TFT阵列基板、制造方法及其显示面板技术

本发明专利技术提供了一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。所述TFT阵列基板，薄化了存储电容结构厚度，提高了存储电容的电容值，从而提升其所应用的显示面板的图像显示质量。

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板、制造方法及其显示面板
本专利技术涉及显示器件领域，特别是TFT阵列基板、TFT阵列基板的制造方法以及采用该TFT阵列基板的显示面板。
技术介绍
TFT阵列基板中，集成了多个薄膜晶体管（ThinFilmTransistor,TFT），以驱动LCD或者OLED显示面板中的像素点，再配合外围驱动电路，实现显示面板的图像显示。因此，TFT是控制发光的开关，是实现图像显示的关键因素，直接关系到显示面板的发展方向。然而，现有显示面板技术的TFT阵列基板中，其存储电容区域与栅绝缘层叠加，导致不同介质层叠形成的结构厚度较厚，相应地降低了存储电容的电容值，使得电容不足、寄生电容增多，影响了图像显示质量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种，其有效避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或更多的问题。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案之一为：一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，所述存储电容由第一电极层、刻蚀阻挡层和第二电极层依次层叠而组成。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案之二为：一种TFT阵列基板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其包括：第一电极层、第二电极层、绝缘层和刻蚀阻挡层；所述阵列基板包含存储电容区域，其中所述存储电容区域中，存储电容包括依次层叠的该第一电极层、该刻蚀阻挡层和该第二电极层；其中，所述存储电容区域中的刻蚀阻挡层与第一、第二电极层直接接触；或所述存储电容区域位于所述第一电极层上方的至少部分绝缘层厚度小于TFT区域位于所述第一电极层上方的绝缘层厚度。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述存储电容区域中，所述第一电极层在所述存储电容区域包括第一区域和第二区域，第一区域设置绝缘层，所述刻蚀阻挡层设于第二区域及部分绝缘层之上。3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包含TFT区域和驱动电路区域，所述驱动电路区域包括：与TFT区域同层设置的第一电极层、绝缘层和第二电极层；所述第一电极层在所述驱动电路区域包括第三区域和第四区域，所述绝缘层设于所述第三区域，第二电极层设于所述第四区域和部分绝缘层之上。4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT区域中，所述第一电极层包括栅极，所述第二电极层包括源极和漏极，所述绝缘层设于第一电极层之上。5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT区域中，还包括半导体层，其位于所述绝缘层与刻蚀阻挡层之间。6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物、非晶硅或者多晶硅。7.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述存储电容区域和驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼均辉，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31