本发明专利技术公开了一种液晶显示装置之一液晶显示面板具有至少一元件区及一透光区，并包含一薄膜晶体管基板、一对向基板以及一液晶层。一薄膜晶体管设置于基板上，并位于元件区。一第一绝缘层设置于基板之上。一第二绝缘层设置于第一绝缘层之上，第一绝缘层及第二绝缘层分别位于元件区，并由元件区分别延伸至透光区的边缘。一平坦化层设置于基板之上，并位于元件区及透光区。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置。液晶层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。
【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置
本专利技术系关于一种具有较高穿透率的液晶显示装置。
技术介绍
随着科技的进步，显示装置已经广泛的被运用在各种领域，尤其是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类之电子产品中，例如行动电话、可携式多媒体装置、笔记型电脑、液晶电视及液晶突眷等等。以液晶显示装置为例,液晶显示装置主要包含一液晶显示面板(IXD Panel)以及一背光模块(Backlight Module)。其中，液晶显不面板具有一薄膜晶体管基板、一彩色滤光基板以及一夹设于两基板间的液晶层，且两基板与液晶层可形成复数个阵列设置的像素。背光模块可将一光源的光线均匀地分布到液晶显示面板，并经由各像素显示色彩而形成一影像。其中，各像素分别具有一元件区及一透光区，元件区系设置例如薄膜晶体管等元件的区域，而透光区系为光线可穿透的区域，且液晶显示面板就是透过透光区来显示影像画面。然而，于基板上设置薄膜晶体管等元件的制造工艺中，需于元件区与透光区分别沉积不同的薄膜层，例如于两区域中分别沉积缓冲层、介电层、绝缘层或平坦化层等多层的薄膜，但是，当背光源所提供的光线通过透光区内的多层薄膜层时，光线被吸收或被反射的比率高，造成液晶显示面板及液晶显示装置的穿透率(Transmittance)降低。 因此，如何提供一种液晶显示装置，可具有较高的穿透率，已成为重要课题之一。
技术实现思路
有鉴于上述课题，本专利技术之目的为提供一种具有较高穿透率之液晶显示装置。为达上述目的，依据本专利技术之一种液晶显示装置包括一液晶显示面板以及一背光模块。液晶显示面板具有至少一元件区及一透光区，并包含一薄膜晶体管基板、一对向基板及一液晶层，薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一第二绝缘层及一平坦化层，薄膜晶体管设置于基板上，并位于元件区，第一绝缘层设置于基板之上。第二绝缘层设置于第一绝缘层之上，第一绝缘层及第二绝缘层分别位于元件区，并由元件区分别延伸至透光区的边缘，平坦化层设置于基板之上，并位于元件区及透光区。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置，液晶层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。承上所述，因依据本专利技术之一种液晶显示装置中，薄膜晶体管基板之第一绝缘层及第二绝缘层系分别由元件区延伸至透光区的边缘，换言之，透光区内并未设置第一绝缘层及第二绝缘层。藉此，与现有技术相较，薄膜晶体管基板之透光区内因具有较少的薄膜层，故当背光源所提供的光线通过薄膜晶体管基板之透光区时，光线被吸收或反射的比率较少，因此，可使液晶显示装置具有较高的穿透率。【附图说明】图1为本专利技术较佳实施例之一种液晶显示面板的示意图。图2为本专利技术较佳实施例另一实施态样之液晶显示面板的示意图。图3为本专利技术较佳实施例之一种液晶显示装置的示意图。l、la:薄膜晶体管基板11:基板12:缓冲层121:第一缓冲层122:第二缓冲层123:第三缓冲层13:第一绝缘层14:第二绝缘层15:平坦化层16:保护层17:共同电极层18:钝化层I9:像素电极层2:对向基板3:液晶层4:液晶显示装置5:背光模块A:元件区B:透光区C:通道层D:漏极G:栅极O:通孔P1、P2:液晶显示面板S:源极T:薄膜晶体管【具体实施方式】以下将参照相关图式，说明依本专利技术较佳实施例之液晶显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。为了方便说明，本专利技术图示中所显示各元件之高度及宽度的尺寸关系(比例)仅为示意，并不代表实际的尺寸关系。请参照图1所示,其为本专利技术较佳实施例之一种液晶显示面板Pl的示意图。液晶显示面板Pl为一主动矩阵式(active matrix)液晶显示面板,并具有一薄膜晶体管基板1、一对向基板2以及一夹设于两基板间的液晶层3。对向基板2与薄膜晶体管基板I相对设置，而液晶层3设置于薄膜晶体管基板I与对向基板2之间。于此，对向基板2可具有一滤光层(图未显不)，以成为一彩色滤光基板。对向基板2为一可透光之材质,例如是玻璃、石英或类似物。此外，薄膜晶体管基板1、对向基板2与液晶层3可形成复数个阵列设置的像素，且各像素分别具有一元件区及一透光区。于此，图1系标示液晶显示面板Pl中，薄膜晶体管基板I上的一个元件区A及一个透光区B的示意图。薄膜晶体管基板I包括一基板11、一缓冲层12、一薄膜晶体管T、一第一绝缘层13、一第二绝缘层14以及一平坦化(planarization)层15。基板11为一可透光之材质，在实施上，例如可为玻璃、石英或类似物、塑胶、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料，较佳的可为一硼酸盐无碱玻璃基板。在实际运用时，薄膜晶体管基板I之基板11与对向基板2系可选用相同或不同之材质，例如基板11使用硼酸盐无碱玻璃基板，而对向基板2使用钾玻璃基板。另外，液晶显示面板Pl更可包括一黑色矩阵层(图未显示)，于垂直基板11的方向上，黑色矩阵层可遮住元件区A，使光线无法穿过元件区A，不被黑色矩阵层遮住的区域即为透光区B。其中，黑色矩阵层可设置于薄膜晶体管基板I上或对向基板2上。当黑色矩阵层设置于薄膜晶体管基板I时，即可成为一 BOA (BMon array)基板。缓冲层12设置于基板11上，并位于元件区A。缓冲层12可包含一层或多层结构，其材质可分别包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或氧化铪。于此，缓冲层12的材料系以氧化硅为例。其中，若为多层结构时，不同层的缓冲层之材质可为相同或不相同。薄膜晶体管T设置于缓冲层12上，并位于元件区A。薄膜晶体管T可为top gate(上栅极)型的薄膜晶体管T，或为bottom gate (下栅极)型的薄膜晶体管。在本实施例中，系以top gate的薄膜晶体管T为例。其中，薄膜晶体管T具有一栅极G、一通道层C、一源极S及一漏极D。栅极G与通道层C对应设置，并位于通道层C之上，而缓冲层12位于基板11与通道层C之间。另外，于其它的实施例中，若为bottom gate的薄膜晶体管(图未显示)，则通道层系位于栅极之上。其中，栅极G之材质系为金属(例如为铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动讯号之导线，可以使用与栅极G同层且同一制造工艺之结构，彼此电性相连，例如扫描线(scan line)。通道层C相对栅极G位置设置于缓冲层12上。在实施上，通道层C系为一半导体层(例如硅半导体、镓半导体、锗半导体或其组合，或其它)，且其材料例如但不限于包含一氧化物半导体。前述之氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡其中之一，例如为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)。另外，源极S与漏极D分别设置于通道层C上，且源极S和漏极D分别与通道层C接触，于薄膜晶体管T之通道层C未导通时，两者系电性分离。其中，源极S与漏极D之材质可为金属(例如铝、铜、银、钥、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。此外，部分用以传输驱动讯号之导线，可以使用与源极S与漏极D同层且同一制造工艺之结构，例如数据线(data line)。第一绝缘层13设置于缓冲层12之上，并位于通道层C之上，且第一绝缘层13位于栅极G与通道层C之间。第一绝缘层13可为一层或多层结构,其材质可包含氮化娃、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一液晶显示装置，其特征在于，所述的液晶显示装置包括：一液晶显示面板，具有至少一元件区及一透光区，并包含：一薄膜晶体管基板，具有：一基板；一薄膜晶体管，设置于所述的基板上，并位于所述的元件区；一第一绝缘层，设置于所述的基板之上；一第二绝缘层，设置于所述的第一绝缘层之上，所述的第一绝缘层及所述的第二绝缘层分别位于所述的元件区，并由所述的元件区分别延伸至所述的透光区的边缘；及一平坦化层，设置于所述的基板之上，并位于所述的元件区及所述的透光区；一对向基板，与所述的薄膜晶体管基板相对设置；以及一液晶层，设置于所述的薄膜晶体管基板与所述的对向基板之间。
【技术特征摘要】
1.一液晶显示装置，其特征在于，所述的液晶显示装置包括: 一液晶显示面板，具有至少一元件区及一透光区，并包含: 一薄膜晶体管基板，具有: 一基板； 一薄膜晶体管，设置于所述的基板上，并位于所述的元件区； 一第一绝缘层，设置于所述的基板之上； 一第二绝缘层，设置于所述的第一绝缘层之上，所述的第一绝缘层及所述的第二绝缘层分别位于所述的元件区，并由所述的元件区分别延伸至所述的透光区的边缘；及 一平坦化层，设置于所述的基板之上，并位于所述的元件区及所述的透光区； 一对向基板，与所述的薄膜晶体管基板相对设置；以及 一液晶层，设置于所述的薄膜晶体管基板与所述的对向基板之间。2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述的薄膜晶体管具有一栅极、一通道层、一源极及一漏极，所述的栅极与所述的通道层对应设置，所述的源极及漏极分别设置于所述的通道层上并与所述的通道层接触。3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述的第一绝缘层位于所述的栅极与所述的通道层之间，所述的第二绝缘层位于栅极与所述的通道层之上。4.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述的薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕建民，卢永信，陈俊宇，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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