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本实用新型公开了一种硅基量子阱太阳电池，从下至上依次包括衬底、P型晶硅层、N型晶硅层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱本征吸收层、AlGaN阻挡层、Mg掺杂p型GaN接触层，其中，在Si掺杂的n-GaN层上设...
该专利属于北京桑纳斯太阳能电池有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京桑纳斯太阳能电池有限公司授权不得商用。

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