【技术实现步骤摘要】
—种少数层砸化铋纳米片的制备方法
本专利技术涉及硒化铋体材料，尤其是涉及。
技术介绍
拓扑绝缘体是一类体相绝缘，但表面却表现出特殊金属态的一种新型的量子物质，其在凝聚态物理、化学领域以及材料领域正在掀起一股研究热潮。它的这种性质主要是由于其自旋轨道相互作用与时间反演对称性的耦合所造成的(Nature，2010, 464:194-198 ；Nature Chemistry, 2011，3:845-849)。其中，硒化秘(Bi2Se3)所展现的拓扑绝缘体性质让它成为一种具有良好应用前景的材料(Nature，2009，460:1101-1105)。目前，制备少数层或单层Bi2Se3纳米片主要依靠自下而上的方式，通过化学反应从原子或者分子尺度上进行合成(Journal of the American Chemical Society, 2012，134:6132-6135 ;Journal of the American Chemical Society, 2012，134:2872-2875)。在自上而下的合成过程中，从单晶块体样品中通过机械剥离或者化学剥离的方...
【技术保护点】
一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸装入反应釜中进行水热合成反应，得到的混合液离心，去除上清液，再分别用超纯水和无水乙醇洗涤，干燥后得Bi2Se3粉末；2)将步骤1)得到的Bi2Se3粉末加入到N‑甲基吡咯烷酮溶剂或溶有壳聚糖的醋酸溶液中，超声后，得少数层Bi2Se3纳米片的分散液，再静置，取其上层三分之二的部分放到离心机中低速离心，收集离心所得的上层液，再将所得的上层液放到离心机中高速离心，去掉上清部分，将所得的下层物质用NMP或醋酸溶液进行重分散，最终得到分散在溶液里的少数层硒化铋纳米片。
【技术特征摘要】
1.一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于包括以下步骤: 1)将硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸装入反应釜中进行水热合成反应，得到的混合液离心，去除上清液，再分别用超纯水和无水乙醇洗涤，干燥后得Bi2Se3粉末； 2)将步骤1)得到的Bi2Se3粉末加入到N-甲基吡咯烷酮溶剂或溶有壳聚糖的醋酸溶液中，超声后，得少数层Bi2Se3纳米片的分散液，再静置，取其上层三分之二的部分放到离心机中低速离心，收集离心所得的上层液，再将所得的上层液放到离心机中高速离心，去掉上清部分，将所得的下层物质用NMP或醋酸溶液进行重分散，最终得到分散在溶液里的少数层硒化铋纳米片。2.如权利要求1所述一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于在步骤I)中，所述硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸的配比为3mmol:1mmol ； 0.9g ； 36mL: 4mmol。3.如权利要求1所述一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，其特征在于在步骤I)中，所述水热合成反应的温度为180~200°C，水热合成反应的时间为20h。4.如权利要求1所述一种少数层硒化铋纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员：翁建，孙莉萍，林智钦，彭健，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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