阵列基板、液晶面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及液晶显示技术领域，公开了一种阵列基板、液晶面板及显示装置。所述阵列基板包括栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和耦合电极。其中，像素电极的一部分与所述栅线位置对应，形成第一存储电容。耦合电极与像素电极电性连接，其至少一部分与所述栅线位置对应，形成第二存储电容，且所述耦合电极和像素电极分别位于所述栅线的两侧，则阵列基板的像素存储电容的电容量为第一存储电容和第二存储电容的电容量之和，大大提高了Cst on gate的电荷存储能力，从而提高了画面显示的质量。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、液晶面板及显示装置
本技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种阵列基板、液晶面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为由阵列基板和彩膜基板对盒形成的液晶面板。其中，阵列基板包括栅线、数据线和为阵列基板提供基准电压的公共电极线，栅线和数据线横纵交叉分布，限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)和像素电极。TFT包括栅电极、源电极和漏电极，以及位于源电极和漏电极之间的有源层(形成TFT的沟道)，漏电极与像素电极电性连接。栅线、公共电极线与栅电极由同一栅金属层形成，数据线与源电极和漏电极由同一源漏金属层形成。液晶面板还包括透明公共电极，其与像素电极位置对应，形成驱动液晶旋转的电场。TFT-1XD的显示原理为:通过栅线传输扫描信号，逐行打开TFT，然后通过数据线向像素电极传输像素电压，驱动液晶旋转，实现对应灰阶的显示。为了在下一次扫描信号开启薄膜晶体管之前，保持原先写入像素电极的电压，需要设置存储电容(Storage Capacitor, Cst)来增加整体的电容量，使得写入像素电极的电压能够保持一较长时间，具体为一帧画面的显示时间。根据驱动电场的方向，将TFT-1XD分为以横向电场作为驱动电场的TFT-1XD(如=IPS型TFT-LCD)、以纵向电场作为驱动电场的TFT-LCD (如:TN型TFT-LCD和ITN型TFT-1XD)、以及以多维电场作为驱动电场的TFT-1XD(如:ADS型TFT-1XD)。对于以横向电场和多维电场作为驱动电场的TFT-LCD，其透明公共电极形成在阵列基板上，其存储电容Cst由像素电极和透明公共电极之间的耦合电容提供，电容量较大，能够满足时间上的需求。而对于以纵向电场作为驱动电场的TFT-1XD，其透明公共电极形成在彩膜基板上，可以通过像素电极和栅线之间的耦合电容来提供存储电容Cst，即Cst on gate，但是由于栅线与像素电极的交叠面积较小，导致Cst on gate的储存电荷能力较弱。为了解决Cst ongate的储存电荷能力较弱的问题，现有技术中，一般是在像素区域增加公共电极线布线，通过公共电极线和像素电极之间的耦合电容来提供存储电容CstjPCst on com，由于公共电极线和像素电极交叠面积较大，使得Cst on com的储存电荷能力较强。但是由于公共电极线是由栅金属形成的，不透光，因此势必会损失像素单元的开口率。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板,用以解决Cst on gate的储存电荷能力较弱的问题。本技术还提供一种液晶面板及显示装置，采用上述的阵列基板，用于提高显不品质。为解决上述技术问题，本技术提供一种阵列基板，包括栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与栅线之间形成有第一绝缘层，且所述像素电极的一部分与所述栅线位置对应，形成第一交叠区域，所述像素电极和栅线在所述第一交叠区域形成第一存储电容，其中，所述像素单元还包括一耦合电极，所述耦合电极与所述像素电极电性连接，所述耦合电极与所述像素电极分别位于所述栅线的两侧；所述耦合电极与栅线之间形成有第二绝缘层，且所述耦合电极的至少一部分与所述栅线位置对应，形成第二交叠区域，所述耦合电极和栅线在所述第二交叠区域形成第二存储电容。进一步地,所述I禹合电极为透明电极。进一步地，所述耦合电极通过第一绝缘层过孔和第二绝缘层过孔与所述像素电极电性连接，其中，所述第一绝缘层过孔和第二绝缘层过孔的位置对应，位于所述耦合电极的上方且不与所述栅线相对的位置。进一步地，所述像素电极位于所述栅线的上方，所述耦合电极位于所述栅线的下方；所述第一绝缘层包括栅绝缘层和钝化层；所述第一绝缘层过孔包括栅绝缘层过孔和钝化层过孔；所述栅绝缘层在所述耦合电极的上方，与所述第二绝缘层过孔相对的位置形成所述栅绝缘层过孔，所述钝化层在所述耦合电极的上方，与所述栅绝缘层过孔相对的位置形成所述钝化层过孔；所述耦合电极通过第二绝缘层过孔、栅绝缘层过孔和钝化层过孔与所述像素电极电性连接。进一步地，所述第二绝缘层过孔中填充有形成栅线的栅金属。进一步地，所述栅金属的材料为Al、Cu、Ta或M0/AL/M0合金。进一步地，所述栅绝缘层过孔中填充有形成数据线的源漏金属。进一步地，所述源漏金属的材料为Al、Cu、Ta或M0/AL/M0合金。本实施例还提供一种液晶面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括像素电极，所述彩膜基板包括公共电极，其中，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板。本实施例还提供一种显示装置，采用如上所述的液晶面板。本技术的上述技术方案的有益效果如下:上述技术方案中，阵列基板上的像素电极和栅线在交叠区域形成第一存储电容，在阵列基板上还设置一与像素电极电性连接的耦合电极，且其至少一部分与所述栅线位置对应，形成交叠区域，所述耦合电极和栅线在交叠区域形成第二存储电容。其中，所述耦合电极和像素电极位于所述栅线的两侧，则阵列基板的像素存储电容的电容量为第一存储电容和第二存储电容的电容量之和，大大提高了 Cst on gate的电荷存储能力。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本技术实施例中阵列基板的局部结构示意图；图2表示图1沿A-A方向的剖视图；图3-6表示本技术实施例中阵列基板的制备过程示意图。【具体实施方式】本技术针对现有技术中Cst on gate的储存电荷能力较弱的问题,提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置。所述阵列基板包括一与像素电极电性连接的耦合电极，且所述耦合电极和像素电极分别位于栅线的两侧，其中，像素电极和栅线之间形成有第一绝缘层，且像素电极的一部分与所述栅线位置对应，形成第一交叠区域。耦合电极和栅线之间形成有第二绝缘层，且所述耦合电极的至少一部分与所述栅线位置对应，形成第二交叠区域。则Cst on gate的电容量为像素电极和栅线在交叠区域形成的第一存储电容的电容量，与耦合电极和栅线在交叠区域形成的第二存储电容的电容量之和，从而大大增加了 Cstongate的电荷存储能力，提高了画面显示的质量。本技术的技术方案，通过设置与像素电极电性连接的耦合电极，且像素电极与耦合电极位于栅线两侧，使得像素电极与栅线的有效正对面积可以翻倍，从而增加了 Cston gate的电容量，能够满足像素电极在一定的时间内维持像素电压的需求，提高画面显示的质量。下面将结合附图和实施例，对本技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。显然，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与栅线之间形成有第一绝缘层，且所述像素电极的一部分与所述栅线位置对应，形成第一交叠区域，所述像素电极和栅线在所述第一交叠区域形成第一存储电容，其特征在于，所述像素单元还包括一耦合电极，所述耦合电极与所述像素电极电性连接，所述耦合电极与所述像素电极分别位于所述栅线的两侧；所述耦合电极与栅线之间形成有第二绝缘层，且所述耦合电极的至少一部分与所述栅线位置对应，形成第二交叠区域，所述耦合电极和栅线在所述第二交叠区域形成第二存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与栅线之间形成有第一绝缘层，且所述像素电极的一部分与所述栅线位置对应，形成第一交叠区域，所述像素电极和栅线在所述第一交叠区域形成第一存储电容，其特征在于， 所述像素单元还包括一耦合电极，所述耦合电极与所述像素电极电性连接，所述耦合电极与所述像素电极分别位于所述栅线的两侧； 所述耦合电极与栅线之间形成有第二绝缘层，且所述耦合电极的至少一部分与所述栅线位置对应，形成第二交叠区域，所述耦合电极和栅线在所述第二交叠区域形成第二存储电容。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述耦合电极为透明电极。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述耦合电极通过第一绝缘层过孔和第二绝缘层过孔与所述像素电极电性连接，其中，所述第一绝缘层过孔和第二绝缘层过孔的位置对应，位于所述耦合电极的上方且不与所述栅线相对的位置。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极位于所述栅线的上方，所述耦合电极位于所述栅线的下方；...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯博，马禹，王骁，闫岩，
申请(专利权)人：北京京东方显示技术有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11