Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3-PbTiO3压电陶瓷，其化学式为：(Bi0.8Gd0.2)（Fe1-xGax）O3-PbTiO3，其中x<0.1，即在BGF-PT体系中引入Ga元素，形成BGGF-PT压电陶瓷固溶体系。本发明专利技术还公开了一种BGGF-PT压电陶瓷制备方法，按化学式配料，进行球磨混合，在750℃温度范围内煅烧合成，经多次球磨与煅烧合成至颗粒细小、均匀的BGF-PT粉体，压片，烧结，得到陶瓷制品。本发明专利技术采用Ga元素对BGF-PT系压电陶瓷材料进行改性，制备出了铅含量低、准同型相界范围大、绝缘性好、压电常数高性能优越的BGGF-PT压电陶瓷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ga改性(Bi0.8Gd0.2)FeO3‑PbTiO3压电陶瓷，其特征在于，其化学式为：(Bi0.8Gd0.2)（Fe1‑xGax）O3‑PbTiO3，其中x<0.1，即在(Bi0.8Gd0.2)FeO3‑PbTiO3体系中引入Ga元素，形成BGGF‑PT压电陶瓷固溶体系。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程晋荣，王大磊，陈建国，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31