等离子体处理系统中的惰性主导脉冲技术方案

提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理系统中的惰性主导脉冲 优先权要求本申请根据美国专利法35条119(e)要求如下共同拥有的临时专利申请的优先权:名称为“等离子体处理系统中的惰性主导脉冲”、美国申请号61/560005，由KerenJacobs Kanarik于2011年11月15日提交，其全部内容并入本文作参考。
技术介绍
等离子体处理系统早已被采用来处理衬底(例如晶片或者平板或者LCD面板)，以形成集成电路或者其他电子产品。流行的等离子体处理系统可能包含电容耦合的等离子体处理系统(CCP)或者电感耦合的等离子体处理系统(ICP)等等。一般而言，等离子体衬底处理涉及离子和自由基(也被称为中性粒子)的平衡。例如，对于与离子相比具有较多自由基的等离子体，蚀刻趋向于更具化学性且各向同性。对于与自由基相比具有较多离子的等离子体，蚀刻趋向于更具物理性，且选择性问题往往出现。在传统等离子体腔室中，离子和自由基趋向于密切耦合。相应地，(相对于处理参数的)处理窗趋向于相当狭窄，因为存在有限的控制旋钮来独立实现离子主导的等离子体或者自由基主导的等尚子体。 随着电子设备变得更小和/或更复杂，诸如选择性、均一性、高深宽比、深宽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理等离子体处理系统的等离子体处理腔室中的衬底的方法，所述等离子体处理腔室具有至少一个等离子体产生源和向所述等离子体处理腔室的内部区域提供处理气体的至少气体源，所述方法包括：用具有射频频率的射频信号来激发所述等离子体产生源；以及使用至少第一气体脉冲频率来给所述气体源施加脉冲，使得在与所述第一气体脉冲频率关联的气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至所述等离子体处理腔室，并且在与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至所述等离子体处理腔室，相对于所述第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，所述第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低，其中，所述第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.15 US 61/560,005;2012.07.16 US 13/550,5471.一种用于处理等离子体处理系统的等离子体处理腔室中的衬底的方法，所述等离子体处理腔室具有至少一个等离子体产生源和向所述等离子体处理腔室的内部区域提供处理气体的至少气体源，所述方法包括: 用具有射频频率的射频信号来激发所述等离子体产生源；以及 使用至少第一气体脉冲频率来给所述气体源施加脉冲，使得在与所述第一气体脉冲频率关联的气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至所述等离子体处理腔室，并且在与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至所述等离子体处理腔室，相对于所述第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，所述第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低，其中，所述第二处理气体通过从所述第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理腔室代表电感耦合的等离子体处理腔室，所述至少一个等离子体产生源代表至少一个电感天线。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理腔室代表电容耦合的等离子体处理腔室，所述至少一个等离子体产生源代表电极。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的所述惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以至少部分补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以充分补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括相对于在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间的惰性气体的流，使在所述气体脉冲周期的所述第二部分期间较大的所述惰性气体的流流过，以更加充分地补偿通过所述去除所述至少一部分所述反应气体流导致的压力降。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括在与所述气体脉冲周期关联的所述气体脉冲周期的第三部分期间，使第三处理气体流至所述等离子体处理腔室，其中，所述第三处理气体具有的反应气体比惰性气体的比率不同于与所述第一处理气体关联的反应气体比惰性气体的比率,所述第三处理气体具有的所述反应气体比惰性气体的比率也不同于与所述第二处理气体关联的反应气体比惰性气体的比率。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述给所述气体源施加脉冲还包括在与所述气体脉冲周期关联的所述气体脉冲周期的第四部分期间，使第四处理气体流至所述等离子体处理腔室，其中，所述第四处理气体具有的反应气体比惰性气体的比率不同于与所述第一处理气体关联的所述反应气体比惰性气体的比率，所述第四处理气体具有的所述反应气体比惰性气体的比率也不同于与所述第二处理气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：克伦·雅克布卡纳里克，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US