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本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤生长SiO2层、涂覆光刻胶、光刻、蚀...
该专利属于聚灿光电科技(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(苏州)有限公司授权不得商用。

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