一种硅基量子阱太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅基量子阱太阳电池，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n-GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。本实用新型专利技术结构简单，设计合理，具有较强的可操作性，而且成本较低，适用于商业化生产。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种硅基量子阱太阳电池，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n-GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。本技术结构简单，设计合理，具有较强的可操作性，而且成本较低，适用于商业化生产。【专利说明】一种硅基量子阱太阳电池
本技术涉及光电半导体材料及太阳电池
，具体涉及一种硅基量子阱太阳电池。
技术介绍
随着世界经济的快速发展，人们对能源的需求日益增加，全球范围内的能源危机和生态环境问题日益恶化，取之不尽用之不竭的太阳能成为了人类未来能源发展的首选。目前，在所有太阳电池中，以硅为基底的太阳电池是目前转换效率最高，技术最为成熟的光伏器件，硅太阳电池占目前世界官方市场的90%以上。尽管硅太阳电池具有较高的光电转换效率，但离理论值还有一定的差距，因此，如何进一步提高硅太阳电池的光电转换效率，降低制造成本成为专家和企业的研究重点。近年来，第三代半导体材料GaN以及InGaN，AlGaN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基量子阱太阳电池，其特征在于，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n‑GaN层上设置有负电极，在Mg掺杂p型GaN接触层上设置有正电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛黎明，周洪全，
申请(专利权)人：北京桑纳斯太阳能电池有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11