用于制作半导体芯片面板的方法技术

用于制作半导体芯片面板的方法。该方法包括提供载体，提供多个半导体芯片，所述半导体芯片均包括第一主面和与第一主面相对的第二主面和连接第一和第二主面的侧面，将半导体芯片放置在载体上，其中第二主面面向载体，并且将密封材料施加到半导体芯片的侧面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及并且涉及半导体芯片封装。
技术介绍
在功率电子设备中，非常经常地使用具有垂直晶体管比如，例如IGBT(绝缘栅双极晶体管)的半导体芯片，或者通常是其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主面上并且至少一个其它电接触焊盘被布置在与第一主面相对的第二主面上的晶体管。可以连接这些半导体芯片中的几个芯片以形成功率模块或功率系统。这样的功率模块中的一个示例是所谓的智能功率模块(IPM)。在半导体芯片封装的制作过程中，单个半导体芯片或者包括几个半导体芯片的半导体芯片模块可以被嵌入在模塑料(mold compound)中,模塑料可以包括任何种类的密封材料。可以在晶片级基础上执行该制作过程。在该制作过程期间，可能需要在一个半导体芯片模块内的不同半导体芯片之间制作电互连。如同在许多情况中那样，半导体功率芯片包括在其两个主表面上的接触元件，其可能是有利的，如果半导体芯片可以容易地从两侧被接近(access)以制作电互连的话。一个另外的方面是用于功率半导体芯片的新的半导体材料(比如，例如SiC或GaN)的出现和开发，其需要与在硅功率芯片中的条件不同的条件，t匕如，例如用于高效和快速开关的较高温度。【附图说明】附图被包括用以提供对实施例的进一步理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出实施例并且与描述一起用来解释实施例的原理。将容易领会其它实施例和实施例的多个预期的优点，因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例。相似的参考数字表示相应的相似部分。图1示出用于说明根据实施例制作半导体芯片面板的方法的流程图。图2A-2D示出用于说明根据实施例制作半导体芯片面板的方法的示意截面侧视图表示。图3A-3C示出用于说明制作包括边缘支撑结构的半导体芯片面板的方法的示意截面侧视图表示。图4A-4E示出半导体芯片面板的示例的示意截面侧视图表示。图5A-5C示出用于说明通过另外使用引线框来制作半导体芯片面板的方法的示意截面侧视图表示。图6示出通过另外使用引线框来制作半导体芯片面板的示例的示意截面侧视图表不。图7示出根据示例的在进一步处理之后的半导体芯片面板的示意截面侧视图表/Jn ο图8A-8C示出用于说明制作其中密封材料与半导体芯片的主面的边缘部分重叠的半导体芯片封装和半导体芯片面板的方法的示例的示意截面侧视图表示(A，B)和顶视图表示(C)。【具体实施方式】现在参照各图描述各方面和实施例，其中从头到尾相似的参考数字通常用来指代相似的元件。在下面的描述中，为了解释的目的，许多特定的细节被阐述以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说，可以显然的是实施例的一个或多个方面可以以更少程度的特定细节来被实施。在其它实例中，以示意的形式示出已知结构和元件以便便于描述实施例的一个或多个方面。应该理解在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以作出结构或逻辑变化。应该进一步注意到各图不是按比例或者不必要按比例。另外，虽然可以相对于几个实施方式中的仅一个来公开实施例的特定特征或方面，但是这样的特征或方面可以与其它实施方式的一个或多个其它特征或者方面组合，这可能对于任何给定的或特定的应用是期望的和有利的。此外，就在详细的描述或者权利要求中使用的术语“包括”，“具有”，“有”或者其其它变型来说，这样的术语以与术语“包含”相似的方式旨在是包括一切的(inclusive)。可以使用术语“耦合”和“连接”以及派生词。应该理解这些术语可以被用来表示两个元件互相协作或互相作用，不管它们是直接物理或电接触，还是它们不互相直接接触。而且，术语“示例性的”仅意指作为示例，而不是最好的或最佳的。因此，下面详细的描述不是在限制性意义上来进行的，并且本专利技术的范围被所附权利要求限定。和半导体芯片封装的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或者并入在半导体芯片中的半导体芯片模块或电路，在它们之中有逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS (微机电系统)、功率集成电路、具有集成无源部件(passives)的芯片、二极管(比如续流二极管(flyback diode))等。实施例也可以使用半导体芯片，所述半导体芯片包括MOS晶体管结构或垂直晶体管结构，比如，例如IGBT (绝缘栅双极晶体管)结构，或者通常是其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主面上并且至少一个其它电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主面相对的半导体芯片的第二主面上的晶体管或其它结构或装置。半导体芯片也可以包括光学装置，比如，例如发光二极管、激光二极管、或者光接收器二极管。半导体芯片可以包括在其外表面的一个或多个上的接触元件或接触焊盘，其中接触元件用于电接触半导体芯片。接触元件可以具有任何所需的形式或形状。它们可以例如具有接触面(land)的形式，即在半导体芯片的外表面上的平坦的接触层。可以由任何导电材料(例如由金属(诸如如铝、金、或铜)或者金属合金、或者导电有机材料、或者导电半导体材料)来制作接触元件或接触焊盘。接触元件也可以被形成为上面提到的材料中的一个或多个的层堆叠。半导体芯片面板可以包括使半导体芯片或半导体芯片模块嵌入在其中的密封剂或密封材料。密封材料可以是任何电绝缘材料，比如，例如任何种类的模制材料、任何种类的树脂材料、或任何种类的环氧材料。密封材料也可以是聚合物材料、聚酰亚胺材料、热塑性材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料。密封材料也可以包括上面提到的材料中的任何一个并且进一步包括嵌入在其中的填充材料，比如，例如导热增量。这些填充物增量可以例如由AlO或A1203、AIN、BN、或SiN制成。半导体芯片面板可以具有晶片的形式(即圆形形式)，但不局限于晶片的形式和形状，而是可以具有半导体芯片或嵌入在其中的半导体芯片模块的任何尺寸和形状和任何适当的布置。在权利要求中并且在下面的描述中，尤其是在流程图中，的不同实施例被描述为特定顺序的工艺或措施。应该注意到实施例不应局限于所描述的特定顺序。也可以同时或以任何其它有用且适当的顺序来进行不同工艺或措施中的特定的一些或全部。半导体芯片面板可以包括单个半导体芯片或半导体芯片模块中的一个或多个。半导体芯片模块可以包括两个或更多个半导体芯片，尤其是功率晶体管芯片，并且它们可以包括至少一个另外的半导体芯片，其可以包括逻辑电路或驱动器电路中的一个或多个。特别地，半导体芯片模块可以包括所谓的智能功率模块(IPM)。半导体芯片面板也可以包括如上面所提到的任何其它种类的半导体芯片。图1示出用于说明根据实施例制作半导体芯片面板的方法的流程图。图1的方法100包括提供载体(110)，其可以包括任何种类的固体材料，比如，例如金属、玻璃、陶瓷、半导体(Si)等。载体可以以一种方式被制备在其上部主面处，使得半导体芯片的临时结合是可能的。例如，载体可以包括被施加到载体的主面的粘合剂层或粘合箔。该方法进一步包括提供多个半导体芯片(120)，其中半导体芯片可以每个包括第一主面和与第一主面相对的第二主面和连接第一和第二主面的侧面。该方法进一步包括将半导体芯片放置在载体上，其中第二主面面向载体(130)，其中可以用其第二主面来将半导体芯片附着到位于载体上的粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作半导体芯片面板的方法，所述方法包括：提供载体；提供多个半导体芯片，所述半导体芯片均包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面和连接所述第一和第二主面的侧面；将所述半导体芯片放置在所述载体上，其中所述第二主面面向所述载体；并且将密封材料施加到所述半导体芯片的所述侧面。

【技术特征摘要】
2013.01.14 US 13/741,1131.一种用于制作半导体芯片面板的方法，所述方法包括: 提供载体； 提供多个半导体芯片，所述半导体芯片均包括第一主面和与所述第一主面相对的第二主面和连接所述第一和第二主面的侧面； 将所述半导体芯片放置在所述载体上，其中所述第二主面面向所述载体；并且 将密封材料施加到所述半导体芯片的所述侧面。2.根据权利要求1的方法， 进一步包括在施加所述密封材料之前覆盖所述半导体芯片的所述第一主面使得所述密封材料将不被施加到所述第一主面。3.根据权利要求2的方法，其中所述第一主面被聚合物膜或聚合物箔覆盖。4.根据权利要求1的方法，其中施加所述密封材料包括传递模塑。5.根据权利要求1的方法，其中所述半导体芯片中的至少一些包括功率晶体管、垂直晶体管、MOS晶体管、绝缘栅双极晶体管、逻辑电路、传感器、和无源部件中的一个或多个。6.根据权利要求1的方法，其中所述半导体芯片是相似的或相同的并且以相似或不同的空间取向被放置在所述载体上。7.根据权利要求1的方法，其中所述半导体芯片包括不同的电装置。8.根据权利要求1的方法，其中所述半导体芯片中的至少一些包括在从5μπι-1000μπι的范围中的厚度，尤其是从30 μ m-80 μ m。9.根据权利要求1的方法，其中全部半导体芯片具有相等的厚度。10.根据权利要求1的方法，其中所述半导体芯片包括不同的厚度。11.根据权利要求1的方法，其中所述密封材料包括绝缘材料、模制材料、聚合物材料、聚酰亚胺材料、树脂材料、环氧树脂材料、硅酮材料、陶瓷材料、和玻璃材料中的一个或多个。...

【专利技术属性】
技术研发人员：E菲尔古特，D波尔沃尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE