基于管式炉的卷对卷气相沉积装置制造方法及图纸

技术编号:10344999 阅读:127 留言:0更新日期:2014-08-21 17:08
本发明专利技术公开了一种基于管式炉的卷对卷气相沉积装置,包括管式加热炉、供气系统和真空泵组,管式加热炉包括炉体和设置在炉体内的反应腔体,还包括:设置在反应腔体外侧且与反应腔体两端分别密封连接的第一密封仓和第二密封仓,第一密封仓内设置有第一传动装置,第二密封仓内设置有第二传动装置,供气系统与反应腔体、第一密封仓和第二密封仓三者中的一个连通,且真空泵组与三者中另外两个中的一个连通,第一密封仓和第二密封仓内均设置有用于冷却第一密封仓、第二密封仓和反应基体的水冷装置。本方案提供的装置反应基体在反应腔内连续反应,实现反应基体的卷对卷气相沉积。

【技术实现步骤摘要】
基于管式炉的卷对卷气相沉积装置
本专利技术涉及复合材料制造
,特别涉及一种基于管式炉的卷对卷气相沉积装置。
技术介绍
化学气相沉积方法是一种利用反应物气态前驱体在一定温度下分解反应形成薄膜、涂层或者微米、纳米结构的化学技术。这种方法已经被广泛应用于各种材料的合成,比如:石墨烯、碳纳米管、硅、氧化锌等等。管式加热炉作为一种易于制造和管理的反应炉已经被广泛应用于化学气相沉积反应。以制备石墨烯为例,现有技术中的石墨烯的制备是在管式加热炉中进行,制备装置包括一个腔体,将待反应的反应物放置在管式加热炉中,对管式加热炉进行加热,此时的化学气相沉积是静态生长模式,管式炉内的反应物生长完成后,取出生长物,进行下一反应物的生长;现有技术中存在能够实现反应物连续生长的气相沉积装置,CN102828161A专利中公开了一种石墨烯生产方法和连续式生产装置,该装置包括真空腔体,真空腔体内设置有加热器件、反应基体传送的传送系统、反应基体冷却系统、反应基体化学气相沉积系统和反应基体退火系统,反应基体的连续生长在真空腔体内进行,反应基体通过传送系统的传送实现连续生长。上述专利文件中提到的装置,气相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于管式炉的卷对卷气相沉积装置,包括管式加热炉(1)、供气系统和真空泵组,管式加热炉(1)包括炉体和设置在所述炉体内的反应腔体,其特征在于,还包括:设置在所述反应腔体外侧且与所述反应腔体两端分别密封连接的第一密封仓(2)和第二密封仓(3),所述第一密封仓(2)内设置有第一传动装置,所述第二密封仓(3)内设置有第二传动装置,所述供气系统与所述反应腔体、所述第一密封仓(2)和第二密封仓(3)三者中的一个连通,且所述真空泵组与三者中另外两个中的一个连通,所述第一密封仓(2)和所述第二密封仓(3)内均设置有用于冷却所述第一密封仓(2)、所述第二密封仓(3)和反应基体的水冷装置。

【技术特征摘要】
1.一种基于管式炉的卷对卷气相沉积装置,包括管式加热炉(I)、供气系统和真空泵组,管式加热炉(I)包括炉体和设置在所述炉体内的反应腔体,其特征在于,还包括: 设置在所述反应腔体外侧且与所述反应腔体两端分别密封连接的第一密封仓(2)和第二密封仓(3),所述第一密封仓(2)内设置有第一传动装置,所述第二密封仓(3)内设置有第二传动装置,所述供气系统与所述反应腔体、所述第一密封仓(2)和第二密封仓(3)三者中的一个连通,且所述真空泵组与三者中另外两个中的一个连通,所述第一密封仓(2)和所述第二密封仓(3)内均设置有用于冷却所述第一密封仓(2)、所述第二密封仓(3)和反应基体的水冷装置。2.根据权利要求1所述的基于管式炉的卷对卷气相沉积装置,其特征在于,所述第一密封仓(2)和所述第二密封仓(3)与所述管式加热炉(I)通过法兰连接。3.根据权利要求1所述的基于管式炉的卷对卷气相沉积装置,其特征在于,所述第一传动装置装置包括:设置在所述第一密封仓(2)内用于卷绕已发生反应的反应基体的第一卷绕辊(4)和设置在所述第一密封仓(2)的外侧且与所述第一卷绕辊(4)连接的第一电机(5); 所述第二传动装置包括:设置在所述第二密封仓(3)内用于卷绕未发生反应的反应基体的第二卷绕辊(6)和设置在所述第二密封仓(3)的外侧且与所述第二卷绕辊(6)连接的第二电机(7)。4.根据权利要求1所述的基于管式炉的卷...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪伟刘兆平
申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
类型:发明
国别省市:浙江;33

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