【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共轭稠合噻吩，共轭稠合噻吩的制备方法及其使用 本申请根据35U.S.C. § 119,要求2011年10月31日提交的美国临时申请系列第 61/553, 331号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。 背景 1.领域 本文描述了包含杂环有机化合物的组合物。更具体地，本文描述了稠合噻吩化合 物，其制备方法及其使用。 2.抟术背景 高度共轭的有机材料是目前大量研究活动的焦点，这主要是由于它们令人感兴趣 的电子性质和光电子性质。它们正被研究用于各种应用，包括场效应晶体管（FET)、薄膜晶 体管（TFT)、有机发光二极管（0LED)、电-光（E0)应用，用作导电材料、双光子混合材料、有 机半导体和非线性光学（NL0)材料。高度共轭的有机材料可用于如下装置，例如RFID标签、 平板显示器中的电致发光器件以及用于光伏和传感器器件。 已经深入研究诸如并五苯、聚（噻吩）、聚（噻吩-共-亚乙烯）、聚（对亚苯 基-共-亚乙烯）和低聚（3-己基噻吩）之类的材料用于各种电子应用和光电子应用中。 更近些时候，发现稠合噻吩化合物具有有益性质。例如，发现联二噻吩并[3,2-b:2'，3'-d] 噻吩（1，j = 2)在固体状态下的高效π -堆叠，具有高迁移率（最高至〇. 〇5cm2/V · s)，并 且具有高的开/关比（最高至1〇8)。稠合噻吩的低聚物和聚合物，例如低聚和聚合的（噻 吩并[3, 2-b]噻吩）（2)以及低聚和聚合的（二噻吩并[3, 2-b:2' -3' -d]噻吩）（1)
【技术保护点】
一种化合物，其包含如下化学式100或101：其中a、m和n独立地是大于或等于1的整数；每个X独立地包括共轭基团，其中当a＝1时，X不是芳基，并且当a>1时，所有的X都不是芳基；以及R1和R2独立地是取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、芳基、取代或未取代的环烷基、芳烷基、氨基、酯、醛、羟基、烷氧基、硫醇、硫代烷基、卤化物、酰基卤化物、丙烯酸酯或者乙烯基醚。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.31 US 61/553,3311. 一种化合物，其包含如下化学式100或101 :100101 其中a、m和η独立地是大于或等于1的整数； 每个X独立地包括共轭基团，其中当a = 1时，X不是芳基，并且当a>l时，所有的X都 不是芳基；以及 札和R2独立地是取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、芳 基、取代或未取代的环烧基、芳烧基、氣基、醋、醒、轻基、烧氧基、硫醇、硫代烧基、齒化物、醜 基卤化物、丙烯酸酯或者乙烯基醚。2. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物包括聚合物。3. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，凡和R2中的至少一个包含取代或未取代 的烧基。4. 如权利要求3所述的化合物，其特征在于，&和R2中的至少一个包含未取代的烷基。5. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，a大于或等于2,并且X包括共轭的烯基 或炔基或芳基。6. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物结合到m>l的共轭的稠合噻吩 聚合物或低聚物中。7. 如权利要求1所述的化合物，其特征在于，η为1-15。8. -种包含权利要求1所述的化合物的聚合物，其中，所述聚合物的分子量约为 400-1800道尔顿。9. 一种包含权利要求1所述的化合物的器件，所述器件构造在电子器件、光电子器件 或者非线性光学器件中。10. 如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺明谦，李剑锋，J·R·马修斯，钮渭钧，A·L·华莱仕，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。