【技术实现步骤摘要】
局部减薄背照式图像传感器结构及其封装工艺
本专利技术涉及一种背照式图像传感器,尤其涉及一种局部减薄背照式图像传感器结构及其封装工艺。
技术介绍
局部减薄背照式图像传感器的封装通常采用的是倒装焊工艺,在芯片制作完成后,需要先在焊盘上生长凸点,再进行局部减薄,减薄完成后,将芯片通过倒装焊工艺贴装在基板(或管壳)上进行电互联,随后采用填充物质对芯片底部空隙进行填充,其典型结构如图1所示,存在的问题是:受限于现有结构和工艺,采用常规工艺制作出的器件,其芯片和基板之间必然存在间隙,为了保证器件的结构稳定性,必须采用填充物质来将芯片和基板之间的空隙填充,但同样受限于填充工艺的可操作性,填充不均匀是填充工艺中十分常见的现象,进而导致背照式图像传感器因底部填充不均匀产生成像背景缺陷,造成产品失效。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题,本专利技术提出了一种新的局部减薄背照式图像传感器结构,它由芯片、垫高层、基板、芯片焊盘、基板焊盘、引线和光窗组成;所述芯片上端面设置有局部减薄槽;芯片上端面与光窗连接,所述光窗将局部减薄槽覆盖;芯片下端面与垫高层上端面连接,芯片焊盘设置于芯片下端面上,芯片焊盘位于垫高层外侧;垫高层下端面与基板上端面连接,基板焊盘设置于基板上端面上,基板焊盘位于芯片焊盘外侧;芯片焊盘和基板焊盘之间通过引线连接;芯片焊盘设置于垫高层周围的目的,以及基板焊盘设置于芯片焊盘外侧的目的,均是为了便于进行引线连接操作。从前述结构中我们可以看出,芯片与基板之间直接通过垫高层形成稳定的实心连接,从而使得加工过程中不需要再对芯片底部进行填充工艺,这就避免了采用填充 ...
【技术保护点】
一种局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:所述局部减薄背照式图像传感器由芯片(1)、垫高层(2)、基板(3)、芯片焊盘(4)、基板焊盘(5)、引线(6)和光窗(7)组成;所述芯片(1)上端面设置有局部减薄槽;芯片(1)上端面与光窗(7)连接,所述光窗(7)将局部减薄槽覆盖;芯片(1)下端面与垫高层(2)上端面连接,芯片焊盘(4)设置于芯片(1)下端面上,芯片焊盘(4)位于垫高层(2)外侧;垫高层(2)下端面与基板(3)上端面连接,基板焊盘(5)设置于基板(3)上端面上,基板焊盘(5)位于芯片焊盘(4)外侧;芯片焊盘(4)和基板焊盘(5)之间通过引线(6)连接。
【技术特征摘要】
1.一种局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:所述局部减薄背照式图像传感器由芯片(I)、垫高层(2)、基板(3)、芯片焊盘(4)、基板焊盘(5)、引线(6)和光窗(7)组成;所述芯片(I)上端面设置有局部减薄槽;芯片(I)上端面与光窗(7)连接,所述光窗(7)将局部减薄槽覆盖;芯片(I)下端面与垫高层(2)上端面连接,芯片焊盘(4)设置于芯片(I)下端面上,芯片焊盘(4)位于垫高层(2)外侧;垫高层(2)下端面与基板(3)上端面连接,基板焊盘(5)设置于基板(3)上端面上,基板焊盘(5)位于芯片焊盘(4)外侧;芯片焊盘(4)和基板焊盘(5)之间通过引线(6)连接。2.根据权利要求1所述的局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:芯片(I)与光窗(7)之间通过胶粘物质粘接固定。3.根据权利要求1所述的局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:芯片(I)与垫高层(2)之间通过胶粘物质粘接固定。4.根据权利要求1所述的局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:垫高层(2)与基板(3)之间通过胶粘物质粘接固定。5.根据权利要求1所述的局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:所述垫高层(2)采用硅材料制作。6.根据权利要求1所述的局部减薄背照式图像传感器结构,其特征在于:垫高层(2)厚度为0.5?1_。7.一种局部减薄背照式图像传感器封装...
【专利技术属性】
技术研发人员:程顺昌,王艳,林珑君,陈雯静,柳益,谷顺虎,陈于伟,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所,
类型:发明
国别省市:重庆;85
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