一种多场效晶体管集成模块，属于场效晶体管技术领域。包括一组金属氧化物半导体场效应管、敷铜陶瓷板、散热器，金属氧化物半导体场效应管安装在敷铜陶瓷板上，其特征在于敷铜陶瓷板、散热器之间配合设置导热硅脂层，所述的导热硅脂层厚度为50-150um。上述一种多场效晶体管集成模块，敷铜陶瓷板与散热器之间设置导热硅脂层，可将多场效晶体管模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；同时，节省了现有多场效晶体管模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了产品的厚度，从而减少了产品所占空间。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种多场效晶体管集成模块，属于场效晶体管
。包括一组金属氧化物半导体场效应管、敷铜陶瓷板、散热器，金属氧化物半导体场效应管安装在敷铜陶瓷板上，其特征在于敷铜陶瓷板、散热器之间配合设置导热硅脂层，所述的导热硅脂层厚度为50-150um。上述一种多场效晶体管集成模块，敷铜陶瓷板与散热器之间设置导热硅脂层，可将多场效晶体管模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；同时，节省了现有多场效晶体管模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了产品的厚度，从而减少了产品所占空间。【专利说明】一种多场效晶体管集成模块
本专利技术属于场效晶体管
，具体为一种多场效晶体管集成模块。
技术介绍
在电机驱动领域，需要将金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)组成的六个桥臂连接成三相全桥方式用于驱动电机。多金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)合一集成化模块的散热器对整个模块的稳定工作所起着非常重要的作用。但是现有技术中，由于多MOSFET合一集成化模块的机箱内空间是一定的，有限的机箱内空间在很大程度上限制了散热器的尺寸，在散热器尺寸保持不变的情况下，想要提高散热器的散热效果则变得非常困难。目前多MOSFET合一集成化模块，所广泛采用的结构是将敷铜陶瓷板焊接于铜底板上，也就是将敷铜陶瓷板通过焊片在高温环境下焊接在铜底板上。通过设置于敷铜陶瓷板外部的外壳将敷铜陶瓷板压紧并对其施加压力，从而将铜底板固定于散热器上，最终将多MOSFET合一集成化模块在工作时产生的热量散发出去。在这种现有的多MOSFET合一集成化模块中，芯片所产生的热量首先通过敷铜陶瓷板和铜底板之间的焊料传导到铜底板上，然后再通过铜底板间接地将热量传导到散热器上，最终通过散热器散发出去。热传导过程中存在较多的介质(即焊料与铜底板)，不利于热量的直接耗散，大大影响了多MOSFET合一集成化模块产品的散热效果，从而降低了产品的可靠性、稳定性和安全性。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于设计提供一种散热效果好的多场效晶体管集成模块的技术方案，保证了产品的可靠性、稳定性和安全性，且降低了材料成本，减少了产品厚度，从而减少了产品所占空间。所述的一种多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管、敷铜陶瓷板、散热器，金属氧化物半导体场效应管安装在敷铜陶瓷板上，其特征在于敷铜陶瓷板、散热器之间配合设置导热硅脂层，所述的导热硅脂层厚度为50-150um。所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于金属氧化物半导体场效应管、敷铜陶瓷板及散热器外部配合设置外壳，外壳将敷铜陶瓷板、散热器紧压配合。所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层均匀涂敷在敷铜陶瓷板底面上，敷铜陶瓷板紧压导热硅脂层使其与散热器接触面紧密接触。所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层厚度为80_120um。所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层厚度为lOO-llOum。上述一种多场效晶体管集成模块，敷铜陶瓷板与散热器之间设置导热硅脂层，可将多场效晶体管模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；同时，节省了现有多场效晶体管模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了产品的厚度，从而减少了产品所占空间。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图；图中:1-金属氧化物半导体场效应管、2-敷铜陶瓷板、3-散热器、4-导热硅脂层。【具体实施方式】以下结合说明书附图对本专利技术作进一步说明。如图所示，该多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管1、敷铜陶瓷板2、散热器3，金属氧化物半导体场效应管I安装在敷铜陶瓷板2上，敷铜陶瓷板2、散热器3之间配合设置导热硅脂层4。所述的导热硅脂层4厚度为50-150um，优选80-120um，更优选lOO-llOum。金属氧化物半导体场效应管1、敷铜陶瓷板2及散热器3外部配合设置外壳，外壳对敷铜陶瓷板2施加纵向压力，从而将敷铜陶瓷板2紧紧地压在散热器3上。所述的导热硅脂层4均匀涂敷在敷铜陶瓷板2底面上，敷铜陶瓷板2紧压导热硅脂层4使其与散热器3接触面紧密接触。导热硅脂能起到良好的传热媒介作用，因此，可将多MOSFET集成模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；而且通过采用导热硅脂涂覆于敷铜陶瓷板2上与散热器3接触，导热硅脂可以填充由于散热器3凹凸不平而产生的空隙，使敷铜陶瓷板2与散热器3的接触更加紧密，从而使热量的传导更加顺畅、迅速；同时，节省了现有模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了模块产品的厚度，从而减少了产品所占空间，尤其当多MOSFET集成模块的空间布局确定的条件下，效果尤为显著。【权利要求】1.一种多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管(I)、敷铜陶瓷板(2)、散热器(3)，金属氧化物半导体场效应管(I)安装在敷铜陶瓷板(2)上，其特征在于敷铜陶瓷板(2)、散热器(3)之间配合设置导热硅脂层(4)，所述的导热硅脂层(4)厚度为50_150um。2.如权利要求1所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于金属氧化物半导体场效应管(I)、敷铜陶瓷板(2)及散热器(3)外部配合设置外壳，外壳将敷铜陶瓷板(2)、散热器(3)紧压配合。3.如权利要求1所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层(4)均匀涂敷在敷铜陶瓷板(2)底面上，敷铜陶瓷板(2)紧压导热硅脂层(4)使其与散热器(3)接触面紧密接触。4.如权利要求1所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层(4)厚度为80-120um。5.如权利要求1所述的一种多场效晶体管集成模块，其特征在于所述的导热硅脂层(4)厚度为 IOO-1lOum0【文档编号】H01L23/373GK103824846SQ201410092032【公开日】2014年5月28日 申请日期:2014年3月13日 优先权日:2014年3月13日 【专利技术者】周华丰, 张文华, 马关金 申请人:杭州明果教育咨询有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多场效晶体管集成模块，包括一组金属氧化物半导体场效应管（1）、敷铜陶瓷板（2）、散热器（3），金属氧化物半导体场效应管（1）安装在敷铜陶瓷板（2）上，其特征在于敷铜陶瓷板（2）、散热器（3）之间配合设置导热硅脂层（4），所述的导热硅脂层（4）厚度为50?150um。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周华丰，张文华，马关金，
申请(专利权)人：杭州明果教育咨询有限公司，
类型：发明
国别省市：
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