芯片保护电路制造技术

一种芯片保护电路，包括一为芯片提供工作电压的供电电路、一第一比较器、一第一电阻、一热敏电阻及一第一电子开关，该第一比较器的正向输入端与一第一电源相连，该第一比较器的反向输入端通过该第一电阻与一第二电源相连，该第一比较器的反向输入端还通过该热敏电阻接地，该第一比较器的输出端与该第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，该第一电子开关的第三端与该芯片的热保护引脚相连；当该芯片的温度达到一第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压小于其正向输入端的电压，该第一电子开关导通，该热保护引脚为低电平，该芯片进行降频工作模式。本发明专利技术芯片保护电路有利于延长对该芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种芯片保护电路，包括一为芯片提供工作电压的供电电路、一第一比较器、一第一电阻、一热敏电阻及一第一电子开关，该第一比较器的正向输入端与一第一电源相连，该第一比较器的反向输入端通过该第一电阻与一第二电源相连，该第一比较器的反向输入端还通过该热敏电阻接地，该第一比较器的输出端与该第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，该第一电子开关的第三端与该芯片的热保护引脚相连；当该芯片的温度达到一第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压小于其正向输入端的电压，该第一电子开关导通，该热保护引脚为低电平，该芯片进行降频工作模式。本专利技术芯片保护电路有利于延长对该芯片的使用寿命。【专利说明】芯片保护电路
本专利技术涉及一种芯片保护电路，特别涉及一种CPlXCentral Processing Unit,中央处理器)的过热保护电路。
技术介绍
电子产品(如CPU)的寿命与电子零件的工作温度有关。而电子产品的工作频率越高，其产生的热量亦越多，从而导致其工作的温度越高。然而，温度过高将会影响电子产品的工作性能以及可靠性。根据业界经验显示，电子产品的温度每升高10度，电子产品寿命将缩短一半。当电子产品的温度太高时，有时甚至会发生火灾等灾难性的问题。
技术实现思路
鉴于以上内容，有必要提供一种芯片保护电路，即在电子产品的温度超过规定的温度时能及时控制电子产品降频工作，从而保护电子产品。一种芯片保护电路，包括一为芯片提供工作电压的供电电路、一第一比较器、一第一电阻、一热敏电阻及一第一电子开关，该第一比较器的正向输入端与一第一电源相连，该第一比较器的反向输入端通过该第一电阻与一第二电源相连，该第一比较器的反向输入端还通过该热敏电阻接地，该第一比较器的输出端与该第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，该第一电子开关的第三端与该芯片的热保护引脚相连；当该第一电子开关的第一端为高电平时，该第一电子开关的第二端与第三端导通；当该第一电子开关的第一端为低电平时，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度不高于第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压大于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出低电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度达到第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压小于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出高电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该热保护引脚为低电平，该芯片进入降频工作模式。上述芯片保护电路在该芯片的工作温度达到该第一温度值时控制该芯片进入降频工作模式，如此有利于降低该芯片的工作温度，从而有利于延长该芯片的工作寿命。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术芯片保护电路的较佳实施方式的电路图。主要元件符号说明【权利要求】1.一种芯片保护电路，包括一为芯片提供工作电压的供电电路、一第一比较器、一第一电阻、一热敏电阻及一第一电子开关，该第一比较器的正向输入端与一第一电源相连，该第一比较器的反向输入端通过该第一电阻与一第二电源相连，该第一比较器的反向输入端还通过该热敏电阻接地，该第一比较器的输出端与该第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，该第一电子开关的第三端与该芯片的热保护引脚相连；当该第一电子开关的第一端为高电平时，该第一电子开关的第二端与第三端导通；当该第一电子开关的第一端为低电平时，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度不高于第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压大于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出低电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度达到第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压小于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出高电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该热保护引脚为低电平，该芯片进入降频工作模式。2.如权利要求1所述的芯片保护电路，其特征在于:该芯片保护电路还包括一第二比较器及一第二电子开关，该供电电路包括一 PWM控制器,该第二比较器的正向输入端与一第三电源相连，该第二比较器的反向输入端连接于该第一电阻与该热敏电阻之间的节点，该第二比较器的输出端与该第二电子开关的第一端相连，该第二电子开关的第二端接地，该第二电子开关的第三端与该PWM控制器的控制引脚相连；当该第二电子开关的第一端为高电平时，该第二电子开关的第二端与第三端导通；当该第二电子开关的第一端为低电平时，该第二电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的工作温度达到该第一温度值时，该第二比较器的正向输入端电压小于其反向输入端的电压，该第二比较器的输出端输出低电平的控制信号，该第二电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的工作温度达到一高于第一温度值的第二温度值时，该第二比较器的正向输入端的电压大于其反向输入端的电压，该第二比较器的输出端输出高电平的控制信号，该第二电子开关的第二端与第三端导通，该PWM控制器控制引脚为低电平，该PWM控制器不输出电压至芯片。3.如权利要求2所述的芯片保护电路，其特征在于:该PWM控制器的控制引脚与一稳压二极管的阴极相连，该稳压二极管的阳极与一第四电源相连。4.如权利要求3所述的芯片保护电路，其特征在于:该第一比较器的输出端通过一第二电阻与该第一电子开关的第一端相连，该第二比较器的输出端通过一第三电阻与该第二电子开关的第一端相连。5.如权利要求4所述的芯片保护电路，其特征在于:该第一比较器的正向输入端通过一第四电阻与该第一电源相连，还通过一第五电阻接地。6.如权利要求4所述的芯片保护电路，其特征在于:该第二比较器正向输入端通过一第六电阻与该第三电源相连，还通过一第七电阻接地。7.如权利要求4所述的芯片保护电路，其特征在于:该第一及第二电子开关为N沟道场效应管，该第一及第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别相当于N沟道场效应管的栅极、源极及漏极。8.如权利要求4所述的芯片保护电路，其特征在于:该第一及第二电子开关的为NPN型三极管，该第一及第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别相当于NPN型三极管的基极、发射极及集电极。【文档编号】G06F1/28GK103902007SQ201210588318【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年12月29日 优先权日:2012年12月29日【专利技术者】周海清 申请人:鸿富锦精密工业（深圳）有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片保护电路，包括一为芯片提供工作电压的供电电路、一第一比较器、一第一电阻、一热敏电阻及一第一电子开关，该第一比较器的正向输入端与一第一电源相连，该第一比较器的反向输入端通过该第一电阻与一第二电源相连，该第一比较器的反向输入端还通过该热敏电阻接地，该第一比较器的输出端与该第一电子开关的第一端相连，该第一电子开关的第二端接地，该第一电子开关的第三端与该芯片的热保护引脚相连；当该第一电子开关的第一端为高电平时，该第一电子开关的第二端与第三端导通；当该第一电子开关的第一端为低电平时，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度不高于第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压大于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出低电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端截止；当该芯片的温度达到第一温度值时，该第一比较器的反向输入端的电压小于其正向输入端的电压，该第一比较器的输出端输出高电平的控制信号，该第一电子开关的第二端与第三端导通，该热保护引脚为低电平，该芯片进入降频工作模式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周海清，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44