一种恒流二极管制造技术

本实用新型专利技术公开一种恒流二极管，该二极管依次包括第一金属电极，半导体衬底，形成在半导体衬底上的第一导电类型的半导体外延层，该外延层中第二导电类型的同心的掺杂圆形区和多个掺杂环形区，掺杂圆形区和各掺杂环形区与其间的外延层形成有源区，以及外延层中形成在有源区之外包括场限环和切断环的终端结构。该二极管进一步包括依次形成在有源区和切断环上的金属硅化物层；金属硅化物层上的第二金属电极和金属等位环；以及绝缘层。在该恒流二极管中，通过多个环状垂直沟道中电流的叠加，最终得到较大的恒定电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种恒流二极管，该二极管依次包括第一金属电极(701)，半导体衬底(702)，形成在半导体衬底(702)上的第一导电类型的半导体外延层(703)，其特征在于，该外延层(703)的上部区域中形成具有第二导电类型的同心的掺杂圆形区(715)和多个掺杂环形区(705)，第二导电类型不同于第一导电类型，所述掺杂圆形区(715)和各掺杂环形区(705)与其间第一导电类型的外延层(703)形成有源区，以及外延层中形成在有源区之外包括场限环(710)和切断环(711)的终端结构，该二极管进一步包括，依次形成在所述有源区和切断环上的金属硅化物层(707)；所述金属硅化物层上位于有源区上方的第二金属电极(708)和位于切断环上方的金属等位环(713)；以及形成在外延层上方、所述金属硅化物层及其上的第二金属电极和金属等位环之外区域上的绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘肃，柴彦科，高桦，韦仕贡，张欣慰，谭稀，邓恒，
申请(专利权)人：北京燕东微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11