提供即使在检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下也能检测缺陷的缺陷检测方法。取得表示对多条配线施加电压中的半导体基板的温度分布的红外线图像，确定发热的半导体元件的位置，根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适于在液晶面板和太阳能电池板等半导体基板上形成的配线的缺陷检测的。
技术介绍
以往有如下技术:为了检测半导体基板中的配线的缺陷，使用红外线图像观测缺陷的发热。例如，在专利文献I中公开了如下技术:根据发热图案、缺陷的位置、数量等切换施加电压、检测位置、透镜、红外线检测器等，确定缺陷位置。现有技术文献_4] 专利文献专利文献1:特开平06 - 207914号公报(【公开日】:1994年7月26日)
技术实现思路
_6] 专利技术要解决的问题在此，在不具有用于向半导体基板施加检查用的电压的检查用配线(检查图案)的半导体基板中，如图6(a)所示，在有短路缺陷的情况下，当对与其连接的栅极线(扫描线)用焊盘51和源极线(信号线)用焊盘52施加电压时，短路缺陷部分发热。因此，通过在施加电压时探测发热，能检测短路缺陷。因此，在不具有检查图案的半导体基板中，能使用专利文献I的技术检测短路缺陷。但是，即使使用专利文献I的技术，也难以在具有检查图案的半导体基板中检测缺陷。这是因为:如图6(b)所示，当有缺陷的配线与作为连接到检查图案的晶体管的检查用晶体管(下面称为ASL — TFT)电连接时，缺陷不发热(难以发热)，所以不能由红外线图像检测发热的缺陷。缺陷不发热的(难以发热)理由是因为:ASL — TFT的电阻高，因此流过总线(半导体基板中的用于施加像素部的纵横的配线)的电流量被ASL - TFT限制，不能确保检测缺陷所需的电流量。此外，检查图案是将半导体基板组装为面板后的在通常使用时不使用的配线图案。以检查图案在安装工序前被剪切、或者在通常使用时不施加到检查图案的方式构成面板。本专利技术是鉴于上述的问题完成的，其目的在于提供:即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，也能高精度地检测半导体基板(漏电缺陷基板)上的缺陷的方法和装置、以及半导体基板的制造方法。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术的缺陷检测方法的特征在于，包含:电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息的工序；位置确定工序，其基于上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。根据上述的方法，能确定由于向多条配线施加电压而发热的半导体元件的位置，根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。因此，根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷(使半导体基板的缺陷发热)所需的电流量被限制的(不能确保的)情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的半导体元件的发热，则能确定其位置，检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量(红外线图像的强度)无关地检测半导体基板上的短路缺陷。另外，优选本专利技术的缺陷检测方法还包含:图像检查工序，其执行上述半导体基板的图像检查，确定异物的位置；以及短路缺陷位置判定工序，其在上述图像检查工序中确定的异物的位置位于在上述缺陷配线判定工序中判定为缺陷配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。根据上述方法，通过进行图像检查能确定异物的位置，在异物的位置位于被判定为缺陷配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。因此，能确定缺陷配线上的缺陷的位置。另外，也可以是，本专利技术的缺陷检测方法属于上述方法，并且，上述多个半导体元件是连接到检查图案的检查用晶体管，上述检查图案是形成于上述半导体基板的驱动电路部的用于向上述半导体基板施加检查用的电压的检查用配线。连接到检查图案的检查用晶体管的电阻高，检查图案是用于向半导体基板施加检查用的电压的检查用配线，因此当包含于半导体基板时，即使对半导体基板的配线施加电压，缺陷也难以发热，难以根据红外线图像的温度分布图检测缺陷。但是，通过使用本专利技术的方法，即使是包含检查用晶体管的半导体基板，如果检查用晶体管发热，也能通过确定其位置，判定出与发热的检查用晶体管电连接的配线有缺陷。另外，也可以是，本专利技术的缺陷检测方法属于上述方法，并且，上述多条配线包括并列配置的第I配线组和以与该第I配线组交叉的方式并列配置的第2配线组，在上述位置确定工序中判定出发热的上述第I配线组用的检查用晶体管的位置和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管的位置的情况下，在上述缺陷配线判定工序中进一步将发热的上述第I配线组用的检查用晶体管电连接的配线和发热的上述第2配线组用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置。这样，通过将第I配线组(例如栅极配线)用的检查用晶体管电连接的配线和发热的第2配线组(例如源极配线)用的检查用晶体管电连接的配线的交点判定为短路缺陷所在的位置，能容易判定短路缺陷的位置。另外，为了解决上述问题，本专利技术的缺陷检测装置的特征在于，具备:电压施加单元，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得单元，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定单元，其基于上述取得的温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；存储单元，其存储上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息；以及缺陷配线判定单元，其基于存储于上述存储单元的上述电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。根据上述的构成，能确定由于向多条配线施加电压而发热的半导体元件的位置，能根据预先判明的多个半导体元件的位置和多条配线的电连接关系的信息，将多条配线中与发热的半导体元件电连接的配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。因此，根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，如果能观测与缺陷配线电连接的半导体元件的发热，则能确定其位置，能检测有短路缺陷的缺陷配线。换言之，能与缺陷的发热量无关地检测半导体基板上的短路缺陷。为了解决上述问题，本专利技术的半导体基板的制造方法的特征在于，包含:电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定工序，其基于上述取得的温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与上述发热的半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。根据上述方法，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷所需的电流量被限制的情况下，也能检测有短路缺陷的缺陷配线。并且，通过修正该缺陷配线，能制造没有缺陷的高质量的半导体基板。专利技术效果如上所述，根据本专利技术的缺陷检测方法或者缺陷检测装置，即使在根据温度分布图检测半导体基板的缺陷(使半导体基板的缺陷发热)所需的电流量被限制的(不能确保的)情本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种缺陷检测方法，其特征在于，包含：电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压；温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息；位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.28 JP 2012-0425091.一种缺陷检测方法，其特征在于， 包含: 电压施加工序，其对形成有多条配线和与该配线电连接的多个半导体元件的半导体基板的上述配线施加电压； 温度分布信息取得工序，其取得上述电压施加工序中的上述半导体基板的温度分布信息； 位置确定工序，其根据取得的上述温度分布信息确定发热的上述半导体元件的位置；以及 缺陷配线判定工序，其根据预先判明的上述多个半导体元件的位置和上述多条配线的电连接关系的信息，将上述多条配线中与发热的上述半导体元件电连接的上述配线判定为有短路缺陷的缺陷配线。2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于， 还包含: 图像检查工序，其执行上述半导体基板的图像检查，确定异物的位置；以及短路缺陷位置判定工序，其在上述图像检查工序中确定的异物的位置位于在上述缺陷配线判定工序中判定为缺陷 配线的配线上的情况下，将该异物所在的位置判定为短路缺陷所在的位置。3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多个半导体元件是连接到检查图案的检查用晶体管，上述检查图案是形成于上述半导体基板的驱动电路部的、用于向上述半导体基板施加检查用的电压的检查用配线。4.根据权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，上述多条配线包括并列配置的第I配线组和以与该第I配线组交叉的方式并列配置的第2配线组， 在上述位置确定工序中判定出发热的...
【专利技术属性】
技术研发人员：中岛隆宏，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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