固态摄像装置、电子设备以及固态摄像装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种固态摄像装置、电子设备、以及固态摄像装置的制造方法。该固态摄像装置包括：光电转换器，形成在基板上；布线部分，形成在光电转换器上方并由多层布线构成；以及绝缘部分，布线部分的多层布线嵌入绝缘部分中，绝缘部分的折射率大于硅氧化物的折射率。

【技术实现步骤摘要】
本申请是2010年I月29日提交的专利技术名称为“”的专利技术专利申请N0.201010106325.X的分案申请。
本专利技术涉及固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法。具体地，本专利技术涉及使光通过布线层进入光电转换器的固态摄像装置、电子设备和固态摄像装置的制造方法。
技术介绍
以CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器为代表的半导体图像传感器被要求减小像素尺寸并增大相同图像区域中的像素数量。例如，日本专利申请公开N0.2008-109153公开了固态图像传感器，其中光波导设置在光电转换器上方，该光电转换器形成在半导体基板上。
技术实现思路
然而，在现有技术中，为了形成光波导，在即将形成光波导的凹入部分的内壁上沉积薄膜，该薄膜由折射率大于其周围材料的材料形成，接着凹入部分被具有高填充性能的材料填充。这样，对于形成在光电转换器上方的光波导，存在如下问题:从填充到凹入部分中的材料的填充性能角度来看，需要两种材料来形成光波导。考虑到上述情况，期望提供一种技术，其能穿过布线层有效地传输光信号到光电转换器，使得能够获得足够量的信号。根据本专利技术实施例，提供了一种固态摄像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态摄像装置，包括：光电转换器，形成在基板上；布线部分，形成在所述光电转换器上方并由多层布线构成；硅氧化物，所述布线部分的所述多层布线嵌入所述硅氧化物中；以及绝缘部分，在所述光电转换器的上方，从所述布线部分上方的位置到最下层布线的位置嵌入所述硅氧化物中，所述绝缘部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。

【技术特征摘要】
2009.01.29 JP 017469/091.一种固态摄像装置，包括: 光电转换器，形成在基板上； 布线部分，形成在所述光电转换器上方并由多层布线构成； 硅氧化物，所述布线部分的所述多层布线嵌入所述硅氧化物中；以及绝缘部分，在所述光电转换器的上方，从所述布线部分上方的位置到最下层布线的位置嵌入所述硅氧化物中，所述绝缘部分的折射率大于所述硅氧化物的折射率。2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其中所述绝缘部分由选自由氮化硅、氮氧化硅、氧化铪和氧化钽组成的组的材料制成。3.—种电子设备,包括: 固态摄像装置，输出相应于所接收的光量的电信号；以及 信号处理装置，处理从所述固态摄像装置输出的所述电信号， 其中所述固态摄像装置包括: 光电转换器，形成在基板上； 布线部分，形成在所述光电转换器上方并由多层布线构成； 硅氧化物，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊地晃司，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP