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本发明提供了一种光电装置及其制造方法。该光电装置包括：半导体基底，包括单晶硅并具有彼此相反的第一表面和第二表面；掺杂单元，形成在半导体基底的第一表面上；以及绝缘层，形成在掺杂单元和半导体基底的第二表面之间，其中，掺杂单元包括第一半导体层和第...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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