一种透明导电膜的制造方法及透明导电膜技术

本发明专利技术公开了一种透明导电膜的制造方法及透明导电膜，制造方法包括以下步骤：1)选择透明基底，对所述透明基底材料表面进行清洗；2)制备浓度为0.01～10mg/mL的纳米银线分散液；3)将步骤2)制备的纳米银线分散液喷涂在所述透明基底材料的表面；4)干燥所述纳米银线分散液，获得叠加在所述透明基底材料表面的纳米银线材料层；5)采用功率为10～5000W的射频管产生等离子体，对所述纳米银线材料层进行30秒至30分钟的等离子处理。本发明专利技术的制造方法，通过采用特定的等离子处理方式对纳米银线材料层进行处理，可提高制得的透明导电膜的导电性。同时，本发明专利技术的制造方法省去了纳米银线原料的清洗提纯工艺，也无需高要求的透明基底材料，因此工艺简单，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电膜的制造方法及透明导电膜【
】本专利技术涉及微电子材料制备技术，特别是涉及一种透明导电膜的制造方法及制得的透明导电膜。【
技术介绍
】采用纳米银线为主要成分的柔性透明导电膜具有优异的可见光区的透光性能、导电性能以及抗曲挠性能，已广泛应用在各种显示屏以及太阳能电池等领域。现有的透明导电膜的制造方法中，首先要对透明基底材料清洗，还要对纳米银线原料进行清洗提纯除去原料表面残留的绝缘的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，然后将纳米银线原料制成纳米银线分散液后，将纳米银线分散液涂覆在透明基底材料上，经干燥后即制备得到透明导电膜。此制备方法下，完全洗净纳米银线原料的聚乙烯吡咯烷酮对提纯、清洗的工艺提出了很高的要求，导致生产流程较长，生产成本较高。也有一些制造方法中提出不进行清洗提纯工艺，直接将纳米银线原料制成纳米银线分散液后涂覆使用，制备得到透明导电膜后进行热处理，通过热处理，纳米银线表面残留的聚乙烯吡咯烷酮在较高温度下分解，从而降低纳米银线的接触电阻，改善制得的透明导电膜的导电性。然而该方法中，进行热处理对透明基底的损伤较大，会导致透明基底的卷曲及基底透光性的下降，因此该方法对透明基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)选择透明基底，对所述透明基底材料表面进行清洗；2)制备浓度为0.01～10mg/mL的纳米银线分散液；3)将所述步骤2)制备的纳米银线分散液均匀喷涂在所述透明基底材料的表面；4)干燥所述纳米银线分散液，获得叠加在所述透明基底材料表面的纳米银线材料层；5)采用功率为10～5000W的射频管产生等离子体，对所述纳米银线材料层进行30秒至30分钟的等离子处理。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于:包括以下步骤:1)选择透明基底，对所述透明基底材料表面进行清洗；2)制备浓度为0.0l?10mg/mL的纳米银线分散液；3)将所述步骤2)制备的纳米银线分散液均匀喷涂在所述透明基底材料的表面；4)干燥所述纳米银线分散液，获得叠加在所述透明基底材料表面的纳米银线材料层；5)采用功率为10?5000W的射频管产生等离子体，对所述纳米银线材料层进行30秒至30分钟的等离子处理。2.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于:所述步骤5)中对所述纳米银线材料层进行等离子处理时在保护性气氛或者反应性气氛下进行。3.根据权利要求2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于:所述保护性气氛为氮气、IS气、氦气、氖气中的一种或者混合气体。4.根据权利要求2所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于:所述反应性气氛为空气、氧气、氢气、氨气、二氧化碳中的一种或者混合气体。5.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于:所述步骤5)之后还包括:6)制备质量百分比为0.1?5wt%的高分子材料溶液，将制得的所述高分子材料溶液均匀喷涂在所述步骤5)中经过等离子处理的纳米银线材料层上；7)干燥所述高分子材料溶液，形成均匀透明的高分子材料层，覆盖在所述纳米银线材料层上，最终制得透明导电膜。6.根据权利要求5所述的透明导电膜的制造方法，其特征在于:所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨诚，张哲旭，谢奇森，
申请(专利权)人：清华大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44