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本发明涉及在非平面晶体管中形成第一级夹层电介质材料层，其可以借助旋涂技术，之后借助氧化和退火来形成。第一级夹层电介质材料层可以基本上没有空隙，并可以对非平面晶体管的源极/漏极区施加拉伸应变。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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