【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。【专利说明】
本专利技术涉及，例如涉及应用于具有感应器(线圈)的半导体装置和具有感应器的半导体装置的制造方法的有效的技术。
技术介绍
作为在输入的电信号的电位彼此不同的两个电路之间传递电信号的装置，已知使用光耦合器的装置。光耦合器具有发光二极管等发光元件和光敏晶体管等受光元件，将输入的电信号通过发光元件转换成光，并将所述光通过受光元件还原成电信号，从而传递电信号。而且，开发出了通过将两个感应器电感耦合来传递电信号的技术。例如，在下述专利文...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有主面；第一绝缘膜，形成于所述主面上；第一线圈，形成于所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，形成于所述第一线圈上，并且具有第一主面和与所述第一主面相连的第一侧面；第三绝缘膜，形成于所述第二绝缘膜的所述第一主面上，并且具有第二主面和与所述第二主面相连的第二侧面；以及第二线圈，形成于所述第三绝缘膜的所述第二主面上，所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜是所述第一主面和所述第二主面隔着所述第二侧面形成第一阶梯差的层叠绝缘膜。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：船矢琢央，鴫原宏美，鴫原久雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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