【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。本专利技术的全共轭嵌段共聚物的结构式为：。其中，R1，R2分别为烷基、烷氧基、醚氧基中的任一种；m和n为聚合物主链结构的重复单元数，m、n均为大于零的正整数。合成步骤为：将3-取代噻吩单体和2,5-二取代对苯单体分别进行格氏置换反应形成准活性单体；然后与催化剂配位化合物分别形成配合物；最后通过一定的加料顺序经还原消除反应形成全共轭嵌段聚合物。本专利技术所得到的聚合物具有较宽的紫外吸收光谱范围，荧光发射强，在氯仿、二氯甲烷、邻二氯苯和甲苯中溶解性好。【专利说明】
本专利技术属于高分子聚合物领域，具体涉及。
技术介绍
共轭聚合物由于不仅具有高分子材料的良好的加工和力学性能，还具有半导体所具有的电学和光学特性，并且可以通过改变结构来调节带隙及导电特性，在聚合物太阳能电池、聚合物发光二极管、有机场效应晶体管、生物传感和细胞成像等领域得到了广泛的研究和应用。在有机光电子器件中，共轭聚合物的组装特性和聚集态结构与器件的性能紧密相关。嵌段共聚物由于其分子链的热力学不相容性，可以形成丰富的微纳米组装结构，成为调节聚合物微观聚集态结构的常用方法。将共轭聚合物的光电性能和嵌段共聚物的自组装特性相结合，可以实现聚合物光电性能和聚集态结构的双重调控，从而提高聚合物的应用性倉泛。目前，共轭嵌段共聚物的制备和研究主要集中在刚-柔嵌段共聚物体系(CN102453304 A)。这种体系合成简单，组装结构调节容易，但是由于柔性链段不导电，会大大降低聚合物材料的光电性能，尤其是载流子迁移率。针对这一问题，本专利技术提供了一种全共轭的刚-刚嵌段共聚物及其合...
【技术保护点】
一种全共轭嵌段共聚物，其特征在于该聚合物具有如下结构：结构式中所述的R1，R2分别为烷基、烷氧基或醚氧基中的一种，R1和R2相同或不同；m、n为聚合物主链结构的重复单元数，m、n均为大于零的正整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张雪勤，潘琴，林保平，张旭，章曙，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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