发光器件封装件制造技术

技术编号:10367186 阅读:139 留言:0更新日期:2014-08-28 11:05
本申请涉及一种发光器件封装件。所述发光器件封装件包括其中形成有过孔的封装件衬底。电极层在穿过所述过孔之后延伸至封装件衬底的两个表面。发光器件布置在封装件衬底上并连接至电极层。荧光膜包括填充过孔的内部空间的至少一部分的第一部分和覆盖发光器件的至少一部分的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2013年2月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2013-0019376的优先权,该申请的公开内容全文以引用方式并入本文。
本专利技术涉及一种发光器件封装件,并且更具体地说,涉及一种包括其中形成有过孔的封装件衬底的发光器件封装件。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种通过化合物半导体的PN结将电信号转换为光的半导体发光器件。随着LED的使用领域延伸至诸如室内和室外照明、汽车前灯、显示装置的背光单元(BLU)、医疗装置等多种领域,需要这样一种LED封装件,其具有低的单位制造成本,并确保产品的可靠性和长期稳定性。近来,为了提高LED封装件的集成化程度并减小形状因数(form factor),已尝试利用穿过穿透封装件衬底的过孔形成的竖直电极来外部电连接LED芯片。然而,穿透封装件衬底的过孔会为LED封装过程中所用的材料提供不期望的路径,因此,过孔可变为LED封装件或制造设施的污染起因。
技术实现思路
本专利技术提供了一种发光器件,其所具有的结构可防止污物运动通过穿透封装件衬底的过孔。根据本专利技术的一方面,提供了一种发光本文档来自技高网...
发光器件封装件

【技术保护点】
一种发光器件封装件,包括:封装件衬底,其中形成有过孔;电极层,其穿过所述过孔并沿着所述封装件衬底的两个表面延伸;发光器件,其布置在所述封装件衬底上并连接至所述电极层;以及荧光膜,其包括:第一部分,其填充所述过孔的内部空间的至少一部分,以及第二部分,其覆盖所述发光器件的至少一部分。

【技术特征摘要】
2013.02.22 KR 10-2013-00193761.一种发光器件封装件,包括: 封装件衬底,其中形成有过孔; 电极层,其穿过所述过孔并沿着所述封装件衬底的两个表面延伸; 发光器件,其布置在所述封装件衬底上并连接至所述电极层;以及 荧光膜,其包括: 第一部分,其填充所述过孔的内部空间的至少一部分,以及 第二部分,其覆盖所述发光器件的至少一部分。2.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述荧光膜从所述第一部分一体地连接至所述第二部分。3.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述荧光膜的第一部分位于在所述过孔的内侧阻挡所述过孔的入口的位置处。4.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括: 透镜单元,其覆盖所述发光器件和所述过孔, 其中,所述透镜单元包括突出至所述过孔的内侧并覆盖所述荧光膜的第一部分的局部突起单元。5.根据权利要求1 所述的发光器件封装件,其中,所述荧光膜包括: 第一体积百分比的磷光体, 第二体积百分比的聚合物树脂,所述第二体积百分比大于所述第一体积百分比,以及 第三体积百分比的填充剂粒子,所述第三体积百分比小于所述第一体积百分比。6.根据权利要求5所述的发光器件封装件,其中,所述填充剂粒子由Ti02、SiO2,Al2O3和AlN中的至少一种形成。7.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述封装件衬底具有在其中布置所述发光器件的安装表面以及与所述安装表面相对的背面,并且 其中,所述过孔位于所述背面的入口小于所述过孔位于所述安装表面的入口。8.根据权利要求7所述的发光器件封装件,其中,所述封装件衬底包括限制所述过孔的倾斜侧壁。9.根据权利要求8所述的发光器件封装件,其中,所述倾斜侧壁从所述安装表面朝着所述背面聚拢。10.根据权利要求1所述的发光器件封装件,其中,所述发光器件布置在不与所述过孔重叠的位置处。11.根据权利要求1所述的发光器件封装件,还包括: 反射膜,其在所述发光器件和所述荧光膜之间的空间中覆盖所述发光器件的侧壁。12.一种发光器件封装件,包括: 封装件衬底,其包括安装表面、与所述安装表面相对的背面以及第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和第二过孔分别由从所述安装表面延伸至所述背面的倾斜侧壁限定; 第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员:李相炫甘东爀龙戡翰洪镇基黄圣德
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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