【技术实现步骤摘要】
一种多场效晶体管集成模块
本技术属于场效晶体管
，具体为一种多场效晶体管集成模块。
技术介绍
在电机驱动领域，需要将金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)组成的六个桥臂连接成三相全桥方式用于驱动电机。多金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)合一集成化模块的散热器对整个模块的稳定工作所起着非常重要的作用。但是现有技术中，由于多MOSFET合一集成化模块的机箱内空间是一定的，有限的机箱内空间在很大程度上限制了散热器的尺寸，在散热器尺寸保持不变的情况下，想要提高散热器的散热效果则变得非常困难。目前多MOSFET合一集成化模块，所广泛采用的结构是将敷铜陶瓷板焊接于铜底板上，也就是将敷铜陶瓷板通过焊片在高温环境下焊接在铜底板上。通过设置于敷铜陶瓷板外部的外壳将敷铜陶瓷板压紧并对其施加压力，从而将铜底板固定于散热器上，最终将多MOSFET合一集成化模块在工作时产生的热量散发出去。在这种现有的多MOSFET合一集成化模块中，芯片所产生的热量首先通过敷铜陶瓷板和铜底板之间的焊料传导到铜底板上，然后再通过铜底板间接地将热量传导到散热器上，最终通过散热器散发出去。热传导过程中存在较多的介质(即焊料与铜底板)，不利于热量的直接耗散，大大影响了多MOSFET合一集成化模块产品的散热效果，从而降低了产品的可靠性、稳定性和安全性。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本技术的目的在于设计提供一种散热效果好的多场效晶体管集成模块的技术方案，保证了产品的可靠性、稳定性和安全性，且降低了材料成本，减少了产品厚度，从而减少了产品所占空间。所述的一种多场效晶体管集成模块，...
【技术保护点】
一种多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管（1）、敷铜陶瓷板（2）、散热器（3），金属氧化物半导体场效应管（1）安装在敷铜陶瓷板（2）上，其特征在于敷铜陶瓷板（2）、散热器（3）之间配合设置导热硅脂层（4），所述的导热硅脂层（4）厚度为50‑150um。
【技术特征摘要】
1.一种多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管(I)、敷铜陶瓷板(2)、散热器(3)，金属氧化物半导体场效应管(I)安装在敷铜陶瓷板(2)上，其特征在于敷铜陶瓷板(2)、散热器(3)之间配合设置导热硅脂层(4)，所述的导热硅脂层(4)厚度为50_150um。2.如权利要求1所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于金属氧化物半导体场效应管(I)、敷铜陶瓷板(2)及散热器(3)外部配合设置外壳，外壳将敷铜陶瓷...
【专利技术属性】
技术研发人员：周华丰，张文华，马关金，
申请(专利权)人：杭州明果教育咨询有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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