一种TFT阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板及显示装置，包括：多条栅线和多条数据线，且所述栅线与所述数据线绝缘交叉；所述栅线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元，所述像素单元包括漏极、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成电场，所述多个像素单元包括多个第一像素单元和多个第二像素单元；其中，相邻两个像素单元的电场方向相反。本发明专利技术实施例能提高显示效果和显示品质。

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）阵列基板被广泛应用显示装置中，但是，实际使用中，发现TFT阵列基板及显示装置存在显示效果不良或显示效果下降的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板及显示装置。一种TFT阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线，且所述栅线与所述数据线绝缘交叉；所述栅线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元，所述像素单元包括漏极、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成电场，所述多个像素单元包括多个第一像素单元和多个第二像素单元；其中，相邻两个像素单元的电场方向相反。一种显示装置，包括如上所述的TFT阵列基板。本专利技术实施例至少能达到以下的有益效果之一：在本专利技术实施例中，通过在阵列基板中设置多个第一像素单元和第二像素单元，并根据驱动反转方式的不同选择合适的排列方式，使得在加载相应驱动反转的工作电压时，相邻像素单元的电场方向是相反的，从而，使得各像素单元的显示亮度是均衡的，提高了显示效果和显示品质。同时，选择在数据线上方制备第二像素单元的第二过孔，并通过该第二过孔将第一像素单元的公共电极与第二像素单元的公共电极建立电连接，从而，避免了为第二过孔额外设置黑色矩阵，提高了开口率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例二中FFS型TFT阵列基板中第一像素单元和第二像素单元的俯视图；图2（a）为沿图1中A-A’线的剖面结构示意图；图2（b）为沿图1中B-B’线的剖面结构示意图；图3（a）为本专利技术实施例二中针对帧反转提出的第一像素单元和第二像素单元排列方式；图3（b）、图3（d）和图3（e）为利用图3（a）的排列方式进行反转时，输入的工作电压极性（即反转前的电压极性）与像素单元电场极性（即反转后的电压极性）的对应关系；图3（c）为前后两帧的对比图；图4（a）为本专利技术实施例二中针对列反转提出的第一像素单元和第二像素单元排列方式；图4（b）、图4（c）和图4（d）为利用图4（a）的排列方式进行反转时，输入的工作电压极性（即反转前的电压极性）与像素单元电场极性（即反转后的电压极性）的对应关系；图5为本专利技术实施例三中IPS型TFT阵列基板中第一像素单元和第二像素单元的简单俯视图；图6为IPS型TFT阵列基板中电极的另一种结构示意图；图7为沿图5中C-C’线的剖面结构示意图；图8为本专利技术实施例四提供的制备实例1中FFS型TFT阵列基板的方法步骤流程图；图9（a）、图10（a）和图11（a）为沿图1中第一过孔112位置处E-E’的剖面图；图9（b）、图10（b）和图11（b）为沿图1中第二过孔113位置处F-F’的剖面图；图12（a）、12（b）为本专利技术实施例提供的另一种制备FFS型TFT阵列基板的制备过程中，像素单元的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种显示装置简图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在本专利技术实施例中，“顶层”、“底层”仅是表示像素电极与公共电极的一个相对位置关系，例如，像素电极位于像素单元的顶层表示像素电极位于公共电极之上；在本专利技术实施例中，“行”不仅仅限于是1条栅极线对应的1行像素行，还可以理解为是x条栅极线对应的x行像素行；“列”不仅仅限于是1条数据线对应的1列像素列，还可以理解为是y条数据线对应的y列像素列，其中，x和y均为正整数。需要说明的是，本专利技术实施例所涉及的公共电极与像素电极均是透明导电材料形成的膜层，其厚度和结构根据具体的显示模式的需求进行设定。本专利技术实施例一提供一种TFT阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线，且所述栅线与所述数据线绝缘交叉；所述栅线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元，所述像素单元包括漏极、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成电场，且所述多个像素单元中包括多个第一像素单元和多个第二像素单元；其中，相邻两个像素单元的电场方向相反。在本专利技术实施例中，能够满足以上结构的TFT阵列基板有多种，包括：FFS模式的TFT阵列基板、IPS模式的TFT阵列基板等。以下通过具体的实例来详细介绍FFS模式的TFT阵列基板和IPS模式的TFT阵列基板。需要说明的是，由于在工作状态下，TFT阵列基板中的TFT结构会产生漏电现象，而且，对于顶栅结构的TFT而言，漏电现象尤为严重，这是因为：顶栅结构的TFT的栅极位于半导体层上方，半导体层位于TFT结构的最下方，当背光源开始工作时，半导体层就会被光直接照射，产生巨大的光生漏电流，同时，还可能引起半导体层的变质，影响通电效果。而且，较大的漏电流还会导致整体功耗的增加。因此，像素单元不宜采用顶栅结构的TFT。然而，对于顶栅结构的TFT与底栅结构的TFT交替组合形式而言，也是不可取的，因为在工作状态下，采用顶栅结构的TFT的像素单元的漏电流远大于采用底栅结构的TFT的像素单元的漏电流，假设一块成型的屏幕上同时存在顶栅结构的TFT的像素单元和底栅结构的TFT的像素单元，那么，该屏幕上各个像素单元的漏电流将不一致，差值可以达到1000倍，而且，这种漏电流的不一致是无法统一弥补的，因此，很容易造成非常差的显示效果和显示品质。无论是顶栅结构的TFT还是底栅结构的TFT，均会产生漏电现象，然而，底栅结构的TFT漏电流较小，而且工艺上容易实现，因此，为了保证本专利技术的初衷，即提高显示效果和显示品质，在本专利技术实施例中，均是采用底栅结构的TFT的像素单元来进行举例说明的，但是，本专利技术并不局限于以下实施例。在实施例一的基础上，本专利技术进一步地提供实施例二：FFS模式的TFT阵列基板（简称FFS型TFT阵列基板）在FFS型TFT阵列基板中，像素电极与公共电极异层设置；具体设置方式为，在第一像素单元中，公共电极位于像素电极之上，且像素电极与漏极直接电连接；在第二像素单元中，像素电极位于公共电极之上，且像素电极通过位于第二像素单元的第一过孔与漏极电连接。从而，第一像素单元的像素电极、公共电极与第二像素单元的像素电极、公共电极的位置相反，保证了在为第一像素单元和第二像素单元输入相同电位的工作电压时，第一像素单元形成的电场与第二像素单元形成的电场反向。优选地，针对以帧反转形式（即向数据线输入的工作电压在一帧内极性相同）进行反转驱动的阵列基板而言，在沿数据线方向，第一像素单元和第二像素单元间隔排列，沿栅线方向，第一像素单元与第二像素单元仍间隔排列。前后两帧数据线施加的信号互为反相信号，且每一帧中，所有数据线施加的信号相同。优选地，针对以列反转形式（即向相邻数据线输入的工作电压在一帧内极性相反）进行反转驱动的阵列基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线，且所述栅线与所述数据线绝缘交叉；所述栅线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元，所述像素单元包括漏极、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成电场，所述多个像素单元包括多个第一像素单元和多个第二像素单元；其中，相邻两个像素单元的电场方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，包括：多条栅线和多条数据线，且所述栅线与所述数据线绝缘交叉；所述栅线和所述数据线围设而成多个呈阵列分布的像素单元，所述像素单元包括漏极、像素电极和公共电极，像素电极和公共电极形成电场，所述多个像素单元包括多个第一像素单元和多个第二像素单元；其中，相邻两个像素单元的电场方向相反，且在所述数据线的上方制备有所述第二像素单元的第二过孔，所述第一像素单元中的所述公共电极通过所述第二像素单元的所述第二过孔与所述第二像素单元中的公共电极电连接。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元中的公共电极位于像素电极之上，所述像素电极与漏极电连接；所述第二像素单元中的像素电极位于公共电极之上，所述像素电极通过位于第二像素单元的第一过孔与漏极电连接。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，沿数据线方向，所述第一像素单元和第二像素单元间隔排列，且沿栅线方向，相邻两行中，一行全为所述第一像素单元，另一行全为所述第二像素单元。4.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，沿栅线方向，所述第一像素单元和第二像素单元间隔排列，且沿数据线方向，相邻两列中，一列全为所述第一像素单元，另一列全为所述第二像素单元。5.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，沿数据线方向，所述第一像素单元和第二像素单元间隔排列，且沿栅线方向，所述第一像素单元和第二像素单元间隔排列。6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一像素单元中的公共电极与像素电极同层设置，第一像素单元中的公共电极的支电极与像素电极的支电极绝缘交替排列；所述第二像素单元中的公共电极与像素电极同层设置，第二像素单元中的公共电极的支电极与像素电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧俊，林珧，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31