例的特定特征或方面可以仅关于若干实现中的一种来公开，该特征或方面可以与其他实现的一个或多个其它特征或方面进行组合，如对于任何给定或特定的应用来说可能期望和有利的。此外，就在详细的说明书和权利要求书中使用术语“包括”、“具有”、“带有”或其他变体而言，这样的术语旨在以与术语“包含”类似的方式是包含性的。可以使用术语“耦合”和“连接”，连同衍生词。应当理解，这些术语可以用来表示两个元件彼此协作或交互，不管它们是直接物理或电接触，还是它们不彼此直接接触。此外，术语“示例性”仅意味着作为示例，而非最好或最佳的。因此，下面的详细说明不应被视为具有限制意义，并且本专利技术的范围由所附的权利要求限定。电子器件和半桥电路的实施例可以使用不同类型的晶体管器件。实施例可使用表征为半导体管芯或者半导体芯片的晶体管器件，其中，所述半导体管芯或半导体芯片可以如下形式来提供:如从半导体晶片制造和从半导体晶片切割出的半导体材料的块的形式；或另一种形式，其中，已经执行了进一步的工艺步骤，如例如，对半导体管芯或半导体芯片施加封装层。实施例也可以使用包括MOS晶体管结构或IGBT (绝缘栅双极晶体管)结构的晶体管器件，其中，那些结构可以如下形式提供:其中，晶体管器件的接触元件提供在半导体管芯的主面之一上(水平晶体管结构)；或其中，至少一个电接触元件被布置在所述半导体管芯的第一主面上，且至少一个其它电接触元件被布置在所述半导体管芯的与所述主面相对的第二主面上(垂直晶体管结构)。在任何情况下，半导体管芯或半导体芯片可以包括在它们的外表面中的一个或多个上的接触元件或接触焊盘，其中，所述接触元件用于电接触半导体管芯。接触元件可以具有任何所期望的形式或形状。它们可以例如具有岸面的形式，即在所述半导体管芯的外表面上的平坦的接触层。接触元件或接触焊盘可由任何导电材料制成，例如由金属如铝、金或铜，例如或由金属合金，或由导电有机材料，或者由导电半导体材料，来制成。接触元件也可以形成为上述材料中的一种或多种的叠层。 根据电子器件或半桥电路的实施例，期望的是提供用于嵌入半导体管芯的包装。根据其实施例，电子器件可以符合单列直插式包装(SIP)格式。附加或与此独立地，电子器件可以包括包装，该包装的外部引线布置为使得该包装类似于TO (晶体管外形)型包装，如T0-220包装。根据所述电子器件或半桥电路的实施例，多条引线被提供作为外引线，从而使电子器件可以被安装到如印刷电路板(PCB)的板。电子器件的实施例或晶体管器件的实施例可以包括使得半导体管芯或晶体管器件嵌入其中的封装的或封装材料。封装材料可以是任何电绝缘材料，如例如，任何种类的成型材料，任何种类的树脂材料，或任何种类的环氧材料。该封装材料也可以是聚合物材料，聚酰亚胺材料，热塑性材料，有机硅材料，陶瓷材料，和玻璃材料。该封装材料还可以包括任何上述材料，并且进一步包括嵌入其中的填充材料，如例如导热添加物(increment)。这些填充添加物可由例如AlO或Al2O3, AIN, BN,或SiN制成。图1A-1H示出了电子器件和其组装的示例。电子器件10，如例如在图1A-1H中所示，包括:包括第一接触元件1A、1B和IC的第一晶体管器件I ;包括第二接触元件2A、2B和2C的第二晶体管器件2 ;以及，电连接部件3，包括第一主面3A和与第一主面3A相对的第二主面3B (见图1H)。第一晶体管器件I被设置在电连接部件3的第一主面3A上，而第二晶体管器件设置在电连接部件3的第二主面3B上(见图1H)。所述第一晶体管器件的接触元件IC经由电连接部件3的部分3.1与所述第二晶体管器件2的所述接触元件2A电连接。根据如图1A-1H所示的电子器件10的实施例，第一和第二晶体管器件I和2两者均为水平晶体管结构的类型，即，第一和第二接触元件IA-C和2A-C被分别设置在所述晶体管器件I和2的主面之一上。特别地，如示于图1A-1H中，接触元件IA是源极接触元件，接触元件IB是栅极接触元件，且接触元件IC是第一半导体器件I的漏极接触元件。以相同的方式，接触元件2A是源极接触元件,接触元件2B是栅极接触元件,且接触元件2C是第二晶体管器件2的漏极接触元件。图1H示出了沿图1G的线A-A的、电子器件10的侧面剖视图表示。根据图1A-1H的电子器件10的实施例，第一和第二晶体管器件I和2中的一个或多个包括II1-V半导体材料，特别本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子器件，包括：第一晶体管器件，包括第一接触元件；第二晶体管器件，包括第二接触元件；以及电连接部件，包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面；其中，所述第一晶体管器件被设置在所述电连接部件的所述第一主面上，且所述第二晶体管器件设置在所述电连接部件的所述第二主面上；并且其中，所述第一接触元件中的一个经由所述电连接部件的一部分与所述第二接触元件中的一个电连接。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：K侯赛因，F卡尔曼，J马勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
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