一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法技术

本发明专利技术提出了一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO2纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO2纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装，本发明专利技术有效结合横向生长外延技术和倒装结构芯片技术，以达到提高GaN基LED电光转换效率的目的。并实现了衬底的重复使用，节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法
本专利技术属于半导体晶体材料制备领域，具体涉及一种提高LED亮度的方法。
技术介绍
LED已成为继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代照明光源。与传统的照明光源相比，LED半导体照明光源具有发光效率高、体积小、寿命长、节能、环保等优点。为了提高LED的发光效率，在外延段常见的方法有:外延横向外延生长(ELOG)、微米级SiNx或SiOx图形化掩膜和PSS。其中，ELOG方法过程如下:首先在衬底上外延生长一层几个微米厚的GaN薄膜，然后在其上刻出所需的图形窗口，使GaN部分露出，其它地方用掩膜遮住，放入气相外延反应室中进行二次生长。由于形核能的差异，半导体薄膜只在刻蚀出的GaN窗口区生长，而在掩膜区不生长。当窗口区的半导体薄膜生长到一定厚度时，半导体薄膜会同时横向生长，然后在掩膜区相互合并，形成连续的薄膜层。ELOG可以有效减小薄膜材料的位错。其原理是利用生长过程中掩膜区发生位错阻断以及在窗口区横向合并时位错发生横向弯曲，从而达到减少纵向生长方向位错密度之目的。然而传统的工艺比较复杂，需要中断外延生长过程，并需要对wa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO2纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO2纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装；

【技术特征摘要】
1.一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，其特征在于:所述方法包括以下步骤: 1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片； 2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO2纳米管阵列薄膜； 3)将制备好的TiO2纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN； 4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上； 5)将键合后的GaN晶片放入超声中振汤，剥尚钦衬底，完成倒装；2.根据权利要求1所述的利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：商毅博，付刚，缪炳有，
申请(专利权)人：西安神光皓瑞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61