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一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行离子注入；刻蚀所述多晶硅层，形成功能层；依次进行灰化处理和湿法清洗。本发明所形成半导体结构的性能较佳。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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