半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗。本发明专利技术所形成半导体结构的性能较佳。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semiconductor，MOS）晶体管已成为集成电路中常用的半导体结构。所述MOS晶体管主要包括：P型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管和N型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管。现有工艺在形成MOS晶体管时主要包括如下步骤：首先，在半导体衬底上由下至上依次形成氧化硅层和多晶硅层；接着，对所述多晶硅层进行离子注入，以调节所形成MOS晶体管的阈值电压；再接着，在所述多晶硅层上形成掩膜层，所述掩膜层的位置和形状分别与后续形成的栅极结构的位置和形状对应；再接着，以所述掩膜层为掩模，刻蚀所述多晶硅层和氧化层，形成包括栅介质层和位于栅介质层上栅极的栅极结构；再接着，去除所述掩膜层，并通过湿法清洗去除刻蚀工艺残留的聚合物；然后，形成覆盖所述栅极结构侧壁的侧墙；最后，以所述栅极结构及其侧壁上的侧墙为掩模，对所述半导体衬底进行离子注入，形成源区和漏区。然而，在湿法清洗之后，对所形成栅极结构以及栅极结构两侧的半导体衬底表面进行检查时发现，现有通过湿法清洗工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗，所述进行灰化处理包括：先进行第一灰化处理，再进行第二灰化处理；所述第一灰化处理的气体为氧气，所述第二灰化处理的气体为氮气和氢气的混合气体。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述多晶硅层和进行灰化处理在不同的设备中进行。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述多晶硅层的设备为感应耦合等离子体刻蚀设备，进行灰化处理的设备为下游微波等离子体反应器。4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一灰化处理的温度小于或者等于100℃，压强为100mTorr～500mTorr，射频电源的功率为100W～5000W，氧气的流量为10sccm～500sccm，时间为10s～600s。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二灰化处理的温度为275℃～400℃，压强为100mTorr～500mTorr，射频电源的功率为100W～5000W，时间为10s～600s。6.如权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，孟晓莹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31