背镀金属LED的切割方法技术

本发明专利技术提供了一种背镀金属LED的切割方法，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤生长SiO2层、涂覆光刻胶、光刻、蚀刻SiO2沟槽、GaN刻蚀、去光刻胶、SiO2腐蚀、隐形切割。由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。

【技术实现步骤摘要】
背镀金属LED的切割方法
本专利技术涉及一种LED切割方法。
技术介绍
现有技术中针对背镀金属的LED，其切割通常采用正表面激光普通切割；这种切割方式带来的缺点是，正表面激光普通切割对LED侧壁出的光吸收较大，影响出光效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提高背镀金属LED的出光效率，增加侧壁出光，提高出光效率。为了达到上述技术目的，本专利技术提供了一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤: (a)生长5102层:生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层； (b)涂覆光刻胶:在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶； (c)光刻:通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶； Cd)蚀刻SiO2沟槽:蚀刻除去位于分割位置处的SiO2 ； (e) GaN刻蚀:蚀刻除去位于分割位置处的GaN层； Cf)去光刻胶:去除剩余的光刻胶； (g)SiO2腐蚀:去除剩余的SiO2 ；(h)隐形切割:通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。优选地，所述的基板为蓝宝石基板。优选地，所述的金属背板为铝背板。由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。【附图说明】附图1为背镀金属LED的结构示意图； 附图2为根据本专利技术的步骤(a)的示意图； 附图3为根据本专利技术的步骤(b)的示意图； 附图4为根据本专利技术的步骤(C)的示意图； 附图5为根据本专利技术的步骤(d)的示意图； 附图6为根据本专利技术的步骤(e)的示意图； 附图7为根据本专利技术的步骤(f)的示意图； 附图8为根据本专利技术的步骤(g)的示意图； 附图9为根据本专利技术的步骤(h)的示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参见附图1至附图9，为根据本专利技术的背镀金属LED的切割方法的生产加工流程示意图。如附图1所示，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，其中，基板为蓝宝石基板，金属背板为铝背板。本实施例中的背镀金属LED的切割方法，包括如下步骤: (a)生长SiO2层:如附图2所不,生长一层覆盖于N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层； (b)涂覆光刻胶:如附图3所示，在SiO2层上方涂覆光刻胶； (c)光刻:如附图4所示，通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶； Cd)蚀刻SiO2沟槽:如附图5所示，蚀刻除去位于分割位置处的SiO2 ； (e) GaN刻蚀:如附图6所示，蚀刻除去位于分割位置处的GaN ； Cf)去光刻胶:如附图7所示，去除剩余的光刻胶； (g)SiO2腐蚀:如附图8所示，去除剩余的SiO2 ； (h)隐形切割:如附图9所示，通过隐形切割的方式于分割位置切割基板与金属背板。由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率。隐形切割系将激光聚光于工件内部，在工件内部形成变质层，通过扩展胶膜分割晶粒，由于隐形切割可缩小切割道宽度(切害I]宽度)，因此，与一般的切割相比增加由芯片制造长形晶粒个数；由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度；因此可以抑制加工屑的产生，适用于抗污能力差的工件，适用于抗负荷能力差的工件，且采用不需清洗的干式加工制程，简化了前制程的工艺。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N‑GaN层、分别位于所述的N‑GaN层上方的负极、P‑GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，其特征在于：该方法包括依次进行的如下步骤：（a）生长SiO2层：生长一层覆盖于所述的N‑GaN层、负极、P‑GaN层以及正极上方的SiO2层；（b）涂覆光刻胶：在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶；（c）光刻：通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；（d）蚀刻SiO2沟槽：蚀刻除去位于分割位置处的SiO2；（e）GaN刻蚀：蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；（f）去光刻胶：去除剩余的光刻胶；（g）SiO2腐蚀：去除剩余的SiO2；（h）隐形切割：通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。

【技术特征摘要】
1.一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，其特征在于:该方法包括依次进行的如下步骤: (a)生长5102层:生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层； (b)涂覆光刻胶:在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶； (c)光刻:通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李虹，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32