一种无辅助结构的无芯基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种无辅助结构的无芯基板的制造方法，包括：在半固化片的双面覆盖铜箔，进行层压压合形成具有双面铜箔的基板，将上表面除边缘以外的铜减薄，下表面全部减薄；从基板的上表面向下进行激光钻孔，并在基板上进行双面沉铜、电镀，在基板双面形成铜层；对基板的正面进行蚀刻形成金属线路图形，然后对基板正面进行半固化片预压合，在基板正面形成介质层；对基板的背面进行蚀刻形成金属线路图形，然后在基板背面贴半固化片进行压合，使基板双面形成介质层；采用激光钻孔机对基板两面的介质层打盲孔，并对基板两面进行化学镀铜、电镀铜、图形化及蚀刻工艺，在基板两面形成第二层线路；对完成的基板进行表面处理，得到无辅助结构的无芯基板。

【技术实现步骤摘要】
一种无辅助结构的无芯基板的制造方法
本专利技术涉及一种基板，更具体地，涉及一种无辅助结构的无芯基板(Corelesssubstrate)的制造方法。
技术介绍
无芯基板非常薄，强度低，需要对其进行加固后才能加工。现有技术中制造无芯基板的方法主要有以下几种：第一，采用热变性胶水粘胶0.1-0.2mm厚的铜板，以铜板作为起始层开始往上加工，最后得到无芯基板。第二，采用厚铜板作为临时载板，无芯基板制作时，厚铜板做支撑增加强度，然后采用载板和无芯基板的分离工艺分离得到无芯基板。载板和无芯基板的分离工艺是用阻焊层隔离载板和无芯基板，第一层无芯基板的铜凸点做的很厚，增加脱离时无芯基板铜凸点的强度，防止凸点开裂。第三，采用厚铜板或者双面覆铜板等作为临时载板，然后采用载板和无芯基板的分离工艺分离得到无芯基板。载板和无芯基板的分离工艺是用干膜隔离开载板和无芯基板，加工完成后剥离干膜就能实现载板和无芯基板的分离。第四，利用PP的热粘性将两个无芯基板粘合在一起，增加基板强度。加工完毕后对把多余pp切除，实现两个无芯基板的分离得到无芯基板。第五，采用介质框作为支撑，在框的上下面安装可拆卸的铜板，制作第一层基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无辅助结构的无芯基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：步骤10：在半固化片的双面覆盖铜箔，进行层压压合形成具有双面铜箔的基板，并对基板上表面的边缘进行保护，将上表面除边缘以外的铜减薄，下表面全部减薄；步骤20：从基板的上表面向下进行激光钻孔，并在基板上进行双面沉铜、电镀，在基板双面形成铜层；步骤30：对基板的正面进行蚀刻形成金属线路图形，然后对基板正面进行半固化片预压合，在基板正面形成平整的介质层；步骤40：对基板的背面进行蚀刻形成金属线路图形，然后在基板背面贴上半固化片，进入高温压机压合，使基板双面形成介质层，并完全固化；步骤50：采用激光钻孔机对基板两面的介质层打盲孔，并对基板两面进...

【技术特征摘要】
1.一种无辅助结构的无芯基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：步骤10：在半固化片的双面覆盖铜箔，进行层压压合形成具有双面铜箔的基板，并对基板上表面的边缘进行保护，将上表面除边缘以外的铜减薄，下表面全部减薄；步骤20：从基板的上表面向下进行激光钻孔，并在基板上进行双面沉铜、电镀，在基板双面形成铜层；步骤30：对基板的正面进行蚀刻形成金属线路图形，然后对基板正面进行半固化片预压合，在基板正面形成平整的介质层；步骤40：对基板的背面进行蚀刻形成金属线路图形，然后在基板背面贴上半固化片，进入高温压机压合，使基板双面形成介质层，并完全固化；步骤50：采用激光钻孔机对基板两面的介质层打盲孔，并对基板两面进行化学镀铜、电镀铜、图形化及蚀刻工艺，在基板两面形成第二层线路；步骤60：对完成的基板进行表面处理，得到无辅助结构的无芯基板。2.根据权利要求1所述的无辅助结构的无芯基板的制造方法，其特征在于，步骤10中所述半固化片采用BT树脂、环氧树脂、ABF、聚四氟乙烯或加陶瓷填充物的碳氢化合物树脂；步骤10中所述半固化片的厚度为25μm至50μm，铜箔的厚度为35μm；步骤10中所述对基板上表面的边缘进行保护，将上表面除边缘以外的铜减薄，下表面全部减薄，上下表面的厚度均被减薄至1-5μm，使上表面形成一个带有铜框架铜层。3.根据权利要求1所述的无辅助结构的无芯基板的制造方法，其特征在于，步骤20中所述从基板的上表面向下进行激光钻孔，得到的孔是通孔或盲孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙瑜，何晓锋，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11