一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。本实用新型专利技术采用底板和盖板组合形成载板，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免因绕镀造成的电池片短路问题。

【技术实现步骤摘要】
—种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板
本技术涉及到太阳能电池片制造的
，特别涉及到一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板。
技术介绍
异质结太阳能电池片结合了非晶硅和单晶硅的特性，具有低温制备工艺，转换效率高，高温特性优异等特点。异质结太阳能电池的结构特征是以光照射侧的P-型非晶硅和背面侧的N-型非晶硅夹住N型单晶硅片，在两侧的顶层形成透明的电极，具有对称性。当单晶硅为P型时，其光照射侧为N-型非晶硅。利用掺杂薄膜硅层在晶硅衬底上制作异质PN结，高质量薄膜非晶硅使单晶硅表面得到很好的钝化，进而得到较高的开路电压。当非晶硅薄膜在硅片正反两边依次形成之后，下一步是通过PVD溅射的方法在正反两边依次沉积一层透明的导电氧化物层。导电透明氧化物层一般是用透过率高，导电性好的ITO材料，或其他元素掺杂的氧化铟。正反两边沉积完导电氧化物后，当用电镀法在导电氧化物表面制作金属栅线时，首先要在导电氧化物表面同样用PVD溅射的方法沉积金属叠层，金属叠层包括一层阻挡层与一层种子层。阻挡层一般可用Ti系列金属或Ta系列金属以防止铜在导电氧化物中的扩散，种子层为铜种子层。金属叠层可以解决电镀铜与导电氧化物的粘合力问题。但在采用PVD溅射法沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，容易绕镀到硅片边缘引起电池片的短路。因此，如何在硅片上沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时实现导电氧化物 层、阻挡层、种子层在硅片边缘的隔离，避免因绕镀引起的短路，是在制作高效能太阳能电池片时必须要解决的一个问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，由底板和盖板组合，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免短路。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案:一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为中间镂空的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。其中，所述底板边框上上至少有两个定位插脚，所述盖板的定位框上至少有两个定位孔，所述定位插脚与定位孔相对应。其中，所述底板的凹槽托板中间为镂空的。其中，所述载板可由AXB的多个载板拼接而成，其中A≥1，B≥1。本技术采用以上技术方案，采用底板和盖板组合形成载板，在硅片正反面沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，硅片边缘由盖板的定位框遮掩，使沉积的导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘形成隔离，避免短路。【附图说明】图1为本技术底板的结构示意图。图2为本技术盖板的结构示意图。图3为本技术底板和盖板组合过程的示意图。图4为本技术载板组合完成的结构示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的、特征和优点更加的清晰，以下结合附图及实施例，对本技术的【具体实施方式】做出更为详细的说明，在下面的描述中，阐述了很多具体的细节以便于充分的理解本技术，但是本技术能够以很多不同于描述的其他方式来实施。因此，本技术不受以下公开的具体实施的限制。一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，如图1、图2所示，载板由底板和盖板组合而成，所述底板为带有边框101的凹槽托板10，所述凹槽托板10用于装载硅片00，所述边框101上至少有两个定位插脚102，其中凹槽托板10的中间可以是镂空的，能节省一定的设备成本，也能更好的定位硅片00 ;所述盖板与底板相匹配，为带有中间镂空槽201的定位框20，用于固定硅片00，所述定位框20上至少有两个与定位插脚102相对应的定位孔202,用于固定载板。如图3、图4所示，将硅片00正面朝上装载于凹槽托板10上，用相对应的定位插脚102和定位孔202固定底板和盖板，组合完成载板。硅片00正面边缘部分被定位框20遮掩，硅片00正面中间部分通过盖板的中间镂空槽201暴露出来，采用PVD溅射在硅片00正面依次沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层，硅片00正面边缘部分被定位框20遮掩，没有沉积到导电氧化物层、阻挡层、种子层；硅片00正面完成沉积后，依照上述步骤在硅片00的反面依次沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层，同样硅片00反面边缘部分被定位框20遮掩，没有沉积到导电氧化物层、阻挡层、种子层，实现导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片00边缘部分形成隔离，避免了因绕镀引起的短路问题。在大规模批量生产中，所述载板可由AXB的多个载板拼接而成，其中A > 1，B > I。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。

【技术特征摘要】
1.一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述载板由底板和盖板组合；所述底板为带有边框的凹槽托板；所述凹槽托板用于承载硅片；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框；所述凹槽托板承载的硅片边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。2.根据权利要求1所述的一种制作太阳能电池片时用于硅片沉积的载板，其特征在于，所述底板边...

【专利技术属性】
技术研发人员：林朝晖，王树林，乔学明，于莉莉，
申请(专利权)人：泉州市博泰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35