半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体发光装置，其特征在于，具备：层叠结构体，其包含发光层、第1包覆层以及第2包覆层；第1电极，其与上述第1包覆层连接；第2电极，其与上述第2包覆层连接；以及第3电极，其与上述第2包覆层连接，上述层叠结构体具有光波导，上述光波导包括：直线波导部，其沿相对于上述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，且从光射出部延伸；以及曲线波导部，其包含具备具有曲率的形状的曲线波导，注入到上述直线波导部的电流密度比注入到上述曲线波导部的电流密度大。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪
本专利技术涉及半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪。
技术介绍
超福射发光二极管(Super Luminescent Diode,以下也称为“SLD”)是与普通的发光二极管同样显示出非相干性，并且显示出宽带的频谱形状，并且在光输出特性中与半导体激光器同样能够以单一的元件得到数百mW左右的输出的半导体发光装置。SLD例如被使用作投影仪的光源。为了实现小型、高亮度的投影仪，需要提高光源的发光效率以及减少光学系统的损失、部件数的减少等。通过使用SLD作为光源，能够减少颜色分离光学系统所需要的二向色镜、半导体激光器的安全性的确保以及斑点噪声的降低所需要的旋转扩散板。例如，专利文献I公开了具有具备了直线波导部和曲线波导部的光波导的SLD。专利文献1:日本特开2012 - 43950号公报然而，在上述那样的SLD中，在活性层内传导的光朝向光射出部侧(反射率较小的侦D呈指数函数地被放大。因此，在光射出部侧，相对于光，载流子相对来说变得不足。由此，存在产生增益饱和，光输出降低的情况。
技术实现思路
本专利技术的几个方式所涉及的目的之一在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，其特征在于，具备：层叠结构体，其包括发光层以及夹着所述发光层的第1包覆层和第2包覆层；第1电极，其与所述第1包覆层电连接；第2电极，其与所述第2包覆层电连接；以及第3电极，其与所述第2包覆层电连接，且配置于与配置了所述第2电极的位置不同的位置，所述层叠结构体具有光波导，所述光波导包括：直线波导部，其沿着相对于所述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，从设置于所述层叠结构体的前端面的光射出部延伸；以及曲线波导部，其与所述直线波导部连接，并且包含具备具有曲率的形状的曲线波导，注入到位于所述第1电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第1电极与所述第3电极之...

【技术特征摘要】
2013.02.27 JP 2013-0367711.一种半导体发光装置，其特征在于，具备: 层叠结构体，其包括发光层以及夹着所述发光层的第I包覆层和第2包覆层； 第I电极，其与所述第I包覆层电连接； 第2电极，其与所述第2包覆层电连接；以及 第3电极，其与所述第2包覆层电连接，且配置于与配置了所述第2电极的位置不同的位置， 所述层叠结构体具有光波导， 所述光波导包括: 直线波导部，其沿着相对于所述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，从设置于所述层叠结构体的前端面的光射出部延伸；以及 曲线波导部，其与所述直线波导部连接，并且包含具备具有曲率的形状的曲线波导，注入到位于所述第I电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第I电极与所述第3电极之间的所述曲线波导部的电流密度大。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于， 注入到位于所述第I电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第I电极与所述第3电极之间的所述直线波导部的电流密度大。3.根据权利要求1或者2所述的半导体发光装置，其特征在于， 所述光波导被设置成从所述层叠结构体的前端面延伸至后端面。4.根据权利要求1?3中的任意一项所述的半导体发光装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈大毅，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP