本发明专利技术公开了高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法。高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂0.20-0.40mol/L；氯化钯0.004-0.010mol/L；添加剂20-40ppm；其余为水，其中，镀液的pH值为4.5-7.0。一种无氰化学镍钯金加工方法，浸钯时采用前述的镀钯镀液，浸钯时的温度为35-45℃，时间为3-7min。本发明专利技术高可靠性型化学镀钯液采用新的配方比例，以置换方式在PCB板等工件上完成化学钯，可以使后序的浸金过程中，浸金的厚度达到0.02-0.03μm，具有成本低、高可靠性，其中的浸金过程中，采用无氰金盐，具有无公害的特点。本发明专利技术的推广应用具有极好的经济效益和社会效益。
【技术实现步骤摘要】
高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法
本专利技术涉及一种化学镀钯镀液，更具体地说是指一种高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法。
技术介绍
随着电子产品对PCB的要求越来越高，对PCB表面镀（涂）覆层的要求也越高。目前的化学镍金工艺不具备打金线的能力，通常采用电镀镍金或化学镍镀厚金（金厚≥0.25μm）工艺，此两种工艺的成本均很高，工艺条件不容易控制。而刚刚新兴起不久的化学镍钯金工艺，金层的厚度能够达到0.03μm～0.05μm。但PCB板产品的大规模应用，仍有必要在保证电路板产品质量的基础上，进一步地减少浸金层的厚度，以降低成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种高可靠性型化学镀钯液及无氰化学镍钯金加工方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂0.20-0.40mol/L；氯化钯0.004-0.010mol/L；添加剂20-40ppm；其余为水，其中，镀液的PH值为4.5-7.0。其进一步技术方案为：所述的络合剂为丁二酸钠、氯化铵、乙二酸四乙酸二钠中的一种或多种。其进一步技术方案为：还包括以下浓度比的成份：PH缓冲剂10-30mol/L,所述的PH缓冲剂为乙酸或乙酸盐。其进一步技术方案为：所述的添加剂为含胺有机化合物。其进一步技术方案为：所述各组份的浓度比为：络合剂0.25-0.35mol/L；氯化钯0.005-0.007mol/L；添加剂25-35ppm；其中，镀液的PH值为5.0-6.0。一种无氰化学镍钯金加工方法，浸钯时采用前述的镀钯镀液，浸钯时的温度为35-45℃，时间为3-7min。其进一步技术方案为：还包括化学镀镍，所述化学镀镍的浸液包括以下浓度比的成份：RW-904A，50ml/L；RW-904M，100-120ml/L；RW-904D，4ml/L；其中，RW-904A的Ni2+为4.5-5.0g/l，RW-904M的PH值为4.5-4.7。其进一步技术方案为：还包括化学浸金，所述化学浸金的浸液包括以下浓度比的成份：RW-905，150ml/L；无氰金盐，1.5g/l；其中，RW-905的PH值为5.0-5.5；无氰金盐中的Au含量为0.8-1.5g/l，浸金的厚度为0.02-0.03μm。其进一步技术方案为：所述的化学镀镍之前还包括清洗过程，所述的清洗过程包括以下步骤：1）微蚀，采用的微蚀液中包括有浓度比为80-120g/L的SPS、浓度比为20ml/L的H2SO4；2）酸洗，采用的酸洗液中包括有浓度比为20ml/L的H2SO4；3）预浸，采用的预浸液中包括有浓度比为10-15ml/L的H2SO4；4）活化，采用的活化液中包括有浓度比为10-20ml/L的H2SO4和浓度比为150ml/L的RW-903；5）后浸，采用的后浸液中包括有浓度比为10-20ml/L的H2SO4。其进一步技术方案为：所述的微蚀之前还包括酸性清洁，采用的酸性清洁剂为RW-901药水，浓度为60-100ml/L。化学镀镍为自催化氧化还原反应，一般以次磷酸盐作为还原剂，反应式如下：[H2PO2]-+H2O→[HPO3]2-+H++2HNi2++2H→Ni↓+2H+2[H2PO2]-+H→[HPO3]2-+H2O+P+H2↑化学浸钯反应属于置换反应，钯与镍置换，在镍表面沉积一层钯层，反应式如下：Pd2++Ni→Pd↓+Ni2+化学浸金属于置换反应，金与镍置换或金与钯置换。反应式如下：2Au++Pd→2Au+Pd2+或2Au++Ni→2Au+Ni2+本专利技术与现有技术相比的有益效果是：本专利技术高可靠性型化学镀钯液采用新的配方比例，以置换方式在PCB板等工件上完成化学钯，可以使后序的浸金过程中，浸金的厚度达到0.02-0.03μm，具有成本低、高可靠性，其中的浸金过程中，采用无氰金盐，具有无公害的特点。本专利技术的推广应用具有极好的经济效益和社会效益。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。附图说明图1为本专利技术无氰化学镍钯金加工方法具体实施例加工出来的电路板产品的可焊性测试结果图；图2为本专利技术无氰化学镍钯金加工方法具体实施例的工艺参数图；图3为本专利技术无氰化学镍钯金加工方法具体实施例加工的PCB板与现有技术加工的PCB板的表面镀层基本性能对比图。具体实施方式为了更充分理解本专利技术的
技术实现思路
，下面结合具体实施例对本专利技术的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。实施例1本专利技术高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂0.20mol/L；氯化钯0.004mol/L；添加剂40ppm；其余为水，其中，镀液的PH值为7.0，浸钯时的温度为45℃，时间为3min。化学镀镍浸钯浸金包括以下几个主要过程：1.酸性除油（采用RW-901药水，又称为酸性清洁）；2.微蚀（采用SPS/H2SO4药水）；3.活化（采用RW-903/PdSO4药水）；4.化学镀镍（采用RW-904系列药水）；5.化学浸钯（采用PdCl2药水）；6.化学浸金（采用RW-905R药水）。其中，酸性清洁，采用的酸性清洁剂为RW-901药水，浓度为60-100ml/L。化学镀镍的浸液包括以下浓度比的成份：RW-904A，50ml/L；RW-904M，100-120ml/L；RW-904D，4ml/L；其中，RW-904A的Ni2+为4.5-5.0g/l，RW-904M的PH值为4.5-4.7。化学浸金的浸液包括以下浓度比的成份：RW-905，150ml/L；无氰金盐，1.5g/l；其中，RW-905的PH值为5.0-5.5；无氰金盐中的Au含量为0.8-1.5g/l，浸金的厚度为0.02-0.03μm。另外，其中的微蚀和活化的加工过程，可以采用以下的具体步骤：1）微蚀，采用的微蚀液中包括有浓度比为80-120g/L的SPS（过硫酸钠）、浓度比为20ml/L的H2SO4；2）酸洗，采用的酸洗液中包括有浓度比为20ml/L的H2SO4；3）预浸，采用的预浸液中包括有浓度比为10-15ml/L的H2SO4；4）活化，采用的活化液中包括有浓度比为10-20ml/L的H2SO4和浓度比为150ml/L的RW-903；5）后浸，采用的后浸液中包括有浓度比为10-20ml/L的H2SO4。采用本实施例方法加工的PCB板，具有以下性能：项目化学镀镍浸钯浸金产品性能外观银白色固体，色泽均匀一致镀钯厚度钯层厚度均匀性好标准差标准偏差σ≤0.007镀层致密性镀层致密优良，孔隙率≤2个/mm2。镍腐蚀本工艺无腐蚀产生，无黑垫问题拉力测试用3M胶带紧贴金面，以45度力上拉无甩镍/金现象。抗氧化后拉力测试用3M胶带紧贴金面，以45度力上拉无甩镍/金现象。拉脱测试用焊枪把锡条焊在PAD上拉锡条见底材可焊性245度，3-5秒上锡性能极佳回流焊三次IR无金面异色现象回流焊焊锡试验放在0.4mm的焊锡球上，焊锡扩大1.3um以上。盐雾实验中性盐雾连续喷雾48小时无腐蚀现象打金线能力具有优良的打金线能力实施例2本专利技术高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂0.40mol/L；氯化钯0.0010mol/L；添加剂20ppm；其余为水，其中，镀液的PH值为4.5，浸钯时本文档来自技高网...
【技术保护点】
高可靠性型化学镀钯液，主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂 0.20‑0.40mol/L；氯化钯 0.004‑0.010mol/L；添加剂 20‑40ppm；其余为水，其中，镀液的PH值为4.5‑7.0。
【技术特征摘要】
1.一种无氰化学镍钯金加工方法，包括以下步骤：其中的步骤4、9、13、17、19均采用二种以上的药水混合在一起而构成的浸液进行；所述的RW-908为高可靠性型化学镀钯液，它主要是由如下浓度比的各成份构成：络合剂0.25-0.35mol/L；氯化钯0.005-0.007mol/L；添加剂25-35ppm；其余为水；其中，镀液的PH值为5.0-6.0，浸金的厚度为0.02-0....
【专利技术属性】
技术研发人员：丁启恒，
申请(专利权)人：深圳市荣伟业电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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