光电装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
该申请要求于2012年11月12日在美国专利和商标局提交的第61/725,437号美国临时申请和于2013年7月23日在美国专利和商标局提交的第13/949,147号美国专利申请的优先权和权益，这些申请的全部内容通过引用包含于此。
本专利技术的一个或多个实施例涉及一种光电装置以及一种制造该光电装置的方法。
技术介绍
当前，由于诸如地球的能源耗尽和环境污染的问题，促进了对清洁能源的开发。使用太阳能电池产生的光伏能由太阳光直接转换而来，因此被认为是新的清洁能源。然而，与热能的产生相比，产生光伏能（当前工业上通过使用太阳能电池产生）的成本高，不得不提高太阳能电池的发电效率以拓宽太阳能电池的应用领域。提高发电效率的方法包括减少表面复合损失以及发射极和基极的缺陷，其中，发射极和基极分开并收集由光吸收产生的载流子。
技术实现思路
本专利技术的技术目的本专利技术的一个或多个实施例包括一种光电装置，在该光电装置中，减少了因半导体基底的缺陷导致的载流子复合损失，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电装置，包括：半导体基底，包括单晶硅，半导体基底具有第一表面（S1）和与第一表面基本上相反的第二表面（S2）；掺杂单元，位于半导体基底的第一表面（S1）处，掺杂单元包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂；以及第一绝缘层，位于掺杂单元和半导体基底的第二表面（S2）之间。

【技术特征摘要】
2012.11.12 US 61/725,437;2013.07.23 US 13/949,1471.一种光电装置，包括：
半导体基底，包括单晶硅，半导体基底具有第一表面（S1）和与第一表
面基本上相反的第二表面（S2）；
掺杂单元，位于半导体基底的第一表面（S1）处，掺杂单元包括第一半
导体层和第二半导体层，第一半导体层包括掺杂在单晶硅中的第一掺杂剂，
第二半导体层包括掺杂在单晶硅中的第二掺杂剂；以及
第一绝缘层，位于掺杂单元和半导体基底的第二表面（S2）之间。
2.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体层具有第一导电类
型，并且其中，第二半导体层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。
3.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一绝缘层包括氧化硅。
4.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体层和第二半导体层
通过沟槽彼此分隔开。
5.如权利要求4所述的光电装置，其中，沟槽顺序地穿过半导体基底的
第一表面（S1）、掺杂单元和第一绝缘层延伸。
6.如权利要求4所述的光电装置，其中，第二绝缘层在沟槽上延伸。
7.如权利要求6所述的光电装置，所述光电装置还包括电结合到第一半
导体层的第一电极和电结合到第二半导体层的第二电极。
8.如权利要求7所述的光电装置，其中，第二绝缘层在第一半导体层与
第一电极之间以及第二半导体层与第二电极之间延伸。
9.如权利要求1所述的光电装置，其中，第一半导体层和第二半导体层
交替地布置。
10.一种制造光电装置的方法，所述方法包括：
形成包括单晶硅的半导体基底，其中，半导体基底具有第一表面（S1）
和与第一表面相反的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜允默，朴商镇，李斗烈，金亨基，牟灿滨，朴暎相，徐京真，金珉圣，洪俊基，任兴均，宋珉澈，朴省赞，金东燮，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR