用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法技术

一种半导体芯片面板，包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片。半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件。通过在测试接触装置和第一电接触元件之间以及在导电固定器和第二接触元件之间建立电接触来测试多个半导体芯片中的一个。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种、一种用于测试半导体芯片的设备、以及一种导电固定器。
技术介绍
在功率电子器件中，经常使用具有像例如IGBT晶体管的垂直晶体管的半导体芯片，或者通常使用其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上并且至少一个其他电接触焊盘被布置在与第一主表面相对的第二主表面上的晶体管。可以将这些半导体芯片中的若干个安装在陶瓷衬底或印刷电路板上并且电连接以形成功率模块或功率系统。以此方式，例如，多至20个功率半导体芯片可以被相互组合并且电连接以形成电路。这些模块的一个示例是所谓的智能功率模块(IPM)。在将半导体芯片模块或各个半导体芯片输送至客户之前，重要的是知晓半导体芯片模块或各个半导体芯片是否情况正常以及它们是否满足预定的性能标准。因此，存在对于用于测试半导体芯片和/或半导体芯片模块，特别是用于测试包括半导体功率晶体管芯片或具有垂直晶体管结构的半导体芯片的那些芯片和/或半导体芯片模块的实际和有效方法的需求。【附图说明】包括附图来提供对实施例的进一步理解，并且将附图结合在该说明书中并构成其一部分。附图图示出了实施例并且与描述一起用于解释实施例的原理。将容易理解其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测试半导体芯片的方法，所述方法包括：提供半导体芯片面板，所述半导体芯片面板包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片，其中所述半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件；以及通过在测试接触装置和所述第一电接触元件之间以及在导电固定器和所述第二接触元件之间建立电接触来测试所述多个半导体芯片中的一个。

【技术特征摘要】
2012.12.14 US 13/715,9901.一种用于测试半导体芯片的方法，所述方法包括: 提供半导体芯片面板，所述半导体芯片面板包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片，其中所述半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件；以及 通过在测试接触装置和所述第一电接触元件之间以及在导电固定器和所述第二接触元件之间建立电接触来测试所述多个半导体芯片中的一个。2.根据权利要求1所述的方法，其中，测试所述半导体芯片包括由所述测试接触装置将所述半导体芯片按压到所述导电固定器上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片中的一个包括功率晶体管、垂直晶体管、MOS晶体管、绝缘栅双极晶体管、逻辑电路或无源部件。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片包括相似的或者同等的电学器件。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片包括不同的电学器件。6.根据权利要求1所述的方法，其中，以矩阵形式布置所述多个半导体芯片。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片面板包括半导体芯片模块，所述半导体芯片模块包括两个或更多个半导体芯片。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体芯片模块包括智能功率模块。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片面板包括以矩阵形式布置的多个半导体芯片模块。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体芯片中的一个包括从30μπι至150 μ m，特别是从50 μ m至120 μ m的范围中的厚度。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装材料包括模制材料、聚合物材料、聚酰亚胺材料、树脂材料、环氧树脂材料、硅树脂材料、陶瓷材料和玻璃材料中的一个或多个。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电固定器包括与其连接的距离元件，并且其中测试所述半导体芯片中的一个包括通过将...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·菲尔古特，H·格勒宁格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE