晶体管的形成方法、高K栅介质层的形成方法技术

一种晶体管的形成方法、高K栅介质层的形成方法，其中，所述高K栅介质层的形成方法包括：提供具有等离子体源气体的反应腔室，在所述反应腔室的基台表面放置半导体衬底；使反应腔室内的等离子体源气体形成等离子体；向具有等离子体的反应腔室内通入反应物，所述反应物包括氢氧化铪、氢氧化锆和氮气；等离子体轰击所述反应物，形成覆盖所述半导体衬底表面的高K栅介质层，所述高K栅介质层的材料为掺氮的氧锆铪。形成高K栅介质层的工艺步骤简单，且高K栅介质层的质量好，抗热载流子能力强。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；采用等离子体沉积工艺形成位于所述半导体衬底表面的高K栅介质层，其特征在于，所述等离子体沉积工艺采用的反应物为氢氧化铪、氢氧化锆和氮气，所述高K栅介质层的材料为掺氮的氧锆铪；形成位于所述高K栅介质层表面的金属栅电极层；形成位于所述金属栅电极层、高K栅介质层两侧的半导体衬底内的源极和漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31