热电转换材料和热电转换元件制造技术

技术编号:10184634 阅读:213 留言:0更新日期:2014-07-03 15:11
本发明专利技术涉及一种热电转换材料和使用了该热电转换材料的热电转换元件,所述热电转换材料为含有碳纳米管和共轭高分子的热电转换材料,该共轭高分子为包含至少下述(A)和(B)作为具有共轭体系的重复单元的共轭高分子,(A):烃环和/或杂环进行3环以上稠合而成的稠多环结构;(B):单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的稠环结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热电转换材料和热电转换元件
本专利技术涉及热电转换材料和使用了该热电转换材料的热电转换元件。
技术介绍
能够将热能与电能相互转换的热电转换材料被用于诸如热电发电元件、珀尔帖元件那样的热电转换元件中。应用了热电转换材料、热电转换元件的热电发电能够直接将热能转换成电力,不需要可动部,被用于在体温下工作的手表或偏僻地区用电源、太空用电源等中。热电转换材料的性能指数Z用下述式(A)表示,对于性能提高而言,热电动势S和电导率σ的提高很重要。性能指数ZT=S2·σ·T/κ(A)S(V/K):热电动势(塞贝克系数)σ(S/m):电导率κ(W/mK):导热系数T(K):绝对温度对于热电转换材料要求具有良好的热电转换效率,因而目前主要实用化的热电转换材料为无机材料。但是,这些无机材料具有材料自身昂贵、含有有害物质、或向热电转换元件加工的加工工序复杂等问题。因此,正在进行能够比较廉价地制造、成膜等加工也容易的有机热电转换材料的研究,报道了使用导电性高分子的热电转换材料及元件。例如,专利文献1中记载了使用聚苯胺等导电性高分子的热电元件;专利文献2中记载了包含聚噻吩乙炔的热电转换材料;专利文献3和4中记载了本文档来自技高网...
热电转换材料和热电转换元件

【技术保护点】
一种热电转换材料,其为含有碳纳米管和共轭高分子的热电转换材料,该共轭高分子为包含至少下述(A)和(B)作为具有共轭体系的重复单元的共轭高分子,(A):烃环和/或杂环进行3环以上稠合而成的稠多环结构;(B):单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的稠环结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.31 JP 2011-238781;2012.02.15 JP 2012-030831.一种热电转换材料,其为含有碳纳米管以及共轭高分子和非共轭高分子的热电转换材料,该共轭高分子为包含至少下述(A)和(B)作为具有共轭体系的重复单元的共轭高分子,(A):烃环和/或杂环进行3环以上稠合而成的稠多环结构;(B):单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的稠环结构;所述非共轭高分子是将选自由乙烯基化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物、碳酸酯化合物、酯化合物、酰胺化合物、酰亚胺化合物和硅氧烷化合物组成的组中的化合物聚合而成的高分子化合物。2.如权利要求1所述的热电转换材料,其中,所述重复单元(B)为单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构、或包含这些的二稠环结构。3.如权利要求1所述的热电转换材料,其中,所述共轭高分子包含下述通式(1)表示的结构作为重复单元,[化学式1]通式(1)中,C和E各自独立地表示芳香族烃环或芳香族杂环结构,D表示烃环或杂环结构;C、D、E的各环分别具有或不具有取代基;L表示-CH=CH-、-C≡C-或-N=N-;n表示0或1;B表示单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的二稠环结构;*表示重复单元的连接部位。4.如权利要求3所述的热电转换材料,其中,所述通式(1)中,C、D、E的各环的任一者中具有碳原子数为1~14的直链或支链的烷基。5.如权利要求1所述的热电转换材料,其中,所述共轭高分子包含下述通式(2)表示的结构作为重复单元,[化学式2]通式(2)中,G表示烃环或杂环结构;环G具有或不具有取代基;R1和R2各自独立地表示氢原子或取代基;L表示-CH=CH-、-C≡C-或-N=N-;n表示0或1;B表示单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的二稠环结构;*表示重复单元的连接部位。6.如权利要求1所述的热电转换材料,其中,所述共轭高分子包含下述通式(3)表示的结构作为重复单元,[化学式3]通式(3)中,H表示烃环或杂环结构;环H具有或不具有取代基;R3...

【专利技术属性】
技术研发人员:西尾亮青合利明林直之高桥依里
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1