一种像素结构、显示面板、显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素结构，包含扫描线；数据线，与扫描线交叉形成像素单元区域，且相互绝缘；第一电极，形成在像素单元区域内；第二电极，与第一电极绝缘，且位于第一电极下方；信号线，与最上层电极采用同种材料制成且位于同层，其中，信号线与最上层电极绝缘设置。这种像素结构能够减少触摸面板与显示面板的结合工艺，同时减薄面板厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构、包含该像素结构的液晶面板，以及包含该像素结构的的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示面板和液晶显示装置是目前主流显示面板之一，随着近年来触摸屏手机、导航系统等电子设备的普及，在显示元件上安装触摸面板的电子设备越来越多。触摸面板上有接收信号线和驱动信号线，接收信号是发射端，用于发射检测线号，而驱动信号线用于接受检测信号值，传导至IC进行运算。对于安装有触摸面板的电子设备，通过按压其触摸面板表面，就能进行相应操控，实现显示装置的各种功能和效果，这种直接的操作方式深受大众的喜爱。随着技术的进步，人们对于显示器件的要求也越来越高，轻薄化是当今的流行趋势之一，如何在实现相同功能的条件下，减小显示器件的厚度，也是人们致力于研究的问题之一。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种像素结构、显示面板、显示装置及其制造方法，能够减少触摸面板与显示面板的结合工艺。本法明包括一种像素结构，包含：扫描线；数据线，与所述扫描线交叉形成像素单元区域，且相互绝缘；第一电极，形成在所述像素单元区域内；第二电极，与所述第一电极绝缘，且位于所述第一电极下方；信号线，与最上层电极采用同种材料制成且位于同层，其中，所述信号线与最上层电极绝缘设置。本专利技术还提供了一种液晶显示面板，包括：TFT阵列基板；与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板；设置于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间的液晶>层；所述TFT阵列基板包含上述的像素结构。本专利技术还提供了一种液晶显示装置，包括上述任一种的液晶显示面板。本专利技术还提供了一种制造像素结构的工艺方法，包括：提供一基板，在基板上沉积TFT，在TFT上方沉积绝缘层，在绝缘层上方沉积并刻蚀出第二电极，在第二电极上方沉积绝缘层，在绝缘层的上方沉积第一电极，刻蚀第一电极的同时，刻蚀出不与第一电极接触的信号线。本专利技术还提供了一种制造像素结构的工艺方法，包括：提供一基板，在基板上沉积TFT，在TFT上方沉积绝缘层，在绝缘层上方沉积并刻蚀出第二电极，在第二电极上方沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上方沉积并刻蚀出第一电极，在第一电极上方沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上方沉积第三电极，刻蚀第三电极的同时，刻蚀出不与第三电极接触的信号线。本专利技术具有如下一种或多种的技术效果：1、能够减少触摸面板与显示面板的结合工艺；2、能够减薄面板厚度；3、能够增大电极之间的横向电场和存储电容，防止串扰、闪烁现象的发生。附图说明图1为现有技术的像素结构俯视图示意图；图2为图1中A-A’的剖视图；图3本专利技术第一实施例提供的像素结构俯视图示意图；图4为图3中B-B’的剖视图；图5为本专利技术第二实施例提供的像素结构的俯视结构示意图；图6为图5中C-C’的剖视图；图7为图5中D-D’的剖视图；图8为图1所示的像素结构的横向电场分布与图5所示的像素结构的横向电场的分布对比示意图；图9为本专利技术第二实施例提供的像素结构的俯视结构示意图；图10为本专利技术第三实施例提供的像素结构的俯视结构示意图;图11为本专利技术提供的面板示意图；图12为本专利技术提供的显示装置示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的几种实施例，而非全部实施方式，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。目前，触摸屏类显示装置的制造可分为in cell式、on cell式和外挂式。外挂式产品中，外置的触摸面板部件与液晶面板未能实现一体化，很难实现面板的薄型化和轻量化。另外，在将触摸面板外置于液晶面板的方式中，液晶和触摸面板之间存在物理空间，因此，在液晶面板的上面和触摸面板的下面之间会反射外来光线等，导致在室外等明亮的环境下的可视性降低。因此，近年来，将触摸面板、液晶面板一体化制造是人们关注及研究的热点。On cell产品在彩色滤光片基板和偏光片之间形成透明电极，难度较低。技术上尚未能很好的克服薄型化、触控时产生的颜色不均等问题。In-Cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，即在显示屏内部嵌入触摸传感器功能，这样能使屏幕变得更加轻薄，但是它制备工艺复杂，导致良率较低，因此，如何能节省触摸屏类显示装置的工艺、提高其良率、降低其成本是人们致力于解决的问题。此外，液晶显示模式主要有TN（Twisted Nematic）型、VA（Virtical Alignment）型、IPS（In Plane Switching）型、FFS（Fringe Field Switching）型等。其中，IPS/FFS型液晶显示面板由于具有优越的广视角等特性，得到广泛的应用。图1是现有技术中FFS型液晶显示的像素结构示意图，包含扫描线111；与扫描线绝缘交叉的数据线112；位于扫描线111和数据线112交叉处的薄膜晶体管（TFT）113；由扫描线111与数据线112围成的像素区域。该像素结构的具体结构可以参考图1和图2，图2为图1中A-A’的剖视图。结合图1和图2可以看出，该像素结构包括多个条形像素电极114、片状公共电极115以及设置于像素电极114和公共电极115之间使二者绝缘的绝缘层116；像素电极114和公共电极115之间产生基本平行于基板110的电场。在该像素结构中，像素电极114与公共电极115重叠的区域形成电容，随着现今产品PPI（pixel per inch)的增大，像素节距（Pitch）越来越小，相对应地，像素存储电容也越来越小，存储电容不足会导致显示中出现串扰、闪烁等多种不良现象，也是现今需要解决的问题之一。请参照图3，为本专利技术像素结构的第一实施例示意图，在本实施例中，基板上包括多条扫描线211，多条数据线212，扫描线211与数据线212绝缘交叉形成像素单元区域。请参照图4，图4为图3中B-B’的剖视图。结合图3和图4可以看出，该像素结构包括第一电极214和第二电极215，二者之间设置有第一绝缘层216。第一电极214位于第一绝缘层216上侧，第二电极215位于第一绝缘层216下侧。第一电极214和第二电极215之间产生电场，使得液晶分子（图未示）发生旋转。可选地，第一电极214为条状，第二电极215为片状。第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包含：扫描线；数据线，与所述扫描线交叉形成像素单元区域，且相互绝缘；第一电极，形成在所述像素单元区域内；第二电极，与所述第一电极绝缘，且位于所述第一电极下方；信号线，与最上层电极采用同种材料制成且位于同层，其中，所述信号线与最上层电极绝缘设置。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包含：
扫描线；
数据线，与所述扫描线交叉形成像素单元区域，且相互绝缘；
第一电极，形成在所述像素单元区域内；
第二电极，与所述第一电极绝缘，且位于所述第一电极下方；
信号线，与最上层电极采用同种材料制成且位于同层，其中，所述信号
线与最上层电极绝缘设置。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，第一电极为像素电极，
第二电极为公共电极。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，第一电极为条状，第二
电极为片状。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含位于所述第一电
极上方的第三电极，其中所述第三电极与所述第二电极具有相同电位。
5.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述信号线与所述
扫描线平行设置。
6.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极为片状，
所述第二电极为条状，所述第三电极为条状。
7.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极与所
述第三电极在像素单元区域平面的垂直方向上全部或部分交叠。
8.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极与所述第
二电极在像素单元区域平面的垂直方向上全部或部分交叠。
9.根据权利要求2或4所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极间隔
设置，形成有一个或多个缝隙，其中，所述第三电极在像素单元区域平面
的垂直方向上不覆盖第一电极的缝隙区域。
10.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述全部第三电极在

\t像素单元区域平面的垂直方向上均不覆盖第一电极的缝隙区域。
11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，傅炯樑，简守甫，夏志强，席克瑞，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31