功率用半导体装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】针对使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置，将装置整体小型化。IGBT及MOSFET中的配置在栅极控制电路的附近的晶体管，将从栅极控制电路发送来的栅极控制信号，发送至配置在远离栅极控制电路的位置处的晶体管的栅极。而且，经由电阻元件，将栅极控制信号发送至配置在栅极控制电路的附近的晶体管。【专利说明】功率用半导体装置
本专利技术涉及一种功率用半导体装置，特别地涉及一种使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置。
技术介绍
在现有技术中，在IGBT (insulated gate bipolar transistor)等开关装置中，以降低开关损耗为目的，研究出将IGBT与MOSFET (MOS field effect transistor)并联连接的结构。例如，在专利文献I的图5中公开了下述结构:并联连接的IGBT和MOSFET的各自的栅极共同连接，利用共同的栅极驱动电路，对两者进行驱动。通过采用这种结构，从而能够利用IGBT和MOSFET的阈值电压的差，使断开时的瞬间特性反映出MOS...
【技术保护点】
一种功率用半导体装置，其具有：逆变器，其串联地插入在施加第一电压的第一电源线和施加第二电压的第二电源线之间，由互补地动作的第一及第二开关部构成；以及第一及第二控制电路，它们分别对所述第一及第二开关部的各自的开关动作进行控制，所述逆变器和所述第一及第二控制电路进行了模块化，在该功率用半导体装置中，所述第一开关部具有第一IGBT及第一MOSFET，它们各自的一个主电极与所述第一电源线连接，各自的另一个主电极与所述逆变器的输出节点连接，所述第二开关部具有第二IGBT及第二MOSFET，它们各自的一个主电极与所述第二电源线连接，各自的另一个主电极与所述逆变器的所述输出节点连接，在所...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川真纪，白水政孝，酒井伸次，白石卓也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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