用于非平面晶体管的夹层电介质制造技术

本发明专利技术涉及在非平面晶体管中形成第一级夹层电介质材料层，其可以借助旋涂技术，之后借助氧化和退火来形成。第一级夹层电介质材料层可以基本上没有空隙，并可以对非平面晶体管的源极/漏极区施加拉伸应变。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于非平面晶体管的夹层电介质
本说明的实施例总体上涉及微电子器件制造的领域，更具体地，涉及在非平面晶体管中的第一级夹层电介质(interlayerdielectric)材料层的制造。附图说明在说明书的结束部分中特别指出并明确要求了本公开内容的主题。依据以下的说明和所附权利要求书并结合附图，本公开内容的在前的及其他特征会变得更充分地显而易见。应当理解，附图仅示出了根据本公开内容的几个实施例，因此不应认为限制本公开内容的范围。通过使用附图，将借助额外的特征和细节来描述本公开内容，以便更易于确定本公开内容的优点，在附图中：图1是根据本说明的实施例的非平面晶体管的透视图。图2示出了形成在微电子衬底中或上的非平面晶体管鳍片的侧视截面图。图3示出了根据本说明的实施例的在图2的非平面晶体管鳍片之上沉积的牺牲材料的侧视截面图。图4示出了根据本说明的实施例的沟槽的侧视截面图，所述沟槽形成在所沉积的牺牲材料中以露出图3的非平面晶体管鳍片的一部分。图5示出了根据本说明的实施例的在图4的沟槽中形成的牺牲栅极的侧视截面图。图6示出了根据本说明的实施例的在去除了图5的牺牲材料之后的牺牲栅极的侧视截面图。图7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造微电子晶体管的方法，包括：形成晶体管栅极，所述晶体管栅极包括邻近衬底的栅极电极和位于所述栅极电极的相对侧上的一对栅极隔离物；形成源极/漏极区；邻近所述源极/漏极区并邻近至少一个栅极隔离物形成第一夹层电介质材料层；氧化所述第一夹层电介质材料层；以及对所述第一夹层电介质材料层进行退火。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造微电子晶体管的方法，包括：形成晶体管栅极，所述晶体管栅极包括邻近衬底的栅极电极和位于所述栅极电极的相对侧上的一对栅极隔离物；形成源极/漏极区；邻近所述源极/漏极区并邻近至少一个栅极隔离物形成第一夹层电介质材料层；通过氧化所述第一夹层电介质材料层的一部分并且对所述第一夹层电介质材料层的所述一部分进行退火来形成所述第一夹层电介质材料层的硬化部分从而使所述第一夹层电介质材料层包括所述硬化部分和非硬化部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一夹层电介质材料层包括：以旋涂技术沉积所述第一夹层电介质材料层。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述第一夹层电介质材料层之前，邻近所述源极/漏极区并邻近至少一个栅极隔离物形成粘附衬垫。4.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一夹层电介质材料层包括：在蒸汽气氛中加热所述第一夹层电介质材料层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在蒸汽气氛中加热所述第一夹层电介质材料层包括：在93％蒸汽气氛中，将所述第一夹层电介质材料层加热2小时，到410摄氏度的温度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一夹层电介质材料层进行退火包括：在惰性气氛中借助高密度等离子体对所述第一夹层电介质材料层进行退火。7.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述第一夹层电介质材料层进行氧化和退火使所述第一夹层电介质材料层收缩，以对所述源极/漏极区施加拉伸应变。8.一种制造微电子晶体管的方法，包括：在非平面晶体管鳍片之上形成牺牲非平面晶体管栅极；在所述牺牲非平面晶体管栅极和所述非平面晶体管鳍片之上沉积电介质材料层；从所述电介质材料层的邻近所述牺牲非平面晶体管栅极的部分形成非平面晶体管栅极隔离物；形成源极/漏极区；去除所述牺牲非平面晶体管栅极，以在所述非平面晶体管栅极隔离物之间形成栅极沟槽并露出所述非平面晶体管鳍片的一部分；在所述栅极沟槽内邻近所述非平面晶体管鳍片形成栅极电介质；在所述栅极沟槽内沉积导电栅极材料；去除所述导电栅极材料的一部分，以在所述非平面晶体管栅极隔离物之间形成凹陷；在所述凹陷内形成覆盖电介质结构；邻近所述源极/漏极区并邻近所述非平面晶体管栅极隔离物形成第一夹层电介质材料层；以及氧化所述第一夹层电介质材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·普拉丹，J·卢斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US