含二氟甲氧醚桥键（CF2O）的单体液晶化合物的制备方法技术

本发明专利技术提供一种含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物的制备方法，包括以下步骤：(1)以式Ｉ结构的化合物为原料，与锌试剂和铜盐的催化作用下，在溶剂存在下反应生成式II结构的化合物；(2)以式II结构的化合物和氟化试剂在溶剂存在的条件下发生氟化反应，生成式III结构的化合物；(3)以式III结构的化合物和式IV硼酸，在溶剂存在的条件下，发生SUZUKI偶联反应，得到式V结构含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物：所述式V含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物如下所示：

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以式Ｉ结构的化合物为原料，与锌试剂和铜盐的催化作用下，在溶剂存在下反应生成式II结构的化合物；所述式Ｉ化合物如下所示：其中所述选自苯基、环己基或其组合，其中X5、X6、X7、X8、X9选自F、Br、Cl、H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9、C5H11或CH2OCH3，或选自COOR’或CH2COOR’的酯基，其中所述R’为C1‑C8烷基；Hal为卤素取代基；所述式II化合物如下所示：其中所述选自苯基、环己基或其组合，其中X1、X2、X3、X4选自F、Br、Cl或H；其中所述选自苯基、环己基或其组合，其中X5、X6、X7、X8、X9选自F、Br、Cl、H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9、C5H11或CH2OCH3，或选自COOR’或CH2COOR’酯基，其中所述R’为C1‑C8烷基；(2)以式II结构的化合物和氟化试剂在溶剂存在的条件下发生氟化反应，生成式III结构的化合物；所述式III化合物如下所示：其中所述选自苯基、环己基或其组合，其中X1、X2、X3、X4选自F、Br、Cl或H；其中所述选自苯基、环己基或其组合，其中X5、X6、X7、X8、X9选自F、Br、Cl、H、CH3、C2H5、C3H7、C4H9、C5H11或CH2OCH3，或选自COOR’或CH2COOR’酯基，其中所述R’为C1‑C8烷基；(3)以式III结构的化合物和式IV硼酸，在溶剂存在的条件下，发生SUZUKI偶联反应，得到式V结构含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物：所述式IV硼酸如下所示：其中所述R选自C1‑C5取代或未取代的烷基、酯基或其组合；其中所述选自苯基、环己基及其衍生物或其组合；所述式V含二氟甲氧醚桥键(CF2O)的单体液晶化合物如下所示：...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾原，吴华锋，张麦旋，彭勇，焦海华，常文化，
申请(专利权)人：上海康鹏化学有限公司，衢州康鹏化学有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31