一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片和晶体管芯片，恒流二极管芯片和晶体管芯片通过引线框架封装在同一个模块当中，其中，恒流二极管芯片的电流输出端与晶体管芯片的基极相连，所述晶体管芯片的发射极连接引线框架的引脚，引脚构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片的另一端和晶体管芯片的集电极分别与引线框架的载片区相连接，并从引线框架引脚引出，引线框架引脚构成整个恒流二极管模块的另一端。本发明专利技术采用晶体管的电流放大特性，可以大幅度提高恒流二极管的电流输出性能，实现大电流恒流输出。且晶体管价格便宜，双芯片封装模块成本较两个芯片分别封装价格优势明显，另外可以简化电路设计，降低成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片和晶体管芯片，恒流二极管芯片和晶体管芯片通过引线框架封装在同一个模块当中，其中，恒流二极管芯片的电流输出端与晶体管芯片的基极相连，所述晶体管芯片的发射极连接引线框架的引脚，引脚构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片的另一端和晶体管芯片的集电极分别与引线框架的载片区相连接，并从引线框架引脚引出，引线框架引脚构成整个恒流二极管模块的另一端。本专利技术采用晶体管的电流放大特性，可以大幅度提高恒流二极管的电流输出性能，实现大电流恒流输出。且晶体管价格便宜，双芯片封装模块成本较两个芯片分别封装价格优势明显，另外可以简化电路设计，降低成本。【专利说明】一种恒流二极管模块
本专利技术涉及一种恒流二极管。特别是涉及一种能够实现恒流二极管的扩流功能的恒流二极管模块。
技术介绍
恒流二极管是近年来问世的半导体恒流器件，在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。在目前阶段，恒流二极管的输出电流在几毫安到几十毫安之间，可以直接驱动负载，实现简化电路结构，缩小体积，提高器件可靠性的目的。但随着负载功率的不断提高，对恒流二极管的输出电流能力要求也不断提高，比较简单的方式是将几个恒流二极管并联起来，但这种方法的成本很高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种具有大电流输出的恒流二极管模块。本专利技术所采用的技术方案是:一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片和晶体管芯片，所述的恒流二极管芯片和晶体管芯片通过引线框架封装在同一个模块当中，其中，所述的恒流二极管芯片的电流输出端与所述的晶体管芯片的基极相连，所述晶体管芯片的发射极连接引线框架的引脚，所述的引脚构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片的另一端和晶体管芯片的集电极分别与引线框架的载片区相连接，并从引线框架引脚引出，所述的引线框架引脚构成整个恒流二极管模块的另一端。当所述的晶体管芯片是NPN晶体管芯片时，所述的恒流二极管芯片的阴极端通过金属丝以键合的方式与所述的晶体管芯片的基极相连，所述晶体管芯片的发射极通过金属丝以键合的方式连接引线框架的引脚，所述的引脚构成整个恒流二极管模块的负极端，所述恒流二极管芯片的阳极端和晶体管芯片的集电极分别与引线框架的载片区相连接，并从引线框架引脚引出，所述的引线框架引脚构成整个恒流二极管模块的正极端。当所述的晶体管芯片是PNP晶体管芯片时，所述的恒流二极管芯片的阳极端通过金属丝以键合的方式与所述的晶体管芯片的基极相连，所述晶体管芯片的发射极通过金属丝以键合的方式连接引线框架的引脚，所述的引脚构成整个恒流二极管模块的正极端，所述恒流二极管芯片的阴极端和晶体管芯片的集电极分别与引线框架的载片区相连接，并从引线框架引脚引出，所述的引线框架引脚构成整个恒流二极管模块的负极端。本专利技术的一种恒流二极管模块，采用晶体管的电流放大特性，可以大幅度提高恒流二极管的电流输出性能，实现大电流恒流输出。且晶体管价格便宜，双芯片封装模块成本较两个芯片分别封装价格优势明显，另外可以简化电路设计，降低成本。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术一种恒流二极管模块的封装结构示意图。图中1:引线框架 2:载片区3:恒流二极管芯片4:晶体管芯片5:基极6:发射极7:金属丝 8:引线框架引脚9:引脚【具体实施方式】下面结合实施例和附图对本专利技术的一种恒流二极管模块做出详细说明。本专利技术的一种恒流二极管模块，是一种双芯片封装的模块，所述的双芯片包括一个恒流二极管和一个晶体管，两个彼此分离的芯片封装在同一塑封体内，通过晶体管的电流放大特性实现恒流二极管大电流输出性能。如图1所示，本专利技术的一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片3和晶体管芯片4，其特征在于，所述的恒流二极管芯片3和晶体管芯片4通过引线框架I封装在同一个模块当中，其中，所述的恒流二极管芯片3的电流输出端与所述的晶体管芯片4的基极相连，所述晶体管芯片4的发射极连接引线框架I的引脚9，所述的引脚9构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片3的另一端和晶体管芯片4的集电极分别与引线框架I的载片区2相连接，并从引线框架引脚8引出，所述的引线框架引脚8构成整个恒流二极管模块的另一端。当所述的晶体管芯片4是NPN晶体管芯片时，所述的恒流二极管芯片3的阴极端通过金属丝7以键合的方式与所述的晶体管芯片4的基极5相连，所述晶体管芯片4的发射极6通过金属丝7以键合的方式连接引线框架I的引脚9，所述的引脚9构成整个恒流二极管模块的负极端，所述恒流二极管芯片3的阳极端和晶体管芯片4的集电极分别与引线框架I的载片区2相连接，并从引线框架引脚8引出，所述的引线框架引脚8构成整个恒流二极管模块的正极端。即晶体管芯片4是NPN晶体管芯片时，恒流二极管芯片3的电流可以看作NPN晶体管4的基极电流，假设该电流值为Ihl，NPN晶体管4发射极电流放大系数为hFE，则经过放大后的晶体管4的发射极电流Ih2由以下公式得出:Ih2 — (hFE+l) Ihl ^ hFEIhlIh2即整个恒流二极管模块的输出电流。当所述的晶体管芯片4是PNP晶体管芯片时，所述的恒流二极管芯片3的阳极端通过金属丝7以键合的方式与所述的晶体管芯片4的基极5相连，所述晶体管芯片4的发射极6通过金属丝7以键合的方式连接引线框架I的引脚9，所述的引脚9构成整个恒流二极管模块的正极端，所述恒流二极管芯片3的阴极端和晶体管芯片4的集电极分别与引线框架I的载片区2相连接，并从引线框架引脚8引出，所述的引线框架引脚8构成整个恒流二极管模块的负极端。即晶体管芯片4是PNP晶体管芯片时，恒流二极管芯片3的电流可以看作PNP晶体管4的基极电流，假设该电流值为Ihl，PNP晶体管4发射极电流放大系数为hFE，则经过放大后的晶体管4的发射极电流Ih2由以下公式得出:Ih2 — (hFE+l) Ihl ^ hFEIhlIh2即整个恒流二极管模块的输出电流。【权利要求】1.一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片(3)和晶体管芯片(4)，其特征在于，所述的恒流二极管芯片(3)和晶体管芯片(4)通过引线框架(1)封装在同一个模块当中，其中，所述的恒流二极管芯片(3)的电流输出端与所述的晶体管芯片(4)的基极相连，所述晶体管芯片(4)的发射极连接引线框架(1)的引脚(9)，所述的引脚(9)构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片(3)的另一端和晶体管芯片(4)的集电极分别与引线框架⑴的载片区⑵相连接，并从引线框架引脚⑶引出，所述的引线框架引脚⑶构成整个恒流二极管模块的另一端。2.根据权利要求1所述的一种恒流二极管模块，其特征在于，当所述的晶体管芯片(4)是NPN晶体管芯片时，所述的恒流二极管芯片(3)的阴极端通过金属丝(7)以键合的方式与所述的晶体管芯片(4)的基极(5)相连，所述晶体管芯片(4)的发射极(6)通过金属丝(7)以键合的方式连接引线框架⑴的引脚(9)，所述的引脚(9)构成整个恒流二极管模块的负极端，所述恒流二极管芯片(3)的阳极端和晶体管芯片(4)的集电极分别与引线框架(I)的载片区⑵本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种恒流二极管模块，包括有恒流二极管芯片(3)和晶体管芯片(4)，其特征在于，所述的恒流二极管芯片(3)和晶体管芯片(4)通过引线框架(1)封装在同一个模块当中，其中，所述的恒流二极管芯片(3)的电流输出端与所述的晶体管芯片(4)的基极相连，所述晶体管芯片(4)的发射极连接引线框架(1)的引脚(9)，所述的引脚(9)构成整个恒流二极管模块的一端，所述恒流二极管芯片(3)的另一端和晶体管芯片(4)的集电极分别与引线框架(1)的载片区(2)相连接，并从引线框架引脚(8)引出，所述的引线框架引脚(8)构成整个恒流二极管模块的另一端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖步文，
申请(专利权)人：无锡信荣电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。